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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
mje171stu	-	RFQ	7693	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE171			1.5 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																60 V	3 a						100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
BC307BZL1G	-	RFQ	8416	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC307			350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	100 ma						15NA	PNP	250mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	280MHz
KSC2682OS	-	RFQ	7349	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC2682			1.2 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250																180 v	100 ma						1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	200MHz
BSR18A_D87Z	-	RFQ	5203	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR18			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																40 V	200 MA						50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
NTHD4N02FT1G	-	RFQ	4908	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	nthd4n		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2.9a（TJ）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	910MW（TJ）
PN3638_J05Z	-	RFQ	9269	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN363			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500																25 v	800 MA						35na	PNP	1V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，2V	-
NSVUMC3NT1G	0.1151	RFQ	5015	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	NSVUMC3			150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVUMC3NT1GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
NTMFS5C456NLT3G	-	RFQ	1089	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	87A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），55W（tc）
FDC6303N	0.4600	RFQ	4965	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6303		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	680mA		450MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		50pf @ 10V	逻辑级别门
KSC2784FTA	-	RFQ	6407	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2784			300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																120 v	50 mA						50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	300 @ 1mA，6v	110MHz
NGTB50N65FL2WG	6.6500	RFQ	33	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB50	标准		417 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，10ohm，15V											94 ns	沟渠场停止	650 v	100 a	200 a	2V @ 15V，50a	1.5mj（在）上，460µJ off）	220 NC	100NS/237NS
50C02SS-TL-E	0.3700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-81	50C02			200兆	3-SSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																50 V	400 MA						100NA（ICBO）	NPN	100mV @ 10mA，100mA	300 @ 10mA，2V	500MHz
NILMS4501NR2	-	RFQ	1862年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	4-DFN	NILMS45		MOSFET （金属 o化物）		4-PLLP（6.2x5.2）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		24 V	9.5A（TA）	10V	13mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±10V	1500 pf @ 6 V	电流感应	1.4W（TA）
FDP047AN08A0	3.4800	RFQ	1957年	Onmi	PowerTrench®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP047		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
mpsw05g	-	RFQ	3535	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW05			1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000																60 V	500 MA						500NA	NPN	400mv @ 10mA，250mA	60 @ 250mA，1V	50MHz
KSB1366G	-	RFQ	3740	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB13			2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																60 V	3 a						100µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	150 @ 500mA，5V	9MHz
NSBC143ZDXV6T5G	-	RFQ	3878	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC143			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
MC1413DG	-	RFQ	6378	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MC1413D			-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48																50V	500mA						-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
BF720T1	-	RFQ	1601	Onmi	*	（CT）	过时的				BF720					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
NJVMJD350T4G	0.6900	RFQ	9025	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD350			1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																300 v	500 MA						100µA	PNP	1V @ 10mA，100mA	30 @ 50mA，10v	10MHz
PN2222_J61Z	-	RFQ	2950	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN2222			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500																30 V	600 MA						10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
NDT452P	-	RFQ	6414	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT452		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	3A（3A）		180MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V		525 pf @ 10 V	-
P2N2907ARL1G	-	RFQ	5321	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	P2N290			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	600 MA						10NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
MCH6445-TL-E	-	RFQ	9071	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH64		MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	4A（ta）		78MOHM @ 2A，10V	-	10 NC @ 10 V		505 pf @ 20 V	-
MJE5742	-	RFQ	3328	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE57			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE5742OS	Ear99	8541.29.0095	50																400 v	8 a						-	npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 2a，5v	-
2SD734E	0.2700	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-2SD734E-488			1
NTP095N65S3HF	6.4400	RFQ	1669年	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP095		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	36a（TC）	10V	95mohm @ 18a，10v	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	2930 PF @ 400 V	-	272W（TC）
BC849BLT3	-	RFQ	6595	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC849			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
CPH3215-TL-E	0.4400	RFQ	607	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH3215			900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	1.5 a						100NA（ICBO）	NPN	225mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	500MHz
NJVNJD1718T4G	0.3278	RFQ	5689	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVNJD1718			1.68 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																50 V	2 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	80MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²