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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MJF18002	1.0000	RFQ	1699年	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NVMFS9D6P04M8LT1G	0.6510	RFQ	3102	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS9	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS9D6P04M8LT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道		40 V	17.1a（ta），77a（tc）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.4V @ 580µA	14.47 NC @ 10 V	±20V	2002 PF @ 20 V	-	3.7W（ta），75W（tc）
MUN2233T1G	0.1700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2233		230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
BDX34C	-	RFQ	9107	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX34		70 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														100 v	10 a	500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
MUN5316DW1T1	-	RFQ	8518	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN53		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	-
FJPF5321TU	-	RFQ	8265	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF53		40 W	TO-220F-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														500 v	5 a	100µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	14MHz
BD37610STU	-	RFQ	4038	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD376		25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60														45 v	2 a	2µA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	-
NSVB144EPDXV6T1G	-	RFQ	7244	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVB14		500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000														50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
DTA114TXV3T1G	-	RFQ	5850	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA114		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		10 kohms
2N6724	-	RFQ	8765	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-237AA	2N6724		1 w	TO-237	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000														40 V	1 a	-	npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	4000 @ 1A，5V	-
NTMS4503NSR2G	0.4830	RFQ	8264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS45	-		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		-			-		-	-				-	-
mps6602g	-	RFQ	7009	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS660		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	mps6602gos	Ear99	8541.21.0075	5,000														40 V	1 a	100NA	NPN	600mv @ 100mA，1a	50 @ 500mA，1V	100MHz
BD1396STU	-	RFQ	7061	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139		1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920														80 V	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
MMBTH81	0.3300	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTH81		225MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			-											20V	50mA		PNP		60 @ 5mA，10v	600MHz			-
RFD16N05SM9A	1.3100	RFQ	2404	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD16N05	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FJX733YTF	-	RFQ	2267	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX733		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
mje181stu	0.6100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE181		1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920														60 V	3 a	100µA（ICBO）	NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
BUH51	-	RFQ	2155	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BUH51		50 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500														500 v	3 a	100µA	NPN	500mv @ 200mA，1a	8 @ 1a，1V	23MHz
NVMFS4C302NT1G	2.7300	RFQ	5031	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	43a（ta），241a（tc）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	5780 pf @ 15 V	-	3.75W（ta），115W（tc）
FDJ129P	-	RFQ	6932	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75-6 FLMP	FDJ129	MOSFET （金属 o化物）		SC75-6 FLMP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 4.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	780 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
mje171stu	-	RFQ	7693	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE171		1.5 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60														60 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
BC307BZL1G	-	RFQ	8416	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC307		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														45 v	100 ma	15NA	PNP	250mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	280MHz
KSC2682OS	-	RFQ	7349	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC2682		1.2 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250														180 v	100 ma	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	200MHz
BSR18A_D87Z	-	RFQ	5203	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR18		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														40 V	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
NTHD4N02FT1G	-	RFQ	4908	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	nthd4n	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2.9a（TJ）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	910MW（TJ）
PN3638_J05Z	-	RFQ	9269	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN363		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500														25 v	800 MA	35na	PNP	1V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，2V	-
NSVUMC3NT1G	0.1151	RFQ	5015	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	NSVUMC3		150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVUMC3NT1GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
NTMFS5C456NLT3G	-	RFQ	1089	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	87A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），55W（tc）
FDC6303N	0.4600	RFQ	4965	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6303	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	680mA		450MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		50pf @ 10V	逻辑级别门
KSC2784FTA	-	RFQ	6407	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2784		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														120 v	50 mA	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	300 @ 1mA，6v	110MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²