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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MTB75N05HDT4	-	RFQ	5457	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB75		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTB75N05HDT4OS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		50 V	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
FQPF3N80C	1.7300	RFQ	964	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	705 pf @ 25 V	-	39W（TC）
MTW16N40E	1.2300	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FQA70N10	2.9800	RFQ	4309	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA70		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	70A（TC）	10V	23mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3300 PF @ 25 V	-	214W（TC）
NTHD5903T1G	-	RFQ	3445	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	2.2a		155mohm @ 2.2a，4.5V	600mv @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
FJP5021R	-	RFQ	3357	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021			50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200															500 v	5 a						10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	18MHz
NTJD4105CT2	-	RFQ	8411	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105		MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
sbc846alt1g	0.3100	RFQ	32	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBC846			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65 v	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BCX599_D26Z	-	RFQ	9040	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCX599				TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																						-	NPN	-	-	-
FQD12N20TM	-	RFQ	4112	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD12N20		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
MJE3439G	-	RFQ	8823	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE3439			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															350 v	300 MA						20µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	15 @ 20mA，10v	15MHz
KSC1173Ytstu	-	RFQ	7346	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC1173			10 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50															30 V	3 a						1µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
NVMFS5C673NLAFT1G	1.5000	RFQ	2056	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 35µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	46W（TC）
2n5550rlrpg	-	RFQ	2881	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N5550			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															140 v	600 MA						100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
MJE5852	-	RFQ	3046	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE5852			80 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE5852OS	Ear99	8541.29.0095	50															400 v	8 a						-	PNP	5V @ 3a，8a	5 @ 5A，5V	-
BC212BRL1G	-	RFQ	8519	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC212			350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															50 V	100 ma						15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	280MHz
NVMFS5844NLWFT3G	-	RFQ	7207	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	11.2a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），107W（tc）
FDB024N08BL7	4.8500	RFQ	5285	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB024		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		80 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	13530 PF @ 40 V	-	246W（TC）
MPS8099G	-	RFQ	8592	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS809			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000															80 V	500 MA						100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
FQPF45N15V2	-	RFQ	6058	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	45A（TC）	10V	40mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3030 PF @ 25 V	-	66W（TC）
NSVBC848BWT1G	0.3100	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NSVBC848			200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
NTMFS005P03P8ZT1G	-	RFQ	2078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS005P03P8ZT1GTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	15.3A（TA），164a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 22A，10V	3V @ 250µA	112 NC @ 4.5 V	±25V	7880 pf @ 15 V	-	900MW（TA），104W（tc）
FDJ1028N	-	RFQ	9473	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75-6 FLMP	FDJ1028		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC75-6 FLMP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	3.2a		90MOHM @ 3.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		200pf @ 10V	逻辑级别门
FQB17P10TM	-	RFQ	3680	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	16.5A（TC）	10V	190MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
HGTP12N60A4	-	RFQ	8043	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HGTP12N60	标准		167 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			390V，12a，10ohm，15V											-	600 v	54 a	96 a	2.7V @ 15V，12A	（55µJ）（在55µj），50µJ（50µJ）	78 NC	17NS/96NS
FDG6306P	0.6000	RFQ	7643	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6306		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	600mA		420MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2NC @ 4.5V		114pf @ 10V	逻辑级别门
NGTD13T120F2WP	-	RFQ	6873	Onmi	-	托盘	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		标准			晶圆	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NGTD13T120F2WP	Ear99	8541.29.0095	1			-											沟渠场停止	1200 v		60 a	2.4V @ 15V，15a	-		-
MCH6336-TL-W	-	RFQ	9527	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6336		MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 1mA	6.9 NC @ 4.5 V	±10V	660 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
FCH072N60F	9.3300	RFQ	1350	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH072		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	52A（TC）	10V	72MOHM @ 26a，10V	5V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	8660 pf @ 100 V	-	481W（TC）
KST4124MTF	-	RFQ	6006	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST41			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															25 v	200 ma						50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²