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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
NTJD4105CT2 onsemi NTJD4105CT2 -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
KST4124MTF onsemi KST4124MTF -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 KST41 350兆 SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 200 MA 50NA（iCBO） NPN 300mv @ 5mA，50mA 120 @ 2mA，1V 300MHz
NGTD13T120F2WP onsemi NGTD13T120F2WP -
RFQ
 ECAD 6873 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 死 标准 晶圆 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 488-NGTD13T120F2WP Ear99 8541.29.0095 1 - 沟渠场停止 1200 v 60 a 2.4V @ 15V，15a - -
MCH6336-TL-W onsemi MCH6336-TL-W -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MCH6336 MOSFET （金属 o化物） SC-88FL/MCPH6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5A（5A） 1.8V，4.5V 43mohm @ 3A，4.5V 1.4V @ 1mA 6.9 NC @ 4.5 V ±10V 660 pf @ 6 V - 1.5W（TA）
MJE3439G onsemi MJE3439G -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 MJE3439 15 W TO-126 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 350 v 300 MA 20µA NPN 500mv @ 4mA，50mA 15 @ 20mA，10v 15MHz
PN100RM onsemi PN100RM -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） PN100 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 500 MA 50NA NPN 400mv @ 20mA，200mA 100 @ 150mA，5V 250MHz
FDMS7670 onsemi FDMS7670 1.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS76 MOSFET （金属 o化物） 8-pqfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FDMS7670TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 21a（21A），42a（tc（TC） 4.5V，10V 3.8mohm @ 21a，10v 3V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 4105 PF @ 15 V - 2.5W（TA），62W（TC）
NTMFS4927NT1G onsemi NTMFS4927NT1G 0.6200
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 ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NTMFS4927 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 7.9a（ta），38a tc） 4.5V，10V 7.3mohm @ 30a，10v 2.2V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 913 PF @ 15 V - （920MW）（TA），20.8W tc）
FQA35N40 onsemi FQA35N40 -
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA3 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 400 v 35A（TC） 10V 105MOHM @ 17.5A，10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±30V 5600 pf @ 25 V - 310W（TC）
2N5550RLRPG onsemi 2n5550rlrpg -
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） 2N5550 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 140 v 600 MA 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 5mA，50mA 60 @ 10mA，5V 300MHz
BCX599_D26Z onsemi BCX599_D26Z -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BCX599 TO-92-3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 - NPN - - -
KSC1173YTSTU onsemi KSC1173Ytstu -
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSC1173 10 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 30 V 3 a 1µA（ICBO） NPN 800mv @ 200mA，2a 120 @ 500mA，2V 100MHz
NVMFS5C673NLAFT1G onsemi NVMFS5C673NLAFT1G 1.5000
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NVMFS5 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 50A（TC） 4.5V，10V 9.2MOHM @ 25A，10V 2V @ 35µA 9.5 NC @ 10 V ±20V 880 pf @ 25 V - 46W（TC）
FDFMA3N109 onsemi FDFMA3N109 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDFMA3 MOSFET （金属 o化物） 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 2.9a（TC） 2.5V，4.5V 123mohm @ 2.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 V ±12V 220 pf @ 15 V Schottky 二极管（孤立） 1.5W（TA）
NDT3055L onsemi NDT3055L 0.8900
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA NDT3055 MOSFET （金属 o化物） SOT-223-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 4A（ta） 4.5V，10V 100mohm @ 4A，10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 345 pf @ 25 V - （3W）（TA）
FQU13N10TU onsemi FQU13N10TU -
RFQ
 ECAD 1271 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA FQU1 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,040 n通道 100 v 10A（TC） 10V 180MOHM @ 5A，10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±25V 450 pf @ 25 V - 2.5W（TA），40W（TC）
NXH020F120MNF1PTG onsemi NXH020F120MNF1PTG 177.7400
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH020 MOSFET （金属 o化物） 119W（TJ） 22-PIM （33.8x42.5） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH020F120MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 51A（TC） 30mohm @ 50a，20v 4.3V @ 20mA 213.5nc @ 20V 2420pf @ 800V -
NSVDTA143EM3T5G onsemi NSVDTA143EM3T5G 0.0813
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 NSVDTA143 260兆 SOT-723 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 2832-NSVDTA143EM3T5GTR Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 15 @ 5mA，10v 4.7科姆斯 4.7科姆斯
SBC846ALT1G onsemi sbc846alt1g 0.3100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SBC846 300兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 100MHz
FDG6306P onsemi FDG6306P 0.6000
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6306 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 600mA 420MOHM @ 600mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2NC @ 4.5V 114pf @ 10V 逻辑级别门
FJV3115RMTF onsemi FJV3115RMTF -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FJV311 200兆 SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
NTTFS4C05NTWG onsemi NTTFS4C05NTWG 1.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS4 MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V （12a）（ta），75a tc（TC） 4.5V，10V 3.6mohm @ 30a，10v 2.2V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1988 pf @ 15 V - 820MW（TA），33W（tc）
NTHD4N02FT1 onsemi NTHD4N02FT1 -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 nthd4n MOSFET （金属 o化物） chipfet™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTHD4N02FT1OS Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.9a（TJ） 2.5V，4.5V 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 4 NC @ 4.5 V ±12V 300 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 910MW（TJ）
MPSA06RLRMG onsemi mpsa06rlrmg -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Onmi - （CT） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MPSA06 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10mA，100mA 100 @ 100mA，1V 100MHz
FJX4004RTF onsemi FJX4004RTF -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-70，SOT-323 FJX400 200兆 SOT-323 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 200 MHz 47科姆斯 47科姆斯
FDD86250-F085 onsemi FDD86250-F085 2.2700
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FDD86250 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 50A（TC） 10V 22mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 75 V - 160W（TJ）
BUV26G onsemi BUV26G -
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 BUV26 85 w TO-220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 90 v 20 a - NPN 1.5V @ 1.2a，12a - -
MUN5211DW1T1 onsemi MUN5211DW1T1 -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Onmi - （CT） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MUN52 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 250mv @ 300µA，10mA 35 @ 5mA，10v - 10KOHMS 10KOHMS
FQD12N20TM onsemi FQD12N20TM -
RFQ
 ECAD 4112 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FQD12N20 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 9A（TC） 10V 280MOHM @ 4.5A，10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 910 PF @ 25 V - 2.5W（TA），55W（tc）
FDD120AN15A0-F085 onsemi FDD120AN15A0-F085 1.5100
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 ECAD 160 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FDD120 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 14A（TC） 10V 120MOHM @ 4A，10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 743 PF @ 25 V - 65W（TC）
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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