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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTMFS4708NT1G | - | ![]() | 2420 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NTMFS4 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 7.8A(ta) | 4.5V,10V | 10mohm @ 11.5a,10v | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | 970 pf @ 24 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||
![]() | FCH041N65F-F085 | 14.6900 | ![]() | 5495 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,SuperFet®II | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | FCH041 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 76A(TC) | 10V | 41mohm @ 38a,10v | 5V @ 250µA | 304 NC @ 10 V | ±20V | 13566 pf @ 25 V | - | 595W(TC) | |||||||||||||
![]() | FDQ7238AS | - | ![]() | 9386 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | FDQ72 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W,1.1W | 14-Soic | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 14a,11a | 13.2MOHM @ 11A,10V | 3V @ 250µA | 24NC @ 10V | 920pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||
![]() | NDD60N550U1-1G | - | ![]() | 1968年 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | NDD60 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 600 v | 8.2A(TC) | 10V | 550MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±25V | 540 pf @ 50 V | - | 94W(TC) | ||||||||||||||
![]() | NTMFS4933NT3G | - | ![]() | 1847年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NTMFS4933 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 20A(20A),210A (TC) | 4.5V,10V | 1.2MOHM @ 30a,10v | 2.2V @ 250µA | 62.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 10930 PF @ 15 V | - | 1.06W(ta),104W(tc) | |||||||||||||
![]() | BC488BRL1 | - | ![]() | 1412 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | BC488 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 160 @ 100mA,2V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N7002W | 0.4500 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 2N7002 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-3(SOT323) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 310mA ta) | 4.5V,10V | 1.6OHM @ 50mA,5V | 2V @ 250µA | 0.7 NC @ 4.5 V | ±20V | 24.5 pf @ 20 V | - | 280MW(TJ) | |||||||||||||
![]() | MMBTA14LT1 | - | ![]() | 1490 | 0.00000000 | Onmi | - | (CT) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBTA14 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 300 MA | - | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 10mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||
![]() | FQP22N30 | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 300 v | 21a(TC) | 10V | 160MOHM @ 10.5a,10V | 5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 2200 PF @ 25 V | - | 170W(TC) | |||||||||||||
![]() | FDB8860 | 3.2900 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FDB886 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 2.3MOHM @ 80A,10V | 3V @ 250µA | 214 NC @ 10 V | ±20V | 12585 pf @ 15 V | - | 254W(TC) | |||||||||||||
![]() | NSBC143ZPDXV6T5 | - | ![]() | 8703 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | NSBC143 | 500MW | SOT-563 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 250mv @ 1mA,10mA | 80 @ 5mA,10v | - | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2N6387 | - | ![]() | 7754 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 2N6387 | 2 w | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 10 a | 1ma | npn-达灵顿 | 3V @ 100mA,10a | 1000 @ 5A,3V | - | |||||||||||||||||
![]() | NVMFS5826NLWFT1G | - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5826 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 60 V | 8a(8a) | 4.5V,10V | 24mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 850 pf @ 25 V | - | 3.6W(39W),39w(tc) | |||||||||||||
![]() | MTB23P06VT4 | - | ![]() | 8051 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MTB23 | MOSFET (金属 o化物) | D²Pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTB23P06VT4OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 60 V | 23a(23A) | 10V | 120MOHM @ 11.5A,10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±15V | 1620 PF @ 25 V | - | (3W)(90W(ta)(TC) | ||||||||||||
![]() | NTLUS3A90PZCTAG | - | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Onmi | µ -Cool™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerufdfn | ntlus3a | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfn(1.6x1.6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.6a(ta) | 1.5V,4.5V | 62MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 12.3 NC @ 4.5 V | ±8V | 950 pf @ 10 V | - | 600MW(TA) | ||||||||||||||
![]() | FQE10N20CTU | - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | FQE1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-126-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,920 | n通道 | 200 v | 4A(TC) | 10V | 360MOHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 510 pf @ 25 V | - | 12.8W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQD5N20LTM | - | ![]() | 2013 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FQD5N20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 3.8A(TC) | 5V,10V | 1.2OHM @ 1.9a,10V | 2V @ 250µA | 6.2 NC @ 5 V | ±20V | 325 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),37W(TC) | |||||||||||||
![]() | FQP3N25 | - | ![]() | 4364 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 2.8A(TC) | 10V | 2.2OHM @ 1.4A,10V | 5V @ 250µA | 5.2 NC @ 10 V | ±30V | 170 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FDI150N10 | 2.9800 | ![]() | 6937 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | FDI150 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 57A(TC) | 10V | 16mohm @ 49a,10v | 4.5V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4760 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||
![]() | BC489BZL1 | - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | BC489 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 100mA,1a | 160 @ 100mA,2V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | CPH3212-TL-E | 0.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CPH3212 | 900兆 | 3-CPH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 5 a | 100NA(ICBO) | NPN | 150mv @ 40mA,2a | 200 @ 500mA,2V | 330MHz | |||||||||||||||||
![]() | KSD1021YTA | - | ![]() | 8323 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | KSD1021 | 350兆 | TO-92S | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 120 @ 100mA,1V | 130MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NTHD5904NT3 | - | ![]() | 6827 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | NTHD59 | MOSFET (金属 o化物) | chipfet™ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 65mohm @ 3.3a,4.5V | 1.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 V | ±8V | 465 pf @ 16 V | - | 640MW(TA) | |||||||||||||
![]() | FQI9N08TU | - | ![]() | 6007 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | FQI9 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 80 V | 9.3A(TC) | 10V | 210MOHM @ 4.65a,10V | 4V @ 250µA | 7.7 NC @ 10 V | ±25V | 250 pf @ 25 V | - | 3.75W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQB55N10TM | 2.4500 | ![]() | 3554 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FQB55N10 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 55A(TC) | 10V | 26mohm @ 27.5a,10v | 4V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ±25V | 2730 PF @ 25 V | - | 3.75W(ta),155W(tc) | |||||||||||||
![]() | 2SC3332T-AA | - | ![]() | 6397 | 0.00000000 | Onmi | - | (CT) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 2SC3332 | 700兆 | 3-np | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,500 | 160 v | 700 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 400mv @ 25mA,250mA | 100 @ 100mA,5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NST856BF3T5G | 0.0658 | ![]() | 1261 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-1123 | NST856 | 290兆 | SOT-1123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 800mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | MGSF1N03LT1 | - | ![]() | 9118 | 0.00000000 | Onmi | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MGSF1 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 1.6a(ta) | 100mohm @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA | 140 pf @ 5 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | MMBT4126 | - | ![]() | 7535 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBT4126 | 350兆 | SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 200 ma | 50NA(iCBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 2mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NTB75N03L09T4G | - | ![]() | 5739 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NTB75 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | NTB75N03L09T4GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | 75A(TC) | 5V | 8mohm @ 37.5a,5V | 2V @ 250µA | 75 NC @ 5 V | ±20V | 5635 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),125W(tc) |
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