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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SA1381FSTU	-	RFQ	5129	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2SA1381		7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60														300 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 2mA，20mA	160 @ 10mA，10v	150MHz
NVMFD5C462NLWFT1G	3.0200	RFQ	9063	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	（3w（ta），50W（TC）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	18A（18A），84A （TC）		4.7mohm @ 10a，10v	2.2V @ 40µA	11NC @ 4.5V		1300pf @ 25V	-
BC213L_J35Z	-	RFQ	1408	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC213		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	500 MA	15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	80 @ 2mA，5V	200MHz
提示30cg	0.6100	RFQ	2	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示30		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														100 v	1 a	300µA	PNP	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
NSBC114YF3T5G	0.3600	RFQ	218	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC114		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
2N4401RLPG	-	RFQ	2712	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4401		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														40 V	600 MA	-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FDP083N15A-F102	5.0900	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP083	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	83A（TC）	10V	8.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	6040 pf @ 25 V	-	294W（TC）
FJC2098QTF	-	RFQ	3528	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FJC20		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000														20 v	5 a	500NA	NPN	1V @ 100mA，4a	120 @ 500mA，2V	-
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2N5401YBU	0.3600	RFQ	9	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5401		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														150 v	600 MA	-	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
FJAFS1510ATU	-	RFQ	8502	Onmi	ESBC™	管子	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FJAFS151		60 W	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360														750 v	6 a	100µA	NPN	500MV @ 1.5A，6A	7 @ 3a，5v	15.4MHz
but12tu	-	RFQ	9931	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But12		100 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000														400 v	8 a	1ma	NPN	1.5V @ 1.2a，6a	-	-
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2N5401NLBU	-	RFQ	9850	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000														150 v	600 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
2SA1707T-AN	-	RFQ	6472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SA1707		1 w	3-nmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500														50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	700mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz
2SD1835S-AA	-	RFQ	1199	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2SD1835		750兆w	3-np	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500														50 V	2 a	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz
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FDR838P	-	RFQ	7360	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR83	MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	8a（8a）	2.5V，4.5V	17mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±8V	3300 PF @ 10 V	-	1.8W（TA）
FQA6N80	-	RFQ	1717年	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA6	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	6.3a（TC）	10V	1.95OHM @ 3.15A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	185W（TC）
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BF494_D74Z	-	RFQ	1557年	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF494		350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000			-											20V	30mA		NPN		67 @ 1mA，10v	-			-
NSS40601CF8T1G	1.0300	RFQ	2586	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NSS40601		830兆	chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40 V	6 a	100NA（ICBO）	NPN	135mv @ 400mA，4a	200 @ 1A，2V	140MHz
BF240_D74Z	-	RFQ	8484	Onmi	-	（TB）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF240		350MW	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000			-											40V	50mA		NPN		65 @ 1mA，10v	1.1GHz			-
KSD1621UTF	-	RFQ	4365	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSD1621		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000														25 v	2 a	100NA（ICBO）	NPN	400MV @ 75mA，1.5a	280 @ 100mA，2V	150MHz
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KSA1381ESTU	0.6800	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSA1381		7 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60														300 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
PN3685	-	RFQ	8705	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN368	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			-		-	-				-	-
NTMS4700NR2	-	RFQ	3521	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS47	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道		30 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	1600 PF @ 24 V	-	860MW（TA）
2N6517CTA	-	RFQ	2190	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N6517		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														400 v	500 MA	50NA（iCBO）	NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²