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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
KSC5502DTM onsemi KSC5502DTM 0.9700
RFQ
 ECAD 7161 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 KSC5502 50 W TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 600 v 2 a 100µA NPN 1.5V @ 200mA，1a 4 @ 1a，1V 11MHz
BD242C onsemi BD242C -
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 BD242 40 W TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 3 a 300µA PNP 1.2V @ 600mA，3a 25 @ 1A，4V 3MHz
NVMFS5C628NWFT1G onsemi NVMFS5C628NWFT1G 2.9500
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NVMFS5 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 28a（28a），150a（tc） 10V 3mohm @ 27a，10v 4V @ 135µA 34 NC @ 10 V ±20V 2630 PF @ 30 V - 3.7W（TA），110W（TC）
NIF9N05CLT1 onsemi NIF9N05CLT1 -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA NIF9N05 MOSFET （金属 o化物） SOT-223（TO-261） 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 52 v 2.6a（ta） 3V，10V 125mohm @ 2.6a，10v 2.5V @ 100µA 7 NC @ 4.5 V ±15V 250 pf @ 35 V - 1.69W（TA）
FJV4106RMTF onsemi FJV4106RMTF -
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FJV410 200兆 SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 200 MHz 10 kohms 47科姆斯
TIG062E8-TL-H onsemi TIG062E8-TL-H -
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TIG062 标准 8-ech 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - - 400 v 150 a 8V @ 3V，100A - -
BC327TFR onsemi BC327TFR -
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC327 625兆 TO-92-3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V 100MHz
BC848BPDW1T1 onsemi BC848BPDW1T1 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BCX71K_D87Z onsemi BCX71K_D87Z -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCX71 350兆 SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 20NA PNP 550mv @ 1.25mA，50mA 380 @ 2mA，5V -
NTD4856N-35G onsemi NTD4856N-35G -
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK NTD48 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 13.3a（ta），89a （TC） 4.5V，10V 4.7mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 V ±20V 2241 PF @ 12 V - 1.33W（TA），60W（TC）
FDBL0240N100 onsemi FDBL0240N100 6.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powersfn FDBL0240 MOSFET （金属 o化物） 8-hpsof 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 210a（TC） 10V 2.8mohm @ 80a，10v 4V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 8755 pf @ 50 V - 3.5W（300W），300W tc）
TIP112G onsemi TIP112G 1.0100
RFQ
 ECAD 6822 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 提示112 2 w TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2mA npn-达灵顿 2.5V @ 8mA，2a 1000 @ 1A，4V -
2SD1111 onsemi 2SD1111 0.4400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1
BC637_L34Z onsemi BC637_L34Z -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC637 1 w TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 60 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，2V 100MHz
FDY102PZ onsemi FDY102PZ 0.4900
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 FDY102 MOSFET （金属 o化物） SC-89-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 830mA ta） 1.5V，4.5V 500MOHM @ 830mA，4.5V 1V @ 250µA 3.1 NC @ 4.5 V ±8V 135 pf @ 10 V - 625MW（TA）
FDD86580-F085 onsemi FDD86580-F085 0.4909
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FDD86580 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 50A（TC） 10V 19mohm @ 50a，10v 4.2V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1430 pf @ 30 V - 75W（TJ）
FJAF6808DTU onsemi FJAF6808DTU -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 FJAF6808 50 W to-3pf 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 750 v 8 a 1ma NPN 5V @ 1.2A，5A 4.5 @ 5A，5V -
BD677AS-ON onsemi BD677AS-ON -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 40 W TO-126-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 686 60 V 4 a 500µA npn-达灵顿 2.8V @ 40mA，2a 750 @ 2a，3v -
KSD401G onsemi KSD401G -
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSD401 25 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1200 150 v 2 a 50µA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 200 @ 400mA，10V 5MHz
KSC815OBU onsemi KSC815OBU -
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） KSC815 400兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 200 ma 100NA（ICBO） NPN 400mv @ 15mA，150mA 70 @ 50mA，1V 200MHz
NTD3055L104G onsemi NTD3055L104G -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NTD30 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 12a（12a） 5V 104mohm @ 6a，5v 2V @ 250µA 20 nc @ 5 V ±15V 440 pf @ 25 V - 1.5W（ta），48W（tj）
BC557CG onsemi BC557CG -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 BC557 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 ma 100NA PNP 650mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 320MHz
2SA1706T-AN onsemi 2SA1706T-AN -
RFQ
 ECAD 1638年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SA1706 1 w 3-nmp 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 50 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 700mv @ 50mA，1a 200 @ 100mA，2V 150MHz
BC327-025G onsemi BC327-025G -
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 BC327 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 160 @ 100mA，1V 260MHz
SMUN5131DW1T1G onsemi SMUN5131DW1T1G 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 Smun5131 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 250mv @ 5mA，10mA 8 @ 5mA，10v - 2.2kohms 2.2kohms
FQB7N60TM-WS onsemi FQB7N60TM-WS -
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB FQB7 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 600 v 7.4A（TC） 10V 1欧姆 @ 3.7A，10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1430 pf @ 25 V - 3.13W（ta），142W（tc）
BUL642D2G onsemi Bul642d2g -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 Bul64 75 w TO-220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 440 v 3 a 200µA NPN 1.5V @ 200mA，2a 16 @ 500mA，1V 13MHz
FJC1308PTF onsemi FJC1308PTF -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA FJC13 500兆 SOT-89-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 30 V 3 a 500NA PNP 450mv @ 150mA，1.5a 80 @ 500mA，2V -
2SD1063R onsemi 2SD1063R -
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 215
2SC6043-AE onsemi 2SC6043-AE -
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 Onmi - （CT） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） 2SC6043 1 w TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 300mv @ 50mA，1a 200 @ 100mA，2V 420MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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