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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDH047AN08A0	6.5200	RFQ	4436	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FDH047			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道						75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
NVD5407NT4G	-	RFQ	5811	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5407			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	7.6A（ta），38a tc）	5V，10V	26mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1000 pf @ 32 V	-	2.9W（ta），75W（tc）
NVMFS6H858NWFT1G	2.3500	RFQ	2397	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	8.4a（ta），29a（tc）	10V	20.7MOHM @ 5A，10V	4V @ 30µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 40 V	-	3.5W（ta），42W（tc）
NVTFS002N04CTAG	2.5800	RFQ	9496	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS002			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	27a（27a），136a （TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	3.5V @ 90µA	34 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），85W（tc）
NVTFS6H854NWFTAG	1.0200	RFQ	1198	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	9.5A（TA），44A （TC）	10V	14.5mohm @ 10a，10v	4V @ 45µA	13 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 40 V	-	3.2W（TA），68W （TC）
NVTFS6H880NWFTAG	0.8000	RFQ	7085	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	6.3a（TA），21a （TC）	10V	32MOHM @ 5A，10V	4V @ 20µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	370 pf @ 40 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
NVTFS6H888NWFTAG	0.2953	RFQ	8884	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						80 V	4.7a（ta），12a （TC）	10V	55mohm @ 5a，10v	4V @ 15µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 40 V	-	2.9W（ta），18W（tc）
NVTFWS010N10MCLTAG	0.7602	RFQ	7058	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFWS010			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						100 v	11.7A（TA），57.8A（tc）	4.5V，10V	10.6mohm @ 15a，10v	3V @ 85µA	30 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 50 V	-	3.2W（ta），77.8W（tc）
FDU5N60NZTU	-	RFQ	6764	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU5N60			MOSFET （金属 o化物）		DPAK3（IPAK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道						600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	600 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FGD1240G2	2.0300	RFQ	9540	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					FGD1240						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	2,500
NSV60201SMTWTBG	0.2218	RFQ	9297	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NSV60201				1.8 w	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																					60 V	2 a							100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 200mA，2a	150 @ 100mA，2V	180MHz
NTMTS0D7N04CTXG	7.6500	RFQ	5375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMTS0			MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	65A（TA），420A （TC）	10V	0.67MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	9230 PF @ 25 V	-	4.9W（ta），205W（tc）
NTMTS0D7N06CTXG	12.8200	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMTS0			MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	60.5A（TA），464A （TC）	10V	0.72MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	11535 PF @ 30 V	-	5W（5W），294.6W（TC）
NTMYS2D9N04CLTWG	1.7177	RFQ	3623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NTMYS2			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NTMYS2D9N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 11µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）
NVC6S5A444NLZT2G	-	RFQ	4625	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVC6S5			MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	78MOHM @ 2A，10V	2.6V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	505 pf @ 20 V	-	970MW（TA）
NVB150N65S3F	4.2100	RFQ	7952	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NVB150			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1999 PF @ 400 V		192W
NVMJS2D5N06CLTWG	2.7500	RFQ	8333	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJS2			MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	（31a）（TA），164a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），113W（tc）
FGHL40S65UQ	-	RFQ	1753年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGHL40	标准			231 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	FGHL40S65UQOS	Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，6ohm，15V															319 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.7V @ 15V，40a	1.76mj（在）（362µJ）上）	306 NC	32NS/260NS
CPH3110-TL-E	0.1100	RFQ	39	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
MTD3N25E1	0.4600	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的					mtd3n			-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
2SA1450S-AA	0.1400	RFQ	7598	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,500
2SB808F-SPA-ON	0.0500	RFQ	35	Onmi	*	大部分	积极的					2SB808			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																-
SCH1406-TL-E-ON	0.0700	RFQ	55	Onmi	*	大部分	积极的					SCH1406			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,438																-
tig064e8-tl-h-on	0.7400	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TIG064	标准				8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000				-																-	400 v		150 a	7V @ 2.5V，100a	-		-
MMBT4403-ON	-	RFQ	4175	Onmi	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					40 V	600 MA							100NA	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
2SB560E-MP-AE	0.1500	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
SMMBFJ177LT1	-	RFQ	7165	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SK3557-7-TB-EX	-	RFQ	5703	Onmi	-	大部分	积极的	15 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			-	JFET		3-CP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		50mA		1 MA	-	-											1dB										5 v
MGY40N60D	4.8900	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
SMMBT6520LT1	0.0700	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²