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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS86101E	-	RFQ	1911	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86101		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-FDMS86101ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	12.4A（TA），60a tc）	6V，10V	8mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
NTMT061N60S5F	8.6800	RFQ	5253	Onmi	SuperFet®V，FRFET®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN			MOSFET （金属 o化物）			4-TDFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMT061N60S5FTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		600 v	41A（TC）	10V	61MOHM @ 20.5A，10V	4.8V @ 4.6mA	76 NC @ 10 V	±30V	4175 PF @ 400 V	-	255W（TC）
MJE350	-	RFQ	9175	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE350			20 w		TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															300 v	500 MA						-		PNP	-	30 @ 50mA，10v	-
NTD25P03L1G	-	RFQ	5856	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD25		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道		30 V	25A（TA）	4V，5V	80Mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	1260 pf @ 25 V	-	75W（TJ）
SMMBTH10LT1	0.0400	RFQ	69	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
2SA1702S-AN	1.0000	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
2SD2646-yd	0.8300	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MBT35200MT2G	-	RFQ	5931	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	MBT35200			625兆		6-TSOP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															35 v	2 a						100NA		PNP	310mv @ 20mA，2a	100 @ 1.5A，1.5V	100MHz
HGTG7N60A4	-	RFQ	2897	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG7N60	标准		125 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150			390V，7a，25ohm，15V											-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
NTMFS4H02NT1G	-	RFQ	7518	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	37A（TA），193a （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	38.5 NC @ 10 V	±20V	2651 PF @ 12 V	-	3.13W（TA），83W（tc）
MMUN2211LT1	-	RFQ	1135	Onmi	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2211			246兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						500NA		npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
PN2484_D74Z	-	RFQ	2298	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN248			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															60 V	100 ma						10NA（ICBO）		NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-
FDC3512	0.9800	RFQ	8276	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC3512		MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		80 V	3A（3A）	6V，10V	77MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	634 pf @ 40 V	-	1.6W（TA）
NTTFS4C13NTWG	-	RFQ	3651	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	（780MW）（TA），21.5W（tc）
2SB1123S-TD-E	0.6500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1123			500兆		pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															50 V	2 a						100NA（ICBO）		PNP	700mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz
FMG2G50US120	-	RFQ	6698	Onmi	-		过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG2			320 w	标准	7 pm-ga	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥													-	1200 v	50 a		3V @ 15V，50a				3 ma	不
MTW32N20EG	-	RFQ	2488	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MTW32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MTW32N20EGOS	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	32A（TC）	10V	75mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
FDP86363-F085	3.5500	RFQ	183	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	管子	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP86363		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	110A（TC）	10V	2.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 40 V	-	300W（TC）
FDMS7572S	1.7800	RFQ	1	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS7572		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	23A（23A），49A （TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 23A，10V	3V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
MMBTA92_D87Z	-	RFQ	9622	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA92			350兆		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000															300 v	500 MA						250NA（ICBO）		PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FDMS2504SDC	-	RFQ	2679	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS25		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	42A（42A），49A （TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 32A，10V	3V @ 1mA	119 NC @ 10 V	±20V	7770 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），104W（tc）
NGTB30N120LWG	-	RFQ	5228	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB30	标准		560 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，30a，10ohm，15V											沟渠场停止	1200 v	60 a	240 a	2.2V @ 15V，30a	4.4MJ（在）上，1MJ（1MJ）	420 NC	136NS/360NS
KSC1675OTA	-	RFQ	3511	Onmi	-	（TB）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1675			250兆		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															30 V	50 mA						100NA（ICBO）		NPN	300mv @ 1mA，10mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
FQB85N06TM_AM002	-	RFQ	4848	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB8		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	85A（TC）	10V	10mohm @ 42.5a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±25V	4120 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），160w（tc）
NTTFS4C53NTAG	-	RFQ	6338	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4		-			8-WDFN（3.3x3.3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		-			-		-	-				-	-
NVBG015N065SC1	49.9400	RFQ	5356	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	145a（TC）	15V，18V	18mohm @ 75a，18v	4.3V @ 25mA	283 NC @ 18 V	+22V，-8V	4689 PF @ 325 V	-	500W（TC）
NVHL095N65S3F	4.6740	RFQ	1878年	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVHL095N65S3F	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	36a（TC）	10V	95mohm @ 18a，10v	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	3020 PF @ 400 V	-	272W（TC）
NVMFS5C628NLWFT3G	-	RFQ	2167	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	150a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
2SA1708S-AN-AN	-	RFQ	9776	Onmi	-	（TB）	过时的				2SA1708						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
NTMFS5830NLT1G	-	RFQ	6940	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	28a（28a），172a （TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	5880 pf @ 25 V	-	3.2W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²