RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQP3N90	-	RFQ	1800	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	130W（TC）
PN4275	-	RFQ	5787	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN427		350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	PN4275-NDR	Ear99	8541.21.0095	2,000														15 v	200 ma					400NA（ICBO）				NPN	500mv @ 10mA，100mA	35 @ 10mA，1V	-
NSBC115EPDXV6T1G	0.0698	RFQ	7563	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC115		357MW		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000														50V	100mA					500NA				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	100kohms	100kohms
NVF3055L108T1G	0.9700	RFQ	2425	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NVF3055	MOSFET （金属 o化物）			SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	3A（3A）	5V	120MOHM @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
NVD4810NT4G	-	RFQ	1465	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD481	MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（9A）（ta），54a（tc）	4.5V，11.5V	10mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 12 V	-	1.4W（ta），50W（50W）TC）
HUF75345S3	-	RFQ	7505	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
2N5088TAR	-	RFQ	9331	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5088		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														30 V	100 ma					50NA（iCBO）				NPN	500mv @ 1mA，10mA	300 @ 100µA，5V	50MHz
MUN2237T1	0.0200	RFQ	920	Onmi	-	大部分	过时的				MUN2237					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
NST3904DXV6T1	0.0500	RFQ	857	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NST3904		500MW		SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000														40V	200mA									2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2SJ659-DL-E	0.5100	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
BD244B	-	RFQ	1126	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD244		65 w		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														80 V	6 a					700µA				PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
MCH3211-TL-E	0.1600	RFQ	510	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
mpsw01arlrag	-	RFQ	2792	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW01		1 w		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000														40 V	1 a					100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	50MHz
BCW61AMTF	-	RFQ	3415	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW61		350兆		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														32 v	100 ma					20NA				PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	-
2N6427_D75Z	-	RFQ	8459	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N6427		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														40 V	1.2 a					1µA				npn-达灵顿	1.5V @ 500µA，500mA	14000 @ 500mA，5V	-
KSC945YTA	0.4000	RFQ	9	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC945		250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														50 V	150 ma					100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
2n6284g	6.2500	RFQ	9941	Onmi	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6284		160 w		TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100														100 v	20 a					1ma				npn-达灵顿	3V @ 200mA，20a	750 @ 10a，3v	-
NXH75M65L4Q1PTG	78.3462	RFQ	2011	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			86 W	标准	53-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH75M65L4Q1PTG	Ear99	8541.29.0095	21	半桥												沟渠场停止	650 v	59 a	2.22V @ 15V，75a				300 µA	是的	5.665 NF @ 30 V
TIS75_D26Z	-	RFQ	6513	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TIS75		350兆		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道								18pf @ 10V（vgs）							30 V	8 ma @ 15 V	800 mv @ 4 na				60欧姆
KSC2316OTA	-	RFQ	6338	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2316		900兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														120 v	800 MA					100NA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
NSBA144EF3T5G	-	RFQ	9852	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-1123	NSBA144		254兆		SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000														50 V	100 ma					500NA				pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
KSA1203YTF	-	RFQ	2634	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSA12		1 w		SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000														30 V	1.5 a					100NA（ICBO）				PNP	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
KSC838CYTA	-	RFQ	7905	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC838		250兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	30 ma					100NA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	250MHz
2N4124TF	-	RFQ	5762	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4124		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														25 v	200 ma					50NA（iCBO）				NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
2SA2169-TL-E	0.9700	RFQ	17	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA2169		950兆		TP-FA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700														50 V	10 a					10µA（ICBO）				PNP	580mv @ 250mA，5a	200 @ 1A，2V	130MHz
FDMD8260LET60	-	RFQ	8771	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD8260	MOSFET （金属 o化物）	1.1W		12-Power3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	15a		5.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	68nc @ 10V		5245pf @ 30V	-
2N5086BU	-	RFQ	3997	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5086		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000														50 V	100 ma					50NA				PNP	300mv @ 1mA，10mA	150 @ 100µA，5V	40MHz
BDX54CTU	-	RFQ	3637	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX54		60 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000														100 v	8 a					500µA				pnp-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
KSP8599BU	-	RFQ	9723	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP85		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000														80 V	500 MA					100NA				PNP	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
2SC5888	-	RFQ	2934	Onmi	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5888		2 w		TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-2SC5888-ON	Ear99	8541.29.0075	100														50 V	10 a					10µA（ICBO）				NPN	360mv @ 250mA，5a	200 @ 1A，2V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²