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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NVMYS1D3N04CTWG	3.7200	RFQ	13	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS1		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	43A（ta），252A（tc）	10V	1.15MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 180µA	75 NC @ 10 V	±20V	4855 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），134W（tc）
FDC6561AN	0.6600	RFQ	3114	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6561		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	2.5a		95MOHM @ 2.5a，10V	3V @ 250µA	3.2nc @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
FQU1N60TU	-	RFQ	3915	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道			600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
2SC4413-TL-E	0.3300	RFQ	174	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
NTLUD3A50PZTAG	0.8800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	ntlud3		MOSFET （金属 o化物）	500MW	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				20V	2.8a		50mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	10.4NC @ 4.5V		920pf @ 15V	逻辑级别门
2SJ652-1E	-	RFQ	1252	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	2SJ652		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3SG	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		P通道			60 V	28a（28a）	4V，10V	38mohm @ 14a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
NTMFS4921NT1G	-	RFQ	7605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			30 V	8.8a（ta），58.5a tc）	4.5V，11.5V	6.95mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1400 pf @ 12 V	-	870MW（TA），38.5W（tc）
MUN2231T1G	0.0257	RFQ	1676年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2231			338 MW	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v		2.2 kohms	2.2 kohms
FQPF19N10	1.3400	RFQ	797	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FQPF19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	13.6A（TC）	10V	100mohm @ 6.8a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	780 pf @ 25 V	-	38W（TC）
NTMFS4121NT3G	-	RFQ	3638	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道			30 V	11a（11a）	4.5V，10V	5.25MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	2700 PF @ 24 V	-	900MW（TA）
FQI3N25TU	-	RFQ	2973	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI3		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
FQU5N50CTU	-	RFQ	5128	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU5		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道			500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
NTR4170NT3G	-	RFQ	2813	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR417		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			30 V	2.4A（TA）	2.5V，10V	55mohm @ 3.2a，10v	1.4V @ 250µA	4.76 NC @ 4.5 V	±12V	432 PF @ 15 V	-	480MW（TA）
FDMA410NZ	0.9800	RFQ	47	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA410		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			20 v	9.5A（TA）	1.5V，4.5V	23mohm @ 9.5a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1080 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
FDD1600N10ALZ	1.0400	RFQ	7	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD1600		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			100 v	6.8A（TC）	5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	2.8V @ 250µA	3.61 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 50 V	-	14.9W（TC）
FQU2N50BTU	-	RFQ	2171	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道			500 v	1.6A（TC）	10V	5.3OHM @ 800mA，10v	3.7V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
NGTD30T120F2SWK	-	RFQ	9465	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	死	NGTD30	标准			死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				-												沟渠场停止	1200 v		200 a	2.4V @ 15V，40a	-		-
EFC8822R-X-TF	-	RFQ	2791	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						EFC8822		-			-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	5,000													-
FDMS9410L-F085	-	RFQ	4655	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	FDMS94		MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	50A（TC）	10V	4.1MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 20 V	-	75W（TJ）
NUS5531MTR2G	-	RFQ	1940年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20V PNP，12V P通道		通用目的	表面安装	8-WDFN暴露垫	NUS5531				8-wdfn （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			2A PNP，5.47AP通道																						PNP，P通道
FDD6670AL	-	RFQ	8481	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD667		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
NTMFS4C05NAT1G	0.6331	RFQ	6225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
KSC2787RTA	-	RFQ	2447	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2787			250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	50 mA						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	40 @ 1mA，6v	300MHz
NTD95N02RG	-	RFQ	7181	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD95		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75		n通道			24 V	12a（12a），32a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	1.25W（ta），86W（tc）
FCP190N60E	-	RFQ	3433	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	FCP190		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3175 PF @ 25 V	-	208W（TC）
DTA143TET1	1.0000	RFQ	4812	Onmi	*	大部分	积极的						DTA143					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
NDF11N50ZH	-	RFQ	7411	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	NDF11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			500 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 25 V	-	39W（TC）
FQB22P10TM-F085	-	RFQ	3563	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		P通道			100 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），125W（（tc）
NGTB40N60L2WG	6.0800	RFQ	25	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		417 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V											73 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.61V @ 15V，40a	1.17MJ（在）上，280µJ off）	228 NC	98NS/213NS
FJP5027O	-	RFQ	8801	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	FJP5027			50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	200																	800 v	3 a						10µA（ICBO）	NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²