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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQPF27P06	2.1300	RFQ	2125	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF27	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	17a（TC）	10V	70MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	47W（TC）
NTLGF3501NT1G	-	RFQ	6688	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	NTLGF35	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN （3x3）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.4A，4.5V	2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	275 PF @ 10 V	-	1.14W（TA）
FQPF13N50	-	RFQ	5177	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
NDC7002N_SB9G007	-	RFQ	6205	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NDC7002	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		50V	510mA		2ohm @ 510mA，10v	2.5V @ 250µA	1NC @ 10V		20pf @ 25V	逻辑级别门
MTB75N05HDT4	-	RFQ	5457	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	MTB75	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTB75N05HDT4OS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	50 V	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
NTMFS005P03P8ZT1G	-	RFQ	2078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS005P03P8ZT1GTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	15.3A（TA），164a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 22A，10V	3V @ 250µA	112 NC @ 4.5 V	±25V	7880 pf @ 15 V	-	900MW（TA），104W（tc）
FJB102TM	1.2300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FJB102		80 W	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800													100 v	8 a	50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
BSR18A	-	RFQ	9921	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR18		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 MA	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
DTA143T	0.0200	RFQ	65	Onmi	*	大部分	积极的				DTA143				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
MPS8099G	-	RFQ	8592	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS809		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													80 V	500 MA	100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
NTRV4101PT1G	0.6300	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTRV4101	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.8A（ta）	1.8V，4.5V	85mohm @ 1.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	675 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
FDW2601NZ	-	RFQ	1453	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW26	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水		30V	8.2a		15mohm @ 8.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	30nc @ 4.5V		1840pf @ 15V	逻辑级别门
HUF76619D3S	-	RFQ	2918	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
FQB1P50TM	1.4000	RFQ	5732	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB1P50	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	500 v	1.5A（TC）	10V	10.5ohm @ 750mA，10v	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），63W（tc）
NTHL040N120SC1	24.5000	RFQ	750	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL040	sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1781 PF @ 800 V	-	348W（TC）
NTHL022N120M3S	36.1500	RFQ	445	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL022N120M3S	Ear99	8541.29.0095	450		n通道	1200 v	68A（TC）	18V	30mohm @ 40a，18v	4.4V @ 20mA	139 NC @ 18 V	+22V，-10V	3130 PF @ 800 V	-	352W（TC）
FDMS3572	2.7900	RFQ	7477	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS35	MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	8.8a（ta），22a（tc）	6V，10V	16.5MOHM @ 8.8A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 40 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
FDMS86201	2.5900	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	120 v	11.6a（ta），49a（tc）	6V，10V	11.5MOHM @ 11.6a，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2735 PF @ 60 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
FDPC8013S	2.3800	RFQ	4	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDPC8013	MOSFET （金属 o化物）	800MW，900MW	PowerClip-33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	13a，26a		6.4mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 10V		827pf @ 15V	逻辑级别门
NVD5863NLT4G	-	RFQ	3394	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD586	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	14.9a（ta），82a（tc）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 41A，10V	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），96W（tc）
NTJS4151PT1G	0.4100	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJS4151	MOSFET （金属 o化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.3a（ta）	1.8V，4.5V	60mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	850 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FDD6696	-	RFQ	1773年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD669	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±16V	1715 PF @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
FDMS86200DC	4.6100	RFQ	6873	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86200	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	9.3A（ta），28a tc）	6V，10V	17mohm @ 9.3a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2955 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），125W（tc）
NDB7050	-	RFQ	1683年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NDB705	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	50 V	75A（TC）		13mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V		3600 PF @ 25 V	-
FQA11N90C-F109	-	RFQ	3898	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA11	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	11A（TC）	10V	1.1OHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	300W（TC）
NVMFS6B03NT3G	-	RFQ	4918	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	145a（TC）	10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±16V	4200 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），198W（TC）
FDP050AN06A0	3.0400	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP050	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	18A（18A），80A（80A）（TC）	6V，10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	245W（TC）
NVMFS5C404NLT1G	-	RFQ	8079	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	49A（ta），352a （TC）	4.5V，10V	0.75MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12168 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
NTB30N06LT4G	-	RFQ	7681	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NTB30	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTB30N06LT4GOS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	30a（TA）	5V	46mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1150 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
FDWS86368-F085	2.3400	RFQ	8928	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDWS86368	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	80A（TC）	10V	4.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4350 PF @ 40 V	-	214W（TJ）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²