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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MTB23P06VT4	-	RFQ	8051	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB23		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTB23P06VT4OS	Ear99	8541.29.0095	800		P通道				60 V	23a（23A）	10V	120MOHM @ 11.5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±15V	1620 PF @ 25 V	-	（3W）（90W（ta）（TC）
NTLUS3A90PZCTAG	-	RFQ	5342	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus3a		MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±8V	950 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
FQE10N20CTU	-	RFQ	2573	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FQE1		MOSFET （金属 o化物）		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920		n通道				200 v	4A（TC）	10V	360MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	12.8W（TC）
FQD5N20LTM	-	RFQ	2013	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5N20		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
FQP3N25	-	RFQ	4364	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FDI150N10	2.9800	RFQ	6937	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI150		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	57A（TC）	10V	16mohm @ 49a，10v	4.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BC489BZL1	-	RFQ	4646	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC489			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 100mA，1a	160 @ 100mA，2V	200MHz
CPH3212-TL-E	0.6300	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3212			900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	5 a	100NA（ICBO）	NPN	150mv @ 40mA，2a	200 @ 500mA，2V	330MHz
KSD1021YTA	-	RFQ	8323	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1021			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
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FQI9N08TU	-	RFQ	6007	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				80 V	9.3A（TC）	10V	210MOHM @ 4.65a，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
FQB55N10TM	2.4500	RFQ	3554	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB55N10		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				100 v	55A（TC）	10V	26mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	2730 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），155W（tc）
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MGSF1N03LT1	-	RFQ	9118	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MGSF1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	1.6a（ta）		100mohm @ 1.2A，10V	2.4V @ 250µA			140 pf @ 5 V	-
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NTB75N03L09T4G	-	RFQ	5739	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTB75N03L09T4GOS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道				30 V	75A（TC）	5V	8mohm @ 37.5a，5V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
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VN2410LZL1G	-	RFQ	7394	Onmi	-	（CT）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	VN2410		MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道				240 v	200ma（ta）	2.5V，10V	10ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	350MW（TC）
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DTC144EET1	-	RFQ	5102	Onmi	*	（CT）	过时的					DTC144					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
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NTD80N02	-	RFQ	6646	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD80		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				24 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	2600 PF @ 20 V	-	75W（TC）
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BCX17LT1G	0.2200	RFQ	20	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX17			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BCX17LT1GOSTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																	45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	-
FQI11P06TU	-	RFQ	7018	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道				60 V	11.4A（TC）	10V	175MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），53W（tc）
FQP10N20C	-	RFQ	2361	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	72W（TC）
J211	-	RFQ	5510	Onmi	-	大部分	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J211	-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	J211FS	Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		20mA	-	-											-
CPH3457-TL-W	-	RFQ	5363	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3457		MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 1mA	3.5 NC @ 4.5 V	±12V	265 pf @ 10 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²