晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
KSC2331YTA	-	询价	8657	onsemi	-	切带 (CT)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	KSC2331		1W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000													60V	700毫安	100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	120@50mA，2V	50兆赫
NDD04N50Z-1G	-	询价	6758	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	NDD04	MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	500V	3A（温度）	10V	2.7欧姆@1.5A，10V	4.5V@50μA	12nC@10V	±30V	308pF@25V	-	61W（温度）
MPS651RLRB	0.0700	询价	16	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	2,000
前台 660	-	询价	3083	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	前台 660		500毫W	SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000													60V	2A	100nA（ICBO）	国民党	350mV@200mA，2A	100@500mA，2V	75兆赫
BC859CMTF	-	询价	4743	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC859		310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													30V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	150兆赫
FDB6690S	-	询价	6678	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB669	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	30V	42A（塔）	4.5V、10V	15.5毫欧@21A，10V	3V@1mA	15nC@5V	±20V	1238pF@15V	-	48W（温度）
MMBT3906TT1H	0.0400	询价	117	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
2SK4085LS	-	询价	2153	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK4085	MOSFET（金属O化物）		TO-220FI(LS)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	869-1042	EAR99	8541.29.0095	100		N沟道	500V	11A（温度）	10V	430mOhm@8A，10V	-	10V时为46.6nC	±30V	1200pF@30V	-	2W（Ta）、40W（Tc）
PN2222ABU	0.4200	询价	131	onsemi	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	PN2222		625毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000													40V	1A	10nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
CPH6614-TL-E	0.1400	询价	84	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
HUF75545S3	-	询价	5974	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	匈牙利福林75	MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道	80V	75A（温度）	10V	10毫欧@75A，10V	4V@250μA	235nC@20V	±20V	3750pF@25V	-	270W（温度）
FDT3N40TF	0.7100	询价	6408	onsemi	UniFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FDT3N40	MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	400V	2A（温度）	10V	3.4欧姆@1A，10V	5V@250μA	6nC@10V	±30V	225pF@25V	-	2W（温度）
SMMBT4401LT1G	0.3400	询价	22号	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMBT4401		300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	600毫安	-	NPN	750mV@50mA、500mA	100@150mA，1V	250兆赫
NVMFS6B14NWFT3G	-	询价	7459	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS6	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100伏	55A（温度）	10V	15毫欧@20A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±16V	1300pF@50V	-	3.8W（Ta）、94W（Tc）
IRFM120ATF	0.8300	询价	第595章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	红外FM120	MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	IRFM120ATTR	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	100伏	2.3A（塔）	10V	200毫欧@1.15A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	480pF@25V	-	2.4W（塔）
NXH010P90MNF1PTG	169.4400	询价	1800	onsemi	-	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	NXH010	碳化硅（SiC）	328W（Tj）	-	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NXH010P90MNF1PTG	EAR99	8541.29.0095	28	2 N 沟道（双）公共源		900V	154A（温度）		14毫欧@100A，15V	4.3V@40mA	546.4nC@15V		7007pF @ 450V	-
NTD4959N-1G	-	询价	4938	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币49元	MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	30V	9A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、11.5V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	25nC@11.5V	±20V	12V时为1456pF	-	1.3W（Ta）、52W（Tc）
2SB1144S	0.2000	询价	13	onsemi	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
2SC3393T-AC	-	询价	3277	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP			300毫W	3-SPA	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SC3393T-AC-488			1													50V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@10毫安，100毫安	100@10mA，5V	200兆赫
FW341-TL-E	0.3000	询价	17号	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
CPH3206-TL-E	0.1600	询价	30	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
2SD438F-MP-AE	0.1000	询价	154	onsemi	-	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SD438F-MP-AE	EAR99	8541.21.0075	1
NVMYS011N04CTWG	1.5800	询价	3301	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1023、4-LFPAK	NVMYS011	MOSFET（金属O化物）		LFPAK4 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	13A（Ta）、35A（Tc）	10V	12毫欧@10A，10V	3.5V@20μA	10V时为7.9nC	±20V	420pF@25V	-	3.8W（Ta）、28W（Tc）
BD135G	0.8500	询价	68	onsemi	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD135		1.25W	TO-126	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500													45V	1.5A	100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	-
2SD1111	0.4400	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
NTH4L040N120M3S	15.1100	询价	5708	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTH4L040N120M3S	EAR99	8541.29.0095	450		N沟道	1200伏	54A（温度）	18V	54毫欧@20A，18V	4.4V@10mA	75nC@18V	+22V，-10V	1700 pF @ 800 V	-	231W（温度）
FQA9N90-F109	-	询价	8806	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答9	MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道	900伏	8.6A（温度）	10V	1.3欧姆@4.3A，10V	5V@250μA	72nC@10V	±30V	2700pF@25V	-	240W（温度）
FDU8796	-	询价	8762	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FDU87	MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	25V	35A（温度）	4.5V、10V	5.7毫欧@35A，10V	2.5V@250μA	52nC@10V	±20V	13V时为2610pF	-	88W（温度）
BFL4001-1E	-	询价	6632	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	BFL40	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3全包/TO-220F-3SG	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	900伏	4.1A（温度）	10V	2.7欧姆@3.25A，10V	-	44nC@10V	±30V	850pF@30V	-	2W（Ta）、37W（Tc）
MMBT6428-SB10220	0.0200	询价	第1676章	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				SOT-23-3	-				2156-MMBT6428-SB10220			12,000															10nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	250@100μA，5V	700兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²