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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDP7050 | - | ![]() | 4475 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | NDP705 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | NDP7050-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 50 V | 75A(TC) | 10V | 13mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||
![]() | FCD5N60TF | - | ![]() | 3951 | 0.00000000 | Onmi | SuperFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FCD5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 4.6A(TC) | 10V | 950MOHM @ 2.3a,10V | 5V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 600 pf @ 25 V | - | 54W(TC) | ||||||||||||||
![]() | BDX54BG | - | ![]() | 7646 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BDX54 | 65 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 8 a | 500µA | pnp-达灵顿 | 2V @ 12mA,3a | 750 @ 3a,3v | - | |||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C404NT1G | 7.0000 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 40 V | 378a(TC) | 10V | 0.7MOHM @ 50a,10v | 4V @ 250µA | 128 NC @ 10 V | ±20V | 8400 PF @ 25 V | - | 3.9W(TA),200W(200W)TC) | |||||||||||||
![]() | BDX33CG | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BDX33 | 70 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 10 a | 500µA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 6mA,3a | 750 @ 3a,3v | - | |||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C450NAFT1G | 1.5700 | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 40 V | 24A(24A),102A(tc) | 10V | 3.3mohm @ 50a,10v | 3.5V @ 65µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.6W(TA),68W(tc) | |||||||||||||
![]() | mpsa06rlrmg | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | Onmi | - | (CT) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | MPSA06 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FQU5N40TU | 1.2300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | FQU5N40 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 400 v | 3.4A(TC) | 10V | 1.6OHM @ 1.7A,10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 460 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),45W(((((((((( | |||||||||||||
![]() | FDG88550NZ | 0.5800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | FDG8850 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 750mA | 400MOHM @ 750mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.44NC @ 4.5V | 120pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | FCD900N60Z | 1.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | SuperFet®II | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FCD900 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 4.5A(TC) | 10V | 900mohm @ 2.3a,10v | 3.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 720 PF @ 25 V | - | 52W(TC) | |||||||||||||
![]() | FQPF27P06 | 2.1300 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF27 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 60 V | 17a(TC) | 10V | 70MOHM @ 8.5A,10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±25V | 1400 pf @ 25 V | - | 47W(TC) | |||||||||||||
![]() | NDC7002N_SB9G007 | - | ![]() | 6205 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | NDC7002 | MOSFET (金属 o化物) | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 50V | 510mA | 2ohm @ 510mA,10v | 2.5V @ 250µA | 1NC @ 10V | 20pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||
![]() | FQA35N40 | - | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FQA3 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 400 v | 35A(TC) | 10V | 105MOHM @ 17.5A,10V | 5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FJX4004RTF | - | ![]() | 6228 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | FJX400 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 200 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||
![]() | BSR18A | - | ![]() | 9921 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BSR18 | 350兆 | SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | 50NA(iCBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | HUF76619D3S | - | ![]() | 2918 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | HUF76 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 18A(TC) | 4.5V,10V | 85mohm @ 18a,10v | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±16V | 767 PF @ 25 V | - | 75W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQB1P50TM | 1.4000 | ![]() | 5732 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FQB1P50 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 500 v | 1.5A(TC) | 10V | 10.5ohm @ 750mA,10v | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 350 pf @ 25 V | - | 3.13W(TA),63W(tc) | |||||||||||||
![]() | FDA28N50F | 5.1700 | ![]() | 206 | 0.00000000 | Onmi | Unifet™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FDA28 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pn | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 28a(TC) | 10V | 175mohm @ 14a,10v | 5V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±30V | 5387 PF @ 25 V | - | 310W(TC) | |||||||||||||
![]() | BC337-25ZL1 | - | ![]() | 3623 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | BC337 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 MA | 100NA | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 160 @ 100mA,1V | 210MHz | |||||||||||||||||
![]() | FQE10N20CTU | - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | FQE1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-126-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,920 | n通道 | 200 v | 4A(TC) | 10V | 360MOHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 510 pf @ 25 V | - | 12.8W(TC) | ||||||||||||||
![]() | NTLUS3A90PZCTAG | - | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Onmi | µ -Cool™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerufdfn | ntlus3a | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfn(1.6x1.6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.6a(ta) | 1.5V,4.5V | 62MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 12.3 NC @ 4.5 V | ±8V | 950 pf @ 10 V | - | 600MW(TA) | ||||||||||||||
NVMD6N04R2G | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NVMD6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.29W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 40V | 4.6a | 34mohm @ 5.8A,10V | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 900pf @ 32V | - | ||||||||||||||||
![]() | FQI11P06TU | - | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | FQI1 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 60 V | 11.4A(TC) | 10V | 175MOHM @ 5.7A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 550 pf @ 25 V | - | 3.13W(ta),53W(tc) | ||||||||||||||
![]() | NDD60N550U1-1G | - | ![]() | 1968年 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | NDD60 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 600 v | 8.2A(TC) | 10V | 550MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±25V | 540 pf @ 50 V | - | 94W(TC) | ||||||||||||||
![]() | NTMFS4933NT3G | - | ![]() | 1847年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NTMFS4933 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 20A(20A),210A (TC) | 4.5V,10V | 1.2MOHM @ 30a,10v | 2.2V @ 250µA | 62.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 10930 PF @ 15 V | - | 1.06W(ta),104W(tc) | |||||||||||||
![]() | BC182_D74Z | - | ![]() | 6573 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BC182 | 350兆 | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 120 @ 2mA,5V | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBTA14LT1 | - | ![]() | 1490 | 0.00000000 | Onmi | - | (CT) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBTA14 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 300 MA | - | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 10mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||
![]() | FDD120AN15A0-F085 | 1.5100 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FDD120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 14A(TC) | 10V | 120MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 743 PF @ 25 V | - | 65W(TC) | |||||||||||||
![]() | FJB102TM | 1.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FJB102 | 80 W | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 100 v | 8 a | 50µA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 80mA,8a | 1000 @ 3A,4V | - | |||||||||||||||||
![]() | NVMFS5826NLWFT1G | - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS5826 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 60 V | 8a(8a) | 4.5V,10V | 24mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 850 pf @ 25 V | - | 3.6W(39W),39w(tc) |
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