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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NVBLS001N06C	12.3000	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	NVBLS001			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					60 V	51A（ta），422a （TC）	10V	0.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 562µA	143 NC @ 10 V	±20V	11575 PF @ 30 V	-	4.2W（ta），284W（TC）
NTTD1P02R2G	-	RFQ	2896	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	NTTD1			MOSFET （金属 o化物）	500MW	8-msop	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTTD1P02R2GOS	Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）						20V	1.45a		160MOHM @ 1.45a，4.5V	1.4V @ 250µA	10NC @ 4.5V		265pf @ 16V	逻辑级别门
FDS8449-G	0.5600	RFQ	65	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS8449-GTR	Ear99	8541.29.0095	893		n通道					40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	1W（ta）
FQPF2N80YDTU	2.2200	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF2			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	1.5A（TC）	10V	6.3ohm @ 750mA，10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FQP4N90	-	RFQ	8893	Onmi	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					900 v	4.2A（TC）	10V	3.3OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	140W（TC）
FDP5645	-	RFQ	9411	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP56			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	80a（ta）	6V，10V	9.5Mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	4468 pf @ 30 V	-	125W（TC）
FDMC86160	2.5100	RFQ	8	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86			MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	（9a）（ta），43a（tc）	6V，10V	14mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1290 pf @ 50 V	-	2.3W（TA），54W（tc）
FJZ945YTF	-	RFQ	2706	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ945				100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	150 ma									100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
HUFA75842S3ST	-	RFQ	9256	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA75			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					150 v	43A（TC）	10V	42MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W（TC）
NSVMMBT5401M3T5G	0.4000	RFQ	6358	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	NSVMMBT5401				130兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																			150 v	60 ma									100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	180MHz
HUF75309D3ST	-	RFQ	9421	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF75			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FDMS5672	3.8200	RFQ	2	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS56			MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					60 V	10.6a（ta），22a （TC）	6V，10V	11.5mohm @ 10.6a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
2N5460_D27Z	-	RFQ	6564	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5460				350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道												7pf @ 15V												40 V	1 mA @ 15 V	750 mv @ 1 µA
MMBT5401LT3G	0.2000	RFQ	25	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5401				300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																			150 v	500 MA									50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
DTA114EM3T5G	0.3600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTA114				260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																			50 V	100 ma									500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
FJT44TF	0.5400	RFQ	28	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FJT44				2 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000																			400 v	300 MA									500NA	NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
FGH20N6S2	-	RFQ	5221	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH20	标准			125 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150				390V，7a，25ohm，15V														-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
NTDV5805NT4G	-	RFQ	8395	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTDV58			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	51A（TC）	5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	-
2SC2812-5-TB-E	0.0200	RFQ	387	Onmi	*	大部分	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
2N7002LT7H	-	RFQ	4571	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,500		n通道					60 V	115mA（tc）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
NVMTS0D6N04CLTXG	8.4200	RFQ	1428	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	-	-	NVMTS0			MOSFET （金属 o化物）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	78.9a（ta），554.5a（TC）	4.5V，10V	0.42MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	265 NC @ 10 V	±20V	16013 PF @ 20 V	-	5W（5W），245W（TC）
FDMC86102	2.2700	RFQ	2256	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMC86			MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	（7A（ta），20A （TC）	6V，10V	24mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	965 PF @ 50 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
BF245A_D75Z	-	RFQ	1505	Onmi	-	（TB）	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF245		-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		6.5mA		-	-											-
SPA13003-S-AC	0.0600	RFQ	25	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
SFT1452-W	-	RFQ	1162	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT145			MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					250 v	3A（3A）	10V	2.4OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 1mA	4.2 NC @ 10 V	±30V	210 pf @ 20 V	-	1W（ta），26w（tc）
2SC536E-SPA	-	RFQ	6175	Onmi	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1,000
ECH8602R-TL-H	0.3300	RFQ	126	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NTD4813NHT4G	-	RFQ	5063	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD4813			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	7.6A（ta），40a（tc）	4.5V，11.5V	13mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	940 pf @ 12 V	-	1.27W（TA），35.3W（tc）
MPSA42_J22Z	-	RFQ	2746	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA42				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,500																			300 v	500 MA									100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
FDB86363-F085	4.9600	RFQ	22	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB86363			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					80 V	110A（TC）	10V	2.4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 40 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²