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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NVMFS5C673NLAFT1G	1.5000	RFQ	2056	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 35µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	46W（TC）
FDFMA3N109	-	RFQ	8762	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDFMA3	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	2.9a（TC）	2.5V，4.5V	123mohm @ 2.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	3 NC @ 4.5 V	±12V	220 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA）
NDT3055L	0.8900	RFQ	8502	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT3055	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	60 V	4A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 4A，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
FQU13N10TU	-	RFQ	1271	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	100 v	10A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
NXH020F120MNF1PTG	177.7400	RFQ	2861	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH020	MOSFET （金属 o化物）	119W（TJ）	22-PIM （33.8x42.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH020F120MNF1PTG	Ear99	8541.29.0095	28	4（n n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	51A（TC）		30mohm @ 50a，20v	4.3V @ 20mA	213.5nc @ 20V		2420pf @ 800V	-
NSVDTA143EM3T5G	0.0813	RFQ	8990	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	NSVDTA143		260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVDTA143EM3T5GTR	Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
sbc846alt1g	0.3100	RFQ	32	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBC846		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
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NTHD4N02FT1	-	RFQ	5829	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	nthd4n	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTHD4N02FT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.9a（TJ）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	910MW（TJ）
mpsa06rlrmg	-	RFQ	9964	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA06		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													80 V	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
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FDD86250-F085	2.2700	RFQ	3178	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86250	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 75 V	-	160W（TJ）
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FQD12N20TM	-	RFQ	4112	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
FDD120AN15A0-F085	1.5100	RFQ	160	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	14A（TC）	10V	120MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	743 PF @ 25 V	-	65W（TC）
FQPF27P06	2.1300	RFQ	2125	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF27	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	17a（TC）	10V	70MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	47W（TC）
NTLGF3501NT1G	-	RFQ	6688	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	NTLGF35	MOSFET （金属 o化物）		6-DFN （3x3）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.4A，4.5V	2V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	275 PF @ 10 V	-	1.14W（TA）
FQPF13N50	-	RFQ	5177	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
NDC7002N_SB9G007	-	RFQ	6205	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NDC7002	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		50V	510mA		2ohm @ 510mA，10v	2.5V @ 250µA	1NC @ 10V		20pf @ 25V	逻辑级别门
MTB75N05HDT4	-	RFQ	5457	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB75	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTB75N05HDT4OS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	50 V	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
NTMFS005P03P8ZT1G	-	RFQ	2078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS005P03P8ZT1GTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	15.3A（TA），164a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 22A，10V	3V @ 250µA	112 NC @ 4.5 V	±25V	7880 pf @ 15 V	-	900MW（TA），104W（tc）
FJB102TM	1.2300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FJB102		80 W	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800													100 v	8 a	50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
BSR18A	-	RFQ	9921	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR18		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 MA	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
DTA143T	0.0200	RFQ	65	Onmi	*	大部分	积极的				DTA143				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
MPS8099G	-	RFQ	8592	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS809		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													80 V	500 MA	100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
NTRV4101PT1G	0.6300	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTRV4101	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.8A（ta）	1.8V，4.5V	85mohm @ 1.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	675 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
FDW2601NZ	-	RFQ	1453	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW26	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水		30V	8.2a		15mohm @ 8.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	30nc @ 4.5V		1840pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²