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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
1985-MBT2222A	-	RFQ	2613	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	MBT222			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000															-	-	-	-	-
NTEFS2MS32NTDG	0.0900	RFQ	150	Onmi	*	大部分	过时的								-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NTEFS2MS32NTDG	Ear99	8541.29.0095	1
NJV4030PT1G	0.5100	RFQ	526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NJV4030		2 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													40 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	160MHz
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VN0300L	-	RFQ	9953	Onmi	-	（TB）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	VN0300	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	VN0300LOS	Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	60 V	200ma（ta）	5V，10V	1.2OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA		±20V	100 pf @ 15 V	-	350MW（TC）
HUFA76639S3ST	-	RFQ	4814	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
FDS6930B	0.6700	RFQ	5023	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6930	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.5a		38mohm @ 5.5A，10V	3V @ 250µA	3.8NC @ 5V		412pf @ 15V	逻辑级别门
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NJVMJD44H11D3T4G	-	RFQ	3283	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD44		20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NJVMJD44H11D3T4GTR	Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	8 a	1µA	NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	85MHz
KSA1281YBU	-	RFQ	6155	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1281		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	6,000													50 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	100MHz
2SC3332S	-	RFQ	4000	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SC3332		700兆	3-np	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500													160 v	700 MA	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 25mA，250mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
FQPF2P25	-	RFQ	9512	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	250 v	1.8A（TC）	10V	4ohm @ 900mA，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	32W（TC）
NTB5D0N15MC	5.6700	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	18A（18A），139a （TC）	10V	5MOHM @ 97A，10V	4.5V @ 532µA	75 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 75 V	-	3.8W（ta），214W（TC）
FQA44N30	-	RFQ	1946年	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA44	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道	300 v	43.5A（TC）	10V	69mohm @ 21.75a，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
BC238ATF	-	RFQ	8478	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													25 v	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
FJNS4207RBU	-	RFQ	9404	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
BC640	-	RFQ	3197	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC640		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													80 V	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	150MHz
NSV60600MZ4T1G	0.7200	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NSV60600		800兆	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													60 V	6 a	100NA（ICBO）	PNP	350mv @ 600mA，6a	120 @ 1A，2V	100MHz
NTMFS6H852NLT1G	0.9100	RFQ	4703	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	80 V	（11a）（ta），42a（tc）	4.5V，10V	13.1MOHM @ 10A，10V	2V @ 45µA	17 NC @ 10 V	±20V	906 PF @ 40 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
MMPQ3904	2.1000	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ39		1W	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													40V	200mA	-	4 npn（Quad）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
NTBV75N06T4G	-	RFQ	6254	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTBV75	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	75a（ta）	10V	9.5MOHM @ 37.5A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	-
PZTA29	0.5100	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZTA29		1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000													100 v	800 MA	50NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
MPSA42_J18Z	-	RFQ	2826	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA42		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
BDV64BG	3.0100	RFQ	207	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	BDV64		125 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30													100 v	10 a	1ma	pnp-达灵顿	2V @ 20mA，5a	1000 @ 5A，4V	-
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2N4234	-	RFQ	4439	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N423		6 W	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100													40 V	1 a	-	PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
NSBA114YDXV6T1	-	RFQ	8709	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA114		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²