SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
NDP7050 onsemi NDP7050 -
RFQ
ECAD 4475 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 NDP705 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 NDP7050-NDR Ear99 8541.29.0095 50 n通道 50 V 75A(TC) 10V 13mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 115 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 150W(TC)
FCD5N60TF onsemi FCD5N60TF -
RFQ
ECAD 3951 0.00000000 Onmi SuperFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FCD5 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 4.6A(TC) 10V 950MOHM @ 2.3a,10V 5V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 54W(TC)
BDX54BG onsemi BDX54BG -
RFQ
ECAD 7646 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BDX54 65 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 80 V 8 a 500µA pnp-达灵顿 2V @ 12mA,3a 750 @ 3a,3v -
NVMFS5C404NT1G onsemi NVMFS5C404NT1G 7.0000
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 378a(TC) 10V 0.7MOHM @ 50a,10v 4V @ 250µA 128 NC @ 10 V ±20V 8400 PF @ 25 V - 3.9W(TA),200W(200W)TC)
BDX33CG onsemi BDX33CG 1.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BDX33 70 W TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 10 a 500µA npn-达灵顿 2.5V @ 6mA,3a 750 @ 3a,3v -
NVMFS5C450NAFT1G onsemi NVMFS5C450NAFT1G 1.5700
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 24A(24A),102A(tc) 10V 3.3mohm @ 50a,10v 3.5V @ 65µA 23 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 3.6W(TA),68W(tc)
MPSA06RLRMG onsemi mpsa06rlrmg -
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) MPSA06 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
FQU5N40TU onsemi FQU5N40TU 1.2300
RFQ
ECAD 97 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FQU5N40 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 400 v 3.4A(TC) 10V 1.6OHM @ 1.7A,10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 460 pf @ 25 V - 2.5W(ta),45W((((((((((
FDG8850NZ onsemi FDG88550NZ 0.5800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 FDG8850 MOSFET (金属 o化物) 300MW SC-88 (SC-70-6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 750mA 400MOHM @ 750mA,4.5V 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 逻辑级别门
FCD900N60Z onsemi FCD900N60Z 1.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi SuperFet®II 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FCD900 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 4.5A(TC) 10V 900mohm @ 2.3a,10v 3.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 720 PF @ 25 V - 52W(TC)
FQPF27P06 onsemi FQPF27P06 2.1300
RFQ
ECAD 2125 0.00000000 Onmi QFET® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF27 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 17a(TC) 10V 70MOHM @ 8.5A,10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±25V 1400 pf @ 25 V - 47W(TC)
NDC7002N_SB9G007 onsemi NDC7002N_SB9G007 -
RFQ
ECAD 6205 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 NDC7002 MOSFET (金属 o化物) 700MW SuperSot™-6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 50V 510mA 2ohm @ 510mA,10v 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
FQA35N40 onsemi FQA35N40 -
RFQ
ECAD 3372 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FQA3 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 400 v 35A(TC) 10V 105MOHM @ 17.5A,10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±30V 5600 pf @ 25 V - 310W(TC)
FJX4004RTF onsemi FJX4004RTF -
RFQ
ECAD 6228 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 FJX400 200兆 SOT-323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 68 @ 5mA,5V 200 MHz 47科姆斯 47科姆斯
BSR18A onsemi BSR18A -
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BSR18 350兆 SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma 50NA(iCBO) PNP 400mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 250MHz
HUF76619D3S onsemi HUF76619D3S -
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUF76 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 18A(TC) 4.5V,10V 85mohm @ 18a,10v 3V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±16V 767 PF @ 25 V - 75W(TC)
FQB1P50TM onsemi FQB1P50TM 1.4000
RFQ
ECAD 5732 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FQB1P50 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 500 v 1.5A(TC) 10V 10.5ohm @ 750mA,10v 5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 25 V - 3.13W(TA),63W(tc)
FDA28N50F onsemi FDA28N50F 5.1700
RFQ
ECAD 206 0.00000000 Onmi Unifet™ 管子 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FDA28 MOSFET (金属 o化物) to-3pn 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 28a(TC) 10V 175mohm @ 14a,10v 5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±30V 5387 PF @ 25 V - 310W(TC)
BC337-25ZL1 onsemi BC337-25ZL1 -
RFQ
ECAD 3623 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) BC337 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,1V 210MHz
FQE10N20CTU onsemi FQE10N20CTU -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 FQE1 MOSFET (金属 o化物) TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,920 n通道 200 v 4A(TC) 10V 360MOHM @ 2A,10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 510 pf @ 25 V - 12.8W(TC)
NTLUS3A90PZCTAG onsemi NTLUS3A90PZCTAG -
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 Onmi µ -Cool™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-Powerufdfn ntlus3a MOSFET (金属 o化物) 6-udfn(1.6x1.6) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.6a(ta) 1.5V,4.5V 62MOHM @ 4A,4.5V 1V @ 250µA 12.3 NC @ 4.5 V ±8V 950 pf @ 10 V - 600MW(TA)
NVMD6N04R2G onsemi NVMD6N04R2G -
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NVMD6 MOSFET (金属 o化物) 1.29W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 40V 4.6a 34mohm @ 5.8A,10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 900pf @ 32V -
FQI11P06TU onsemi FQI11P06TU -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA FQI1 MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 60 V 11.4A(TC) 10V 175MOHM @ 5.7A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 550 pf @ 25 V - 3.13W(ta),53W(tc)
NDD60N550U1-1G onsemi NDD60N550U1-1G -
RFQ
ECAD 1968年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA NDD60 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 8.2A(TC) 10V 550MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±25V 540 pf @ 50 V - 94W(TC)
NTMFS4933NT3G onsemi NTMFS4933NT3G -
RFQ
ECAD 1847年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4933 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 20A(20A),210A (TC) 4.5V,10V 1.2MOHM @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 62.1 NC @ 4.5 V ±20V 10930 PF @ 15 V - 1.06W(ta),104W(tc)
BC182_D74Z onsemi BC182_D74Z -
RFQ
ECAD 6573 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC182 350兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 120 @ 2mA,5V 150MHz
MMBTA14LT1 onsemi MMBTA14LT1 -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA14 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 300 MA - npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 10000 @ 10mA,5V 125MHz
FDD120AN15A0-F085 onsemi FDD120AN15A0-F085 1.5100
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FDD120 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 14A(TC) 10V 120MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 743 PF @ 25 V - 65W(TC)
FJB102TM onsemi FJB102TM 1.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FJB102 80 W d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 100 v 8 a 50µA npn-达灵顿 2.5V @ 80mA,8a 1000 @ 3A,4V -
NVMFS5826NLWFT1G onsemi NVMFS5826NLWFT1G -
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5826 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 8a(8a) 4.5V,10V 24mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 850 pf @ 25 V - 3.6W(39W),39w(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库