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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BDV64BG	3.0100	RFQ	207	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	BDV64			125 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30															100 v	10 a								1ma			pnp-达灵顿	2V @ 20mA，5a	1000 @ 5A，4V	-
BD235STU	-	RFQ	3145	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD235			25 w		TO-126-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60															60 V	2 a								100µA（ICBO）			NPN	600mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，2V	3MHz
2N4234	-	RFQ	4439	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N423			6 W		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100															40 V	1 a								-			PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
NVMFS020N06CT1G	0.6500	RFQ	9796	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS020		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS020N06CT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	（9a）（28a）（28a tc）	10V	19.6mohm @ 4A，10V	4V @ 20µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 30 V	-	3.4W（TA），31W（tc）
FGD3440G2-F085	2.7300	RFQ	9935	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD3440	逻辑		166 w		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			300V，6.5a，1KOHM，5V											-	400 v	26.9 a	1.2V @ 4V，6A	-	24 NC	- /5.3µs
FQP2N40-F080	-	RFQ	7600	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		400 v	1.8A（TC）	10V	5.8OHM @ 900mA，10V	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	40W（TA）
NTMFS4833NST1G	-	RFQ	2606	Onmi	Sensefet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			so-8fl	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	16A（16A），156A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	86 NC @ 11.5 V	±20V	5250 pf @ 12 V	-	900MW（TA），86.2W（tc）
2SJ266-DL-E	0.8200	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
NDT01N60T1G	-	RFQ	1158	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT01		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	400mA（TC）	10V	8.5ohm @ 200mA，10v	3.7V @ 50µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
MTD20P03HDLT4G	-	RFQ	2854	Onmi	*		过时的				MTD20						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
FQP22P10	-	RFQ	9258	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		100 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	125W（TC）
KSC945GBU	-	RFQ	9516	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC945			250兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															50 V	150 ma								100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
FCP9N60N-F102	-	RFQ	1053	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCP9N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	1240 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
SFW9530TM	-	RFQ	9212	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SFW953		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	10.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1035 PF @ 25 V	-	3.8W（66w（ta）（TC）
BC635_D27Z	-	RFQ	1427	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC635			1 w		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000															45 v	1 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
NSCT2907ALT1G	-	RFQ	9290	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSCT29			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															60 V	600 MA								10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BUH50	-	RFQ	8734	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUH50			50 W		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															500 v	4 a								100µA			NPN	1V @ 1a，3a	5 @ 2a，5v	4MHz
FQD7P06TM	-	RFQ	5100	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7P06		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		60 V	5.4A（TC）	10V	451MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
PN4117A	-	RFQ	9766	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN4117			350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道									3pf @ 10V										40 V	30 µA @ 10 V	600 mv @ 1 na
FDB86563-F085	3.8700	RFQ	4845	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB86563		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	110A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	163 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 30 V	-	333W（TC）
KSA708CYBU	-	RFQ	2192	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA708			800兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000															60 V	700 MA								100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
fdn339an_g	-	RFQ	6401	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN339		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	35mohm @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	700 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FMG2G100US60	-	RFQ	5158	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG2			400 w	标准	7 pm-ga	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥													-	600 v	100 a	2.8V @ 15V，100a							250 µA	不	10.84 NF @ 30 V
2n3904nlbu	-	RFQ	1103	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N3904			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															40 V	200 ma								-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC635_L34Z	-	RFQ	6301	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC635			1 w		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000															45 v	1 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BDW93CFTU	-	RFQ	3933	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW93			80 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000															100 v	12 a								1ma			npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
BC559BU	-	RFQ	8035	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559			500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															30 V	100 ma								15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
FQD13N10LTF	-	RFQ	1539年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	10A（TC）	5V，10V	180MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MPSA29	0.4600	RFQ	30	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA29			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															100 v	800 MA								500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2N3904_D27ZS00Z	-	RFQ	6026	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3904			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															40 V	200 ma								-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²