晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
FQA13N50CF_F109	-	询价	2080	onsemi	FRFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答1		MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道			500V	15A（温度）	10V	480毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	56nC@10V	±30V	2055pF@25V	-	218W（温度）
NVMFWS021N10MCLT1G	0.4169	询价	2968	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）		5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMFWS021N10MCLT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			100伏	8.4A（Ta）、31A（Tc）	4.5V、10V	23毫欧@7A，10V	3V@42μA	13nC@10V	±20V	850pF@50V	-	3.6W（Ta）、49W（Tc）
2SK715U-AC	-	询价	7564	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）		通孔	SC-72	2SK715			300毫W	3-SPA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人		N沟道			15V							10pF@5V										7.3毫安@5伏	600 mV @ 100 µA								50毫安
NTH027N65S3F-F155	23.0900	询价	第419章	onsemi	FRFET®、SuperFET® II	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-247-3	NTH027		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	75A（温度）	10V	27.4毫欧@35A，10V	5V@7.5mA	259nC@10V	±30V	7690 pF @ 400 V	-	595W（温度）
CPH5905G-TL-E	-	询价	9918	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	50V NPN、15V N 沟道		通用型	表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	CPH5905				5-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000			150mA NPN、50mA N沟道																						NPN、N沟道
NSS35200CF8TIG	1.0000	询价	6223	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-SMD，写入				635毫W	芯片FET™	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1																35V	2A							100纳安	国民党	300mV@20mA，2A	100 @ 1.5A，2V	100兆赫兹
NVH4L022N120M3S	42.4100	询价	8966	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVH4L022N120M3S	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			1200伏	68A（温度）	18V	30毫欧@40A，18V	4.4V@20mA	151nC@18V	+22V，-10V	800V时为3175pF	-	352W（温度）
2SJ670-TD-E	0.2600	询价	第974章	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
NVH4L060N065SC1	14.6100	询价	450	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-4	NVH4L060		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVH4L060N065SC1	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	47A（温度）	15V、18V	70毫欧@20A，18V	4.3V@6.5mA	74nC@18V		1473pF@325V	-	176W（温度）
2SK3819-DL-E	0.9600	询价	36	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
NTB45N06	1.0000	询价	5176	onsemi	-	管子	过时的						NTB45					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50
NTHD3101FT3	-	询价	4689	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-SMD，写入	NTHD31		MOSFET（金属O化物）		芯片FET™	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10,000		P沟道			20V	3.2A（Tj）	1.8V、4.5V	80毫欧@3.2A，4.5V	1.5V@250μA	7.4nC@4.5V	±8V	680pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.1W（塔）
CPH3462-TL-W	-	询价	3256	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	CPH3462		MOSFET（金属O化物）		3-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			100伏	1A（塔）	4V、10V	785毫欧@1A，10V	2.6V@1mA	3.4nC@10V	±20V	155pF@20V	-	1W（塔）
KSC5338DTU	1.6100	询价	8875	onsemi	-	管子	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3	KSC5338			75W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000																450伏	5A							100微安	NPN	500mV@200mA，1A	6@2A，1V	11兆赫兹
NTMTS0D7N06CTXG	12.8200	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	8-PowerTDFN	NTMTS0		MOSFET（金属O化物）		8-DFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			60V	60.5A（Ta）、464A（Tc）	10V	0.72mOhm@50A，10V	4V@250μA	152nC@10V	±20V	11535pF@30V	-	5W（Ta）、294.6W（Tc）
NTTFS4965NFTAG	-	询价	1026	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-		表面贴装	8-PowerWDFN	NTTFS4965		MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			30V	16.3A（Ta）、64A（Tc）		3.5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	10V时为29.4nC		2075pF@15V	-	-
NGB8207ABNT4G	0.6800	询价	30	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		逻辑		165W	D2PAK	下载					EAR99	8542.39.0001	1				-											-	365伏	20A	50A	2.2V@3.7V，10A	-	-
CPH6341-TL-EX	-	询价	7425	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150℃		表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	CPH634		MOSFET（金属O化物）		6-CPH	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			30V	5A（塔）	4V、10V	59毫欧@3A，10V	-	10nC@10V	±20V	430pF@10V	-	1.6W（塔）
FDS6910	1.2800	询价	9458	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）				30V	7.5A		13毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	24nC@10V		1130pF@15V	逻辑电平门
MMSF7N03ZR2	0.1900	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极											下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
NTD40N03RT4	-	询价	2539	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币40元		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			25V	7.8A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	16.5毫欧@10A、10V	2V@250μA	5.78nC@4.5V	±20V	584pF@20V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
FQA10N80	-	询价	第1470章	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答1		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			800V	9.8A（温度）	10V	1.05欧姆@4.9A，10V	5V@250μA	71nC@10V	±30V	2700pF@25V	-	240W（温度）
MUN5113DW1T1G	0.2500	询价	3148	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	模拟联合国51			187毫W	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安							500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V	-	47k欧姆	47k欧姆
NTMFS4921NT3G	-	询价	3982	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			30V	8.8A（Ta）、58.5A（Tc）	4.5V、11.5V	6.95毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	25nC@11.5V	±20V	1400pF@12V	-	870mW（Ta），38.5W（Tc）
FQP3N40	-	询价	8964	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3	FQP3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			400V	2.5A（温度）	10V	3.4欧姆@1.25A，10V	5V@250μA	10V时为7.5nC	±30V	230pF@25V	-	55W（温度）
SPS9499QRLRP	0.0200	询价	72	onsemi	*	大部分	的积极											-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
FDMC8462	2.4300	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN	FDMC84		MOSFET（金属O化物）		电源33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			40V	14A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	5.8毫欧@13.5A，10V	3V@250μA	43nC@10V	±20V	2660pF@20V	-	2W（Ta）、41W（Tc）
BC850BLT1	-	询价	3406	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC850			225毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	100毫安							15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	100兆赫兹
NVD4809NT4G	-	询价	4891	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD480		MOSFET（金属O化物）		DPAK-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	9.6A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、11.5V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	25nC@11.5V	±20V	12V时为1456pF	-	1.4W（Ta）、52W（Tc）
2SD1682T	0.1500	询价	22号	onsemi	*	大部分	的积极											下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²