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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTD5803NT4G	-	RFQ	1103	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD58	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	76A（TC）	5V，10V	7.2mohm @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	83W（TC）
BCX599_D26Z	-	RFQ	9040	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCX599			TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000															-	NPN	-	-	-
KSC1173Ytstu	-	RFQ	7346	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC1173		10 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50													30 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
NVMFS5C673NLAFT1G	1.5000	RFQ	2056	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 35µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	46W（TC）
FDFMA3N109	-	RFQ	8762	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDFMA3	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	2.9a（TC）	2.5V，4.5V	123mohm @ 2.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	3 NC @ 4.5 V	±12V	220 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA）
KSC3503DSTSSTU	-	RFQ	4484	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3503		7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880													300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	60 @ 10mA，10v	150MHz
NDT3055L	0.8900	RFQ	8502	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT3055	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	60 V	4A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 4A，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
NVMFS5C646NLAFT3G	0.8491	RFQ	9116	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
FQU13N10TU	-	RFQ	1271	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	100 v	10A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
NXH020F120MNF1PTG	177.7400	RFQ	2861	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH020	MOSFET （金属 o化物）	119W（TJ）	22-PIM （33.8x42.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH020F120MNF1PTG	Ear99	8541.29.0095	28	4（n n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	51A（TC）		30mohm @ 50a，20v	4.3V @ 20mA	213.5nc @ 20V		2420pf @ 800V	-
NSVDTA143EM3T5G	0.0813	RFQ	8990	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	NSVDTA143		260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVDTA143EM3T5GTR	Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
sbc846alt1g	0.3100	RFQ	32	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBC846		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
FDG6306P	0.6000	RFQ	7643	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6306	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	600mA		420MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2NC @ 4.5V		114pf @ 10V	逻辑级别门
FJV3115RMTF	-	RFQ	8763	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV311		200兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
NTTFS4C05NTWG	1.2500	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1988 pf @ 15 V	-	820MW（TA），33W（tc）
NTHD4N02FT1	-	RFQ	5829	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	nthd4n	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTHD4N02FT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.9a（TJ）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	910MW（TJ）
FQU4N25TU	-	RFQ	3767	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU4	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道	250 v	3A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
mpsa06rlrmg	-	RFQ	9964	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA06		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													80 V	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FJX4004RTF	-	RFQ	6228	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX400		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FJP3305H2TU	1.4300	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP3305		75 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													400 v	4 a	1µA（ICBO）	NPN	1V @ 1A，4A	26 @ 1A，5V	4MHz
FDD86250-F085	2.2700	RFQ	3178	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86250	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 75 V	-	160W（TJ）
BUV26G	-	RFQ	3016	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUV26		85 w	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													90 v	20 a	-	NPN	1.5V @ 1.2a，12a	-	-
MUN5211DW1T1	-	RFQ	2310	Onmi	-	（CT）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN52		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
BD159	-	RFQ	8711	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD159		20 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													350 v	500 MA	100µA（ICBO）	NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
FQD12N20TM	-	RFQ	4112	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
MMBT5401LT1G	0.2200	RFQ	2526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5401		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													150 v	500 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
NTK3142PT5G	-	RFQ	3373	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	NTK314	MOSFET （金属 o化物）		SOT-723	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道	20 v	215ma（ta）	1.8V，4.5V	4ohm @ 260mA，4.5V	1.3V @ 250µA		±8V	15.3 pf @ 10 V	-	280MW（TA）
FDD120AN15A0-F085	1.5100	RFQ	160	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	14A（TC）	10V	120MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	743 PF @ 25 V	-	65W（TC）
2SD1835S	-	RFQ	8483	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SD1835		750兆w	3-np	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500													50 V	2 a	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	140 @ 100mA，2V	150MHz
FQPF27P06	2.1300	RFQ	2125	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF27	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	17a（TC）	10V	70MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	47W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²