SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BC547BTF onsemi BC547BTF 0.4000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC547 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 300MHz
KSE800STSSTU onsemi KSE800STSSTU -
RFQ
ECAD 6343 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 KSE80 40 W TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,880 60 V 4 a 100µA npn-达灵顿 2.5V @ 30mA,1.5a 750 @ 1.5A,3V -
KSC5042MSTU onsemi KSC5042MSTU -
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 KSC5042 6 W TO-126-3 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,920 900 v 100 ma 10µA(ICBO) NPN 5V @ 4mA,20mA 30 @ 10mA,5V -
BC238BBU onsemi BC238BBU -
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC238 500兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA,100mA 180 @ 2mA,5v 250MHz
FDMS8050ET30 onsemi FDMS8050ET30 4.1300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS8050 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 55A(ta),423A(tc) 4.5V,10V 0.65MOHM @ 55A,10V 3V @ 750µA 285 NC @ 10 V ±20V 22610 PF @ 15 V - 3.3W(3),180w(tc)
BC559BBU onsemi BC559BBU -
RFQ
ECAD 7444 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC559 500兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 150MHz
BC237CG onsemi BC237CG -
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BC237 350兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA,100mA 380 @ 2mA,5V 200MHz
UMA4NT1G onsemi uma4nt1g -
RFQ
ECAD 1722年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 MA4 150MW SC-88A(SC-70-5/SOT-353) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 uma4nt1gos Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-) 250mv @ 300µA,10mA 160 @ 5mA,10v - 10KOHMS -
BC547CTA onsemi BC547CTA 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Onmi - (CT) 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC547 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 300MHz
NSVMUN2236T1G onsemi NSVMUN2236T1G 0.0363
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 NSVMUN2236 230兆 SC-59 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v 100 kohms 100 kohms
2SA1381CSTU onsemi 2SA1381CSTU -
RFQ
ECAD 3936 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 2SA1381 7 W TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 60 300 v 100 ma 100NA(ICBO) PNP 600mv @ 2mA,20mA 40 @ 10mA,10v 150MHz
BC858BWT1G onsemi BC858BWT1G 0.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC858 150兆 SC-70-3(SOT323) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
MUN2111T1G onsemi MUN2111T1G 0.1800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MUN2111 230兆 SC-59 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 35 @ 5mA,10v 10 kohms 10 kohms
NSVBC857CWT1G-M01 onsemi NSVBC857CWT1G-M01 -
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 150兆 SC-70-3(SOT323) - 到达不受影响 488-NSVBC857CWT1G-M01 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 ma 15NA(icbo) 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
NTTFS4C05NTAG onsemi NTTFS4C05NTAG 1.6000
RFQ
ECAD 9561 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS4 MOSFET (金属 o化物) 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V (12a)(ta),75a tc(TC) 4.5V,10V 3.6mohm @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1988 pf @ 15 V - 820MW(TA),33W(tc)
CPH3455-TL-H onsemi CPH3455-TL-H -
RFQ
ECAD 1678年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CPH345 MOSFET (金属 o化物) 3-CPH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 35 v 3A(3A) 4V,10V 104mohm @ 1.5A,10V - 4 NC @ 10 V ±20V 186 pf @ 20 V - 1W(ta)
2SC4211-6-TL-E onsemi 2SC4211-6-TL-E -
RFQ
ECAD 4022 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 SC-70,SOT-323 2SC4211 MCP - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - - - - -
5LN01C-TB-E onsemi 5LN01C-TB-E -
RFQ
ECAD 7723 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 5LN01 MOSFET (金属 o化物) SC-59-3/CP3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V (100mA)(TA) 1.5V,4V 7.8OHM @ 50mA,4V - 1.57 NC @ 10 V ±10V 6.6 pf @ 10 V - 250MW(TA)
MJF6388G onsemi MJF6388G 2.0800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MJF6388 2 w TO-220FP 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 10µA npn-达灵顿 3V @ 100mA,10a 3000 @ 3A,4V -
2SC3503DSTU onsemi 2SC3503DSTU -
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 2SC3503 7 W TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 60 300 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN 600mv @ 2mA,20mA 60 @ 10mA,10v 150MHz
MJD45H11-001 onsemi MJD45H11-001 -
RFQ
ECAD 5457 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MJD45 1.75 w 我帕克 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 75 80 V 8 a 1µA PNP 1V @ 400mA,8a 40 @ 4A,1V 90MHz
MPSW45AZL1 onsemi MPSW45AZL1 -
RFQ
ECAD 6313 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) MPSW45 1 w TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 50 V 1 a 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.5V @ 2mA,1a 25000 @ 200mA,5V 100MHz
2N5307_D74Z onsemi 2N5307_D74Z -
RFQ
ECAD 8629 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N5307 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 40 V 1.2 a 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.4V @ 200µA,200mA 2000 @ 2mA,5V -
TIP147G onsemi TIP147G 2.8400
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 TIP147 125 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 2mA pnp-达灵顿 3V @ 40mA,10a 1000 @ 5A,4V -
MUN5231T1 onsemi MUN5231T1 -
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 MUN5231 202兆 SC-70-3(SOT323) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 5mA,10mA 8 @ 5mA,10v 2.2 kohms 2.2 kohms
SNSS40600CF8T1G onsemi SNSS40600CF8T1G 0.3424
RFQ
ECAD 5596 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SNSS40600 830兆 chipfet™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 6 a 10µA PNP 220mv @ 400mA,4a 220 @ 1A,2V 100MHz
SNST3904DXV6T5G onsemi SNST3904DXV6T5G 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 ST3904 500MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 40V 200mA - 2 NPN (双) 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
KSE13003H2AS onsemi KSE13003H2AS -
RFQ
ECAD 8830 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 KSE13003 20 w TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400 v 1.5 a - NPN 3V @ 500mA,1.5a 14 @ 500mA,2V 4MHz
BD37910STU onsemi BD37910STU -
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD379 25 w TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 80 V 2 a 2µA(ICBO) NPN 1V @ 100mA,1a 63 @ 150mA,2V -
2N7002WST1G onsemi 2N7002WST1G -
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2N7002 - SC-70-3(SOT323) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 310mA ta) 4.5V,10V - - ±20V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库