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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TIP122	-	RFQ	3323	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP122			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																100 v	5 a						500µA	npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
NVMFS5C604NLT3G	-	RFQ	9660	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	40a（TA），287A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
2N3013	-	RFQ	1622	Onmi	-		过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N3013			360兆w	TO-18	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250																15 v	200 MA						300NA	NPN	500mv @ 30mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	350MHz
BCX17LT1G	0.2200	RFQ	20	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX17			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BCX17LT1GOSTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																45 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	-
NTB75N03L09T4G	-	RFQ	5739	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NTB75		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTB75N03L09T4GOS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	75A（TC）	5V	8mohm @ 37.5a，5V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
FDP20AN06A0	-	RFQ	3934	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		60 V	（9A）（ta），45A（tc）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FQP22N30	-	RFQ	8350	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	170W（TC）
NST856BF3T5G	0.0658	RFQ	1261	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1123	NST856			290兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																65 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	800mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
MMBT4126	-	RFQ	7535	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4126			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	200 MA						50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
MGSF1N03LT1	-	RFQ	9118	Onmi	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MGSF1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	1.6a（ta）		100mohm @ 1.2A，10V	2.4V @ 250µA			140 pf @ 5 V	-
FDMC8097AC	4.2900	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8097		MOSFET （金属 o化物）	1.9W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			150V	2.4a（ta），900mA（TC）		155mohm @ 2.4a，10v	4V @ 250µA	6.2nc @ 10V		395pf @ 75V	-
NTGS3443BT1G	-	RFQ	9727	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS34		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	2.7a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 3.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	819 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
FDI150N10	2.9800	RFQ	6937	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI150		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	57A（TC）	10V	16mohm @ 49a，10v	4.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BC559	-	RFQ	3230	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
FDMS86101A	3.2000	RFQ	1864年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86101		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	（13a）（TA），60a （TC）	6V，10V	8mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	4120 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
2n4921g	-	RFQ	1207	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N4921			30 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																40 V	1 a						500µA	NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 500mA，1V	3MHz
MTP50P03HDL	-	RFQ	9539	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP50		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTP50P03HDLOS	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		30 V	50A（TC）	5V	25mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	100 nc @ 5 V	±15V	4900 PF @ 25 V	-	125W（TC）
NTMFS4935NT1G	-	RFQ	7076	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4935		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	13a（13A），93A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 15 V	-	930MW（TA），48W （TC）
sgl50n60rufdtu	-	RFQ	8453	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL50N60	标准		250 w	TO-264-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，50a，5.9Ohm，15V											100 ns	-	600 v	80 a	150 a	2.8V @ 15V，50a	1.68mj（在）上，1.03mj off）	145 NC	26NS/66NS
FCPF165N65S3R0L	2.6900	RFQ	56	Onmi	SuperFet®III	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF165		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	35 NC @ 10 V	±30V	1415 PF @ 400 V	-	35W（TC）
FDP19N40	2.6900	RFQ	380	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		400 v	19a（tc）	10V	240MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	2115 PF @ 25 V	-	215W（TC）
MPSA27_D74Z	-	RFQ	1184	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA27			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	800 MA						500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2SK3704-CB11	0.9000	RFQ	400	Onmi	*	大部分	积极的				2SK3704		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												-
FGPF4536YDTU_SN00305	-	RFQ	3623	Onmi	*	大部分	过时的				FGPF4					-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
FDS9412A	-	RFQ	9321	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS94		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	8a（8a）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQPF4N60	-	RFQ	6922	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	2.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	36W（TC）
S1JVNJD2873T4G	-	RFQ	7482	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	S1JVNJD2873			1.68 w	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																50 V	2 a						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	65MHz
BC557BTF	0.3500	RFQ	44	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
NTMYS3D3N06CLTWG	5.8100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NTMYS3		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	26A（26A），133a （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	40.7 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），100W（TC）
NSVMSB92T1G	0.1133	RFQ	3208	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NSVMSB92					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²