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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTB75N06G	-	RFQ	6324	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	75a（ta）	10V	9.5MOHM @ 37.5A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	2.4W（214W）（214W tj）
NVLJD4007NZTAG	-	RFQ	6549	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NVLJD4007	MOSFET （金属 o化物）	755MW	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	245mA		7ohm @ 125mA，4.5V	1.5V @ 100µA	0.75nc @ 4.5V		20pf @ 5V	逻辑级别门
FQPF2NA90	-	RFQ	4212	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	5.8ohm @ 850mA，10v	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	39W（TC）
NSV40501UW3T2G	0.2254	RFQ	8866	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-WDFN暴露垫	NSV405		875 MW	3-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	5 a				100NA（ICBO）		NPN	150MV @ 400mA，4a	200 @ 2a，2v	150MHz
HRFZ44N	-	RFQ	7719	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HRFZ4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	HRFZ44N-NDR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	49A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	120W（TC）
NDS8435	-	RFQ	5967	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS843	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	7a（ta）		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V		1500 pf @ 15 V	-
TF410-TL-HX	-	RFQ	3341	Onmi	-	大部分	过时的				TF410				下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
FDS6673AZ	-	RFQ	1021	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	4480 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
J176	-	RFQ	3898	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J176		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	J176F	Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道								-					30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na		250欧姆
NTD4959NHT4G	-	RFQ	3345	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 11.5 V	±20V	2155 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
NVGS3130NT1G	0.5028	RFQ	9967	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NVGS3130	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 5.6A，4.5V	1.4V @ 250µA	20.3 NC @ 4.5 V	±8V	935 PF @ 16 V	-	600MW（TA）
NDT02N40T1G	-	RFQ	5374	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT02	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	400mA（TC）	10V	5.5OHM @ 220mA，10V	2V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	121 pf @ 25 V	-	2W（TC）
EFC2J017NUZTDG	-	RFQ	8684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP	EFC2J017	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	6-WLCSP（（1.77x3.05）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	1.3V @ 1mA	95nc @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
NTMS3P03R2	-	RFQ	1714年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS3P	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	30 V	2.34A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.05a，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 24 V	-	730MW（TA）
FDB28N30TM	2.2100	RFQ	5014	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FDB28N30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	28a（TC）	10V	129MOHM @ 14A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	250W（TC）
SBC847BWT1G	0.4200	RFQ	6324	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC847		150兆	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma				15NA（icbo）		NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
CPH6901-TL-E	-	RFQ	1040	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTR2101PT1	-	RFQ	7935	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3.7a（ta）	1.8V，4.5V	52MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	1173 PF @ 4 V	-	960MW（TA）
BC817-16LT1	-	RFQ	7268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA				100NA（ICBO）		NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
MJF18002	1.0000	RFQ	1699年	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NVMFS9D6P04M8LT1G	0.6510	RFQ	3102	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS9	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS9D6P04M8LT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道	40 V	17.1a（ta），77a（tc）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.4V @ 580µA	14.47 NC @ 10 V	±20V	2002 PF @ 20 V	-	3.7W（ta），75W（tc）
MUN2233T1G	0.1700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2233		230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma				500NA		npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
BDX34C	-	RFQ	9107	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX34		70 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													100 v	10 a				500µA		pnp-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
MUN5316DW1T1	-	RFQ	8518	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN53		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA				500NA		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	-
FJPF5321TU	-	RFQ	8265	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF53		40 W	TO-220F-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													500 v	5 a				100µA（ICBO）		NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	14MHz
BD37610STU	-	RFQ	4038	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD376		25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60													45 v	2 a				2µA（ICBO）		PNP	1V @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	-
NSVB144EPDXV6T1G	-	RFQ	7244	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVB14		500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA				500NA		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
DTA114TXV3T1G	-	RFQ	5850	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	DTA114		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma				500NA		pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		10 kohms
2N6724	-	RFQ	8765	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-237AA	2N6724		1 w	TO-237	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													40 V	1 a				-		npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	4000 @ 1A，5V	-
NTMS4503NSR2G	0.4830	RFQ	8264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS45	-		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		-		-		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²