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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MPS6717G	-	RFQ	6536	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS671		1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	mps6717gos	Ear99	8541.29.0095	5,000												80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
VN2410LZL1G	-	RFQ	7394	Onmi	-	（CT）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	VN2410	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	240 v	200ma（ta）	2.5V，10V	10ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	350MW（TC）
FPN630	-	RFQ	4067	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FPN6		1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500												30 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，2V	100MHz
FDB8860	3.2900	RFQ	90	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB886	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	12585 pf @ 15 V	-	254W（TC）
NST3906F3T5G	0.4100	RFQ	40	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1123	NST3906		290兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000												40 V	200 ma	-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
mpsa28rrpg	-	RFQ	2700	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA28		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												80 V	500 MA	500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
NTHD5904NT3	-	RFQ	6827	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
FQD3N40TM	-	RFQ	3024	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
NTD60N02R-035	-	RFQ	7313	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
NDF10N60ZG-001	-	RFQ	9639	Onmi	*	管子	过时的				NDF10				-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
FDS4070N7	-	RFQ	6082	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	15.3a（ta）	10V	7mohm @ 15.3a，10v	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
FDMA520PZ	-	RFQ	5752	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA520	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	7.3a（ta）	2.5V，4.5V	30mohm @ 7.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1645 PF @ 10 V	-	2.4W（TA）
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FQD5N20LTM	-	RFQ	2013	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
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BD680G	-	RFQ	5456	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD680		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500												80 V	4 a	500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
2SK315E-SPA-AC	0.1000	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
NVD5806NT4G	-	RFQ	6070	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD580	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	33A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MJD200RLG	0.6500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD200		1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,800												25 v	5 a	100NA（ICBO）	NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
MMBT2907	-	RFQ	6337	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2907		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												40 V	800 MA	20NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
KSD362N	-	RFQ	2613	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD362		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200												70 v	5 a	20µA（ICBO）	NPN	1V @ 500mA，5a	20 @ 5A，5V	10MHz
NSBC143ZPDXV6T5	-	RFQ	8703	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC143		500MW	SOT-563	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000												50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
FDB3632	3.1600	RFQ	5096	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB363	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	（12A）（ta），80a tc）	6V，10V	9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	310W（TC）
NGTB15N120IHTG	-	RFQ	9304	Onmi	-	管子	过时的				NGTB15				-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
MTP5N40E	0.6000	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²