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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJI5603DTU	1.8900	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FJI5603			100 W	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																800 v	3 a						100µA	NPN	2.5V @ 200mA，1a	20 @ 400mA，3V	5MHz
FDMS3620S	-	RFQ	1178	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3620		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	17.5a，38a		4.7MOHM @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
NSVMUN5237T1G	0.3400	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	NSVMUN5237			202兆	SC-70-3（SOT323）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	22 KOHMS
FGY75T95LQDT	9.9500	RFQ	193	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGY75	标准		453 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	FGY75T95LQDTOS	Ear99	8541.29.0095	30			600V，37.5a，4.7Ohm，15V											259 ns	沟渠场停止	950 v	150 a	225 a	1.69V @ 15V，75a	2MJ（在）上，1.8MJ（OFF）	663.3 NC	52NS/496NS
NDS7002A	0.3500	RFQ	1980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
NTMFD5C470NLT1G	3.0300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFD5		MOSFET （金属 o化物）	（3W）（24W）（24W）TC）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	11a（11a），36a （TC）		11.5MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 20µA	9NC @ 10V		590pf @ 25V	-
NSVT3946DXV6T1G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVT3946			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																40V	200mA						-	NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz，250MHz
MPF4391RLRA	0.0600	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,000
HUFA75345P3	-	RFQ	5967	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
FQPF4N90	-	RFQ	2705	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		900 v	2.5A（TC）	10V	3.3OHM @ 1.25a，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	47W（TC）
SNSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSMR6T1G	0.4800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SNSS30201			535 MW	6-TSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	2 a						100NA	NPN	200mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	300MHz
MPS6717G	-	RFQ	6536	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS671			1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	mps6717gos	Ear99	8541.29.0095	5,000																80 V	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
VN2410LZL1G	-	RFQ	7394	Onmi	-	（CT）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	VN2410		MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道		240 v	200ma（ta）	2.5V，10V	10ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	350MW（TC）
FPN630	-	RFQ	4067	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FPN6			1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500																30 V	3 a						100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，2V	100MHz
FDB8860	3.2900	RFQ	90	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB886		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	12585 pf @ 15 V	-	254W（TC）
mpsa28rrpg	-	RFQ	2700	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA28			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																80 V	500 MA						500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
NTHD5904NT3	-	RFQ	6827	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
FQD3N40TM	-	RFQ	3024	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
NTD60N02R-035	-	RFQ	7313	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD60		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
NDF10N60ZG-001	-	RFQ	9639	Onmi	*	管子	过时的				NDF10					-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
FDS4070N7	-	RFQ	6082	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40		MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	15.3a（ta）	10V	7mohm @ 15.3a，10v	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
FDMA520PZ	-	RFQ	5752	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA520		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	7.3a（ta）	2.5V，4.5V	30mohm @ 7.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1645 PF @ 10 V	-	2.4W（TA）
NTNS3164NZT5G	0.4000	RFQ	65	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	NTNS3164		MOSFET （金属 o化物）		SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道		20 v	361ma（ta）	1.5V，4.5V	700MOHM @ 200mA，4.5V	1V @ 250µA	0.8 NC @ 4.5 V	±8V	24 pf @ 10 V	-	155MW（TA）
FQB55N10TM	2.4500	RFQ	3554	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB55N10		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	55A（TC）	10V	26mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	2730 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），155W（tc）
MTB23P06VT4	-	RFQ	8051	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB23		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MTB23P06VT4OS	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	23a（23A）	10V	120MOHM @ 11.5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±15V	1620 PF @ 25 V	-	（3W）（90W（ta）（TC）
FQA27N25	3.1600	RFQ	428	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA27		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	27a（TC）	10V	110mohm @ 13.5a，10v	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	210W（TC）
BD677AG	-	RFQ	6519	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD677			40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																60 V	4 a						500µA	npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
CPH3457-TL-W	-	RFQ	5363	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3457		MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 1mA	3.5 NC @ 4.5 V	±12V	265 pf @ 10 V	-	1W（ta）
ZTX749A_D26Z	-	RFQ	1068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	ZTX749			1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																35 v	2 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
BD680G	-	RFQ	5456	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD680			40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																80 V	4 a						500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²