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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 电压 -输出 fet 测试条件 电压 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 电压 -偏移（ vt） 电流 -阳极泄漏的门（ -igao） 电流-iv（iv） 电流 -峰值
2N6027RLRAG onsemi 2n6027rlrag -
RFQ
 ECAD 9757 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N6027 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,000 11V 40V 300兆 1.6 v 10 na 50 µA 2 µA
2SC3467E-AE onsemi 2SC3467E-AE 0.1800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1
NTBL095N65S3H onsemi NTBL095N65S3H 3.7639
RFQ
 ECAD 3339 0.00000000 Onmi SuperFet®III 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powersfn MOSFET （金属 o化物） 8-hpsof 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTBL095N65S3HTR Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 30A（TC） 10V 95mohm @ 15a，10v 4V @ 2.8mA 58 NC @ 10 V ±30V 2833 PF @ 400 V - 208W（TC）
BC847AWT1 onsemi BC847AWT1 0.0500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BC847 225兆 SC-70-3（SOT323） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma - NPN 250mv @ 500µA，10mA 110 @ 2mA，5V 100MHz
FQI4N25TU onsemi FQI4N25TU -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA FQI4 MOSFET （金属 o化物） i2pak（（TO-262） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 3.6A（TC） 10V 1.75OHM @ 1.8A，10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 V ±30V 200 pf @ 25 V - 3.13W（ta），52W（（ta）
NTD60N02R-001 onsemi NTD60N02R-001 0.1400
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTD60 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75
NVMFS5C410NWFAFT1G onsemi NVMFS5C410NWFAFT1G 4.9100
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NVMFS5 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 46A（TA），300A （TC） 10V 0.92MOHM @ 50a，10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 25 V - 3.9W（TA），166w（tc）
5HN02N-AA onsemi 5HN02N-AA 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1
NVTFWS002N04CTAG onsemi NVTFWS002N04CTAG 1.0027
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NVTFWS002 MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 2832-NVTFWS002N04CTAG-488 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 27a（27a），136a （TC） 10V 2.4mohm @ 50a，10v 3.5V @ 90µA 34 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W（TA），85W（tc）
SFT1431-E onsemi SFT1431-E -
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA SFT143 MOSFET （金属 o化物） IPAK/TP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 35 v 11a（11a） 4V，10V 25mohm @ 5.5a，10v - 17.3 NC @ 10 V ±20V 960 pf @ 20 V - 1W（1W），15W（tc）
KSB772YSTSTU onsemi KSB772YSTU -
RFQ
 ECAD 4949 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 KSB77 1 w TO-126-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 60 30 V 3 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 200mA，2a 160 @ 1A，2V 80MHz
TIP33C onsemi TIP33C -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-218-3 提示33 80 W SOT-93 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 tip33cos Ear99 8541.29.0095 30 100 v 10 a 700µA NPN 4V @ 2.5a，10a 20 @ 3a，4v 3MHz
NJVMJD31CRLG onsemi NJVMJD31CRLG 0.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NJVMJD31 1.56 w DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 100 v 3 a 50µA NPN 1.2V @ 375mA，3a 10 @ 3A，4V 3MHz
MUN5315DW1T1G onsemi MUN5315DW1T1G 0.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MUN5315 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 250mv @ 1mA，10mA 160 @ 5mA，10v - 10KOHMS -
NTEFS2MS31NTDG onsemi NTEFS2MS31NTDG 0.0900
RFQ
 ECAD 487 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-NTEFS2MS31NTDG Ear99 8541.29.0095 1
TN6705A onsemi TN6705A -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） TN6705 1 w TO-226-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 45 v 1.5 a 100NA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，1a 40 @ 250mA，2V -
NGTB30N60FWG onsemi NGTB30N60FWG -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTB30 标准 167 w TO-247-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 72 ns 沟 600 v 60 a 120 a 1.7V @ 15V，30a （650µJ）（在），650µJ（650µJ）中 170 NC 81NS/190NS
NSS30201MR6T1G onsemi NSS30201MR6T1G 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NSS30201 535 MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 2 a 100NA NPN 75mv @ 1mA，100mA 300 @ 500mA，5V 300MHz
NDFPD1N150CG onsemi NDFPD1N150CG -
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 NDFPD1 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1500 v （100mA）（TA） 10V 150ohm @ 50mA，10v - 4.2 NC @ 10 V ±30V 80 pf @ 30 V - 2W（TA），20W（20W）TC）
CPH5805-TL-E onsemi CPH5805-TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
2SD1804T-E onsemi 2SD1804T-E 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
NVMJD7D4N04CLTWG onsemi NVMJD7D4N04CLTWG 0.7285
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 NVMJD7D4 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD7D4N04CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 -
MMBT3906-ON onsemi MMBT3906-ON -
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000
HUF75329D3 onsemi HUF75329D3 -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA HUF75 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 55 v 20A（TC） 10V 26mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 65 NC @ 20 V ±20V 1060 pf @ 25 V - 128W（TC）
FDS89161 onsemi FDS89161 1.6400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 2.7a 105mohm @ 2.7a，10v 4V @ 250µA 4.1NC @ 10V 210pf @ 50V -
NTLJD3182FZTBG onsemi NTLJD3182FZTBG -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD31 MOSFET （金属 o化物） 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.2A（ta） 1.8V，4.5V 100mohm @ 2A，4.5V 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 V ±8V 450 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 710MW（TA）
FDS8882 onsemi FDS8882 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS88 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 9a（9a） 4.5V，10V 20mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 940 pf @ 15 V - 2.5W（TA）
NTMJS0D7N03CGTWG onsemi NTMJS0D7N03CGTWG 6.9400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 MOSFET （金属 o化物） 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 59a（ta），410a （TC） 10V 0.65MOHM @ 30a，10V 2.2V @ 280µA 147 NC @ 10 V ±20V 12300 PF @ 15 V - （4W）（188W （TC）（TC）
2SC536F-SPA onsemi 2SC536F-SPA 0.2500
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.21.0075 1,000
FDFMA2P853 onsemi FDFMA2P853 -
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDFMA2 MOSFET （金属 o化物） 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3A（3A） 1.8V，4.5V 120MOHM @ 3A，4.5V 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±8V 435 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1.4W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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