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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
NTMFS4708NT1G onsemi NTMFS4708NT1G -
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 7.8A(ta) 4.5V,10V 10mohm @ 11.5a,10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±20V 970 pf @ 24 V - 1W(ta)
FCH041N65F-F085 onsemi FCH041N65F-F085 14.6900
RFQ
ECAD 5495 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,SuperFet®II 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FCH041 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 76A(TC) 10V 41mohm @ 38a,10v 5V @ 250µA 304 NC @ 10 V ±20V 13566 pf @ 25 V - 595W(TC)
FDQ7238AS onsemi FDQ7238AS -
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) FDQ72 MOSFET (金属 o化物) 1.3W,1.1W 14-Soic 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 14a,11a 13.2MOHM @ 11A,10V 3V @ 250µA 24NC @ 10V 920pf @ 15V 逻辑级别门
NDD60N550U1-1G onsemi NDD60N550U1-1G -
RFQ
ECAD 1968年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA NDD60 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 8.2A(TC) 10V 550MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±25V 540 pf @ 50 V - 94W(TC)
NTMFS4933NT3G onsemi NTMFS4933NT3G -
RFQ
ECAD 1847年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4933 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 20A(20A),210A (TC) 4.5V,10V 1.2MOHM @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 62.1 NC @ 4.5 V ±20V 10930 PF @ 15 V - 1.06W(ta),104W(tc)
BC488BRL1 onsemi BC488BRL1 -
RFQ
ECAD 1412 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) BC488 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 100mA,1a 160 @ 100mA,2V 150MHz
2N7002W onsemi 2N7002W 0.4500
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2N7002 MOSFET (金属 o化物) SC-70-3(SOT323) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 310mA ta) 4.5V,10V 1.6OHM @ 50mA,5V 2V @ 250µA 0.7 NC @ 4.5 V ±20V 24.5 pf @ 20 V - 280MW(TJ)
MMBTA14LT1 onsemi MMBTA14LT1 -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA14 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 300 MA - npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 10000 @ 10mA,5V 125MHz
FQP22N30 onsemi FQP22N30 -
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP22 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 21a(TC) 10V 160MOHM @ 10.5a,10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 2200 PF @ 25 V - 170W(TC)
FDB8860 onsemi FDB8860 3.2900
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FDB886 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 2.3MOHM @ 80A,10V 3V @ 250µA 214 NC @ 10 V ±20V 12585 pf @ 15 V - 254W(TC)
NSBC143ZPDXV6T5 onsemi NSBC143ZPDXV6T5 -
RFQ
ECAD 8703 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 NSBC143 500MW SOT-563 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 250mv @ 1mA,10mA 80 @ 5mA,10v - 4.7kohms 47kohms
2N6387 onsemi 2N6387 -
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2N6387 2 w TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 10 a 1ma npn-达灵顿 3V @ 100mA,10a 1000 @ 5A,3V -
NVMFS5826NLWFT1G onsemi NVMFS5826NLWFT1G -
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5826 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 8a(8a) 4.5V,10V 24mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 850 pf @ 25 V - 3.6W(39W),39w(tc)
MTB23P06VT4 onsemi MTB23P06VT4 -
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MTB23 MOSFET (金属 o化物) D²Pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 MTB23P06VT4OS Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 23a(23A) 10V 120MOHM @ 11.5A,10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±15V 1620 PF @ 25 V - (3W)(90W(ta)(TC)
NTLUS3A90PZCTAG onsemi NTLUS3A90PZCTAG -
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 Onmi µ -Cool™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-Powerufdfn ntlus3a MOSFET (金属 o化物) 6-udfn(1.6x1.6) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.6a(ta) 1.5V,4.5V 62MOHM @ 4A,4.5V 1V @ 250µA 12.3 NC @ 4.5 V ±8V 950 pf @ 10 V - 600MW(TA)
FQE10N20CTU onsemi FQE10N20CTU -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 FQE1 MOSFET (金属 o化物) TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,920 n通道 200 v 4A(TC) 10V 360MOHM @ 2A,10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 510 pf @ 25 V - 12.8W(TC)
FQD5N20LTM onsemi FQD5N20LTM -
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD5N20 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 3.8A(TC) 5V,10V 1.2OHM @ 1.9a,10V 2V @ 250µA 6.2 NC @ 5 V ±20V 325 pf @ 25 V - 2.5W(TA),37W(TC)
FQP3N25 onsemi FQP3N25 -
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 2.8A(TC) 10V 2.2OHM @ 1.4A,10V 5V @ 250µA 5.2 NC @ 10 V ±30V 170 pf @ 25 V - 45W(TC)
FDI150N10 onsemi FDI150N10 2.9800
RFQ
ECAD 6937 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA FDI150 MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 57A(TC) 10V 16mohm @ 49a,10v 4.5V @ 250µA 69 NC @ 10 V ±20V 4760 pf @ 25 V - 110W(TC)
BC489BZL1 onsemi BC489BZL1 -
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) BC489 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 MA 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 100mA,1a 160 @ 100mA,2V 200MHz
CPH3212-TL-E onsemi CPH3212-TL-E 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CPH3212 900兆 3-CPH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 5 a 100NA(ICBO) NPN 150mv @ 40mA,2a 200 @ 500mA,2V 330MHz
KSD1021YTA onsemi KSD1021YTA -
RFQ
ECAD 8323 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 KSD1021 350兆 TO-92S 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 100mA,1a 120 @ 100mA,1V 130MHz
NTHD5904NT3 onsemi NTHD5904NT3 -
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 NTHD59 MOSFET (金属 o化物) chipfet™ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 2.5a(ta) 2.5V,4.5V 65mohm @ 3.3a,4.5V 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±8V 465 pf @ 16 V - 640MW(TA)
FQI9N08TU onsemi FQI9N08TU -
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA FQI9 MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 9.3A(TC) 10V 210MOHM @ 4.65a,10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±25V 250 pf @ 25 V - 3.75W(ta),40W(TC)
FQB55N10TM onsemi FQB55N10TM 2.4500
RFQ
ECAD 3554 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FQB55N10 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 55A(TC) 10V 26mohm @ 27.5a,10v 4V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±25V 2730 PF @ 25 V - 3.75W(ta),155W(tc)
2SC3332T-AA onsemi 2SC3332T-AA -
RFQ
ECAD 6397 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2SC3332 700兆 3-np 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,500 160 v 700 MA 100NA(ICBO) NPN 400mv @ 25mA,250mA 100 @ 100mA,5V 120MHz
NST856BF3T5G onsemi NST856BF3T5G 0.0658
RFQ
ECAD 1261 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-1123 NST856 290兆 SOT-1123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 800mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
MGSF1N03LT1 onsemi MGSF1N03LT1 -
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MGSF1 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 1.6a(ta) 100mohm @ 1.2A,10V 2.4V @ 250µA 140 pf @ 5 V -
MMBT4126 onsemi MMBT4126 -
RFQ
ECAD 7535 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT4126 350兆 SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 200 ma 50NA(iCBO) PNP 400mv @ 5mA,50mA 120 @ 2mA,1V 250MHz
NTB75N03L09T4G onsemi NTB75N03L09T4G -
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NTB75 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 NTB75N03L09T4GOS Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 75A(TC) 5V 8mohm @ 37.5a,5V 2V @ 250µA 75 NC @ 5 V ±20V 5635 pf @ 25 V - 2.5W(ta),125W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库