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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FQAF33N10	-	RFQ	8469	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF3	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道	100 v	25.8A（TC）	10V	52MOHM @ 12.9a，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	83W（TC）
NVMTS1D1N04CTXG	3.9686	RFQ	7187	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMTS1D1N04CTXGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	48.8A（TA），277A （TC）	10V	1.1MOHM @ 50A，10V	4V @ 210µA	86 NC @ 10 V	±20V	5410 PF @ 25 V	-	4.7W（TA），153W（tc）
FCPF190N65FL1	-	RFQ	7426	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	3055 PF @ 100 V	-	39W（TC）
FDD8445	1.3800	RFQ	5	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD844	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	70A（TC）	10V	8.7MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	4050 pf @ 25 V	-	79W（TC）
FQPF13N50T	-	RFQ	1566年	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
FDS8958B	0.9400	RFQ	4	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道		30V	6.4a，4.5a		26mohm @ 6.4a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 10V		540pf @ 15V	逻辑级别门
NVMD4N03R2G	1.3700	RFQ	5434	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NVMD4	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4a		60mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	16NC @ 10V		400pf @ 20V	逻辑级别门
FQA9N90C-F109	-	RFQ	6569	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA9	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	9A（TC）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	2730 PF @ 25 V	-	280W（TC）
2SK937Y4-AA	0.1400	RFQ	4	Onmi	*	大部分	过时的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,219
ATP101-TL-H	-	RFQ	3098	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP101	MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	30mohm @ 13a，10v	-	18.5 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 10 V	-	30W（TC）
SFT1445-H	-	RFQ	9149	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT144	MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	17A（TA）	4V，10V	111MOHM @ 8.5A，10V	-	19 nc @ 10 V	±20V	1030 pf @ 20 V	-	1W（TA），35W（tc）（TC）
FQPF9N25CYDTU	-	RFQ	7877	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF9N25CYDTU-488	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FDMC86340	2.0300	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86	MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	（14A）（TA），48A （TC）	8V，10V	6.5MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	3885 pf @ 40 V	-	2.3W（TA），54W（tc）
FDD3706	-	RFQ	3322	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD370	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	14.7a（ta），50a （TC）	2.5V，10V	9mohm @ 16.2a，10v	1.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±12V	1882 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），44W（tc）
efc4622r-rwe-tr	-	RFQ	8486	Onmi	-	大部分	过时的	-	-	-	EFC4622	-	-	-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-		-	-		-	-	-		-	-
FDP8878	-	RFQ	8020	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP88	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1235 PF @ 15 V	-	40.5W（TC）
NTTFS5C670NLTWG	0.8737	RFQ	8022	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	16A（16A），70A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
FQPF5N15	-	RFQ	2581	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	150 v	4.2A（TC）	10V	800MOHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±25V	230 pf @ 25 V	-	32W（TC）
HUFA76413D3S	-	RFQ	6885	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	49mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	645 pf @ 25 V	-	60W（TC）
FQU1N50TU	-	RFQ	7580	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	500 v	1.1A（TC）	10V	9ohm @ 550mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FDBL0090N40	5.1700	RFQ	60	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL0090	MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	240a（TC）	10V	0.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	188 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	357W（TJ）
ECH8420-TL-H	0.9800	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8420	MOSFET （金属 o化物）		8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	14A（TA）	1.8V，4.5V	6.8mohm @ 7A，4.5V	-	29 NC @ 4.5 V	±12V	2430 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
FQP50N06	-	RFQ	6912	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	1540 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2SA2169-H-TL-E	-	RFQ	2785	Onmi	-	大部分	过时的				2SA2169				-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-2SA2169-H-TL-E	Ear99	8541.29.0095	1
NVTFS027N10MCLTAG	0.8300	RFQ	4923	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	100 v	7.4A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 38µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 50 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
ECH8662-TL-H	-	RFQ	7191	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8662	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6.5a		30mohm @ 3.5A，4.5V	-	12nc @ 4.5V		1130pf @ 20V	逻辑级别门
MCH3477-TL-H	-	RFQ	3998	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH3477	MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	38mohm @ 2A，4.5V	-	5.1 NC @ 4.5 V	±12V	410 pf @ 10 V	-	1W（ta）
ATP405-TL-H	1.7500	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP405	MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（ta）	10V	33mohm @ 20a，10v	-	68 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 20 V	-	70W（TC）
NDH8436	-	RFQ	3992	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	NDH843	MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.8A（ta）		30mohm @ 5.8A，10V	2.8V @ 250µA	30 NC @ 10 V		560 pf @ 15 V	-
NTHL110N65S3F	7.6800	RFQ	2361	Onmi	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL110	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	10V	110mohm @ 15a，10v	5V @ 3mA	58 NC @ 10 V	±30V	2560 PF @ 400 V	-	240W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²