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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMA86251	0.9800	RFQ	9200	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA86		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	2.4A（TA）	6V，10V	175mohm @ 2.4a，10v	4V @ 250µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 75 V	-	2.4W（TA）
NTLJS4149PTBG	-	RFQ	2970	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS41		MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	2.7a（ta）	2.5V，4.5V	62MOHM @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	960 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
FQD13N10TF	-	RFQ	1093	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	10A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
BC140-016	1.0000	RFQ	7944	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NTB4302	-	RFQ	9448	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB43		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	74A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 37A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	80W（TC）
SS8050BBU-ON	-	RFQ	6640	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1															25 v	1.5 a					100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 80mA，800mA	85 @ 100mA，1V	100MHz
NTMFS4C09NAT1G	1.0700	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500		n通道		30 V	（9A）（ta），52a（tc）		5.8mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V		1252 PF @ 15 V	-	760MW（TA）
FJX3013RTF	-	RFQ	4654	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX301			200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma					100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
NTD4959NH-35G	-	RFQ	4849	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 11.5 V	±20V	2155 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
FQB1N60TM	-	RFQ	9895	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		600 v	1.2A（TC）	10V	11.5ohm @ 600mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），40W（TC）
NTPF190N65S3H	4.7600	RFQ	1	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	16A（TJ）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 1.4mA	31 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 400 V	-	32W（TC）
PCRH30120W	-	RFQ	9069	Onmi	-	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCRH30120W	Ear99	8541.29.0095	1
KSD363YTU	1.4600	RFQ	3	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD363			40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-ksd363ytu	Ear99	8541.29.0095	50															120 v	6 a					1ma（iCBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	120 @ 1A，5V	10MHz
2N7002T	0.4600	RFQ	100	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
2SA1508-TB-E	0.0600	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,323
2SC4919-S-TL-E	0.1400	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC4919-S-TL-E-488			1
FDMC7692S	0.6600	RFQ	2	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC7692		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	12.5A（ta），18a tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）
MJE5852	-	RFQ	3046	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE5852			80 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE5852OS	Ear99	8541.29.0095	50															400 v	8 a					-	PNP	5V @ 3a，8a	5 @ 5A，5V	-
BC212BRL1G	-	RFQ	8519	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC212			350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															50 V	100 ma					15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	280MHz
NTJD4105CT2	-	RFQ	8411	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105		MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
KST4124MTF	-	RFQ	6006	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST41			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															25 v	200 MA					50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
NGTD13T120F2WP	-	RFQ	6873	Onmi	-	托盘	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		标准			晶圆	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NGTD13T120F2WP	Ear99	8541.29.0095	1			-											沟渠场停止	1200 v		60 a	2.4V @ 15V，15a	-	-
MCH6336-TL-W	-	RFQ	9527	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6336		MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 1mA	6.9 NC @ 4.5 V	±10V	660 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
MJE3439G	-	RFQ	8823	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE3439			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															350 v	300 MA					20µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	15 @ 20mA，10v	15MHz
FDMS7670	1.4000	RFQ	8	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS76		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	FDMS7670TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	21a（21A），42a（tc（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 21a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	4105 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），62W（TC）
NTMFS4927NT1G	0.6200	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4927		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	7.9a（ta），38a tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	913 PF @ 15 V	-	（920MW）（TA），20.8W tc）
FQA35N40	-	RFQ	3372	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道		400 v	35A（TC）	10V	105MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
2n5550rlrpg	-	RFQ	2881	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N5550			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															140 v	600 MA					100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BCX599_D26Z	-	RFQ	9040	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCX599				TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																					-	NPN	-	-	-
KSC1173Ytstu	-	RFQ	7346	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC1173			10 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50															30 V	3 a					1µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²