RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVMFS5832NLT1G	-	RFQ	6458	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				NVMFS5				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
HUFA76429S3S	-	RFQ	9214	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BD135TG	0.8800	RFQ	380	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD135		1.25 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50													45 v	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
FJP5021Y	-	RFQ	9772	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	200													500 v	5 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	30 @ 600mA，5V	18MHz
NTD3055-150G	-	RFQ	3089	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD30	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	9a（9a）	10V	150MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	1.5W（TA），28.8W（tj）
MPSA92_J22Z	-	RFQ	5966	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA92		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,500													300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FJP555555TU	1.1300	RFQ	975	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5555		75 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000													400 v	5 a	-	NPN	1.5V @ 1A，3.5A	20 @ 800mA，3v	-
NVMFS6B14NWFT1G	-	RFQ	1816年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	100 v	55A（TC）	10V	15mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	1300 pf @ 50 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
FCMT125N65S3	6.2500	RFQ	3	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	FCMT125	MOSFET （金属 o化物）		4-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	4.5V @ 590µA	49 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 400 V	-	181W（TC）
FDME1024NZT	0.9200	RFQ	6407	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	FDME1024	MOSFET （金属 o化物）	600MW	6-microfet（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）		20V	3.8a		66mohm @ 3.4a，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 4.5V		300pf @ 10V	逻辑级别门
2SC6017-TL-EX	-	RFQ	2167	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC6017		950兆	TP-FA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	700													50 V	10 a	10µA（ICBO）	NPN	360mv @ 250mA，5a	200 @ 1A，2V	200MHz
NTMFD6H852NLT1G	0.6961	RFQ	1738年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFD6	-	250MW（TA）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,500	2 n 通道（双）		80V	295mA		1.6ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	5NC @ 4.5V		26pf @ 20V	-
KSC1675YBU	-	RFQ	4311	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC1675		250兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000													30 V	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FDG6302P	-	RFQ	7441	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6302	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		25V	140mA		10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31NC @ 4.5V		12pf @ 10V	逻辑级别门
FQT1N60CTF-WS	0.7300	RFQ	27	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FQT1N60	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	200ma（tc）	10V	11.5ohm @ 100mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	2.1W（TC）
NTLJS3D0N02P8ZTAG	0.8800	RFQ	4123	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	NTLJS3	MOSFET （金属 o化物）		6-PQFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	12.1a（ta）	1.8V，4.5V	3.8mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±12V	2165 pf @ 10 V	-	860MW（TA）
NDS356P	-	RFQ	1017	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS356	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	210MOHM @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±12V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
VEC2303-TL-E	0.2500	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
MMBTA42LT1	1.0000	RFQ	7211	Onmi	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000													300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
NTBGS3D5N06C	4.2800	RFQ	142	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	22a（22A），127A（tc）	10V，12V	3.7MOHM @ 24A，12V	4V @ 122µA	39 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 30 V	-	3.7W（TA），115W（tc）
SMMBTA64LT1G	0.4700	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBTA64		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
FQPF17N40	-	RFQ	4683	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	9.5A（TC）	10V	270MOHM @ 4.75A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
NSBC124XPDXV6T1	0.0500	RFQ	8	Onmi	-	大部分	过时的				NSBC12				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000
BC549ATA	-	RFQ	7692	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FCPF190N65S3R0L	2.2900	RFQ	838	Onmi	SuperFet®III	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	17a（TC）	10V	190mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 1.7mA	33 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	144W（TC）
FDS6690A	0.8300	RFQ	131	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6690	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1205 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
NTR1P02LT1	-	RFQ	1249	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR1P0	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	1.3a（ta）		220MOHM @ 750mA，4.5V	1.25V @ 250µA	5.5 NC @ 4 V		225 pf @ 5 V	-
NTB65N02RT4G	-	RFQ	7485	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB65	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	25 v	7.6A（TC）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	9.5 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.04W（TA），62.5W（tc）
mjd31crlg	0.9400	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31		1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800													100 v	3 a	50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FSB6714	-	RFQ	5183	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FSB671			SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000													30 V		-	NPN	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²