SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 测试条件 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
CPH5901F-TL-E onsemi CPH5901F-TL-E -
RFQ
ECAD 1942年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 50V 放大器 表面安装 SOT-23-5薄,TSOT-23-5 CPH5901 5-CPH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 150mA NPN + FET
NGTB25N120IHLWG onsemi NGTB25N120IHLWG -
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 NGTB25 标准 192 w TO-247-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,25a,10ohm,15V - 1200 v 50 a 200 a 2.3V @ 15V,25a 800µJ(离) 200 NC - /235ns
FDMS8018 onsemi FDMS8018 1.7900
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS80 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(30A),120A (TC) 4.5V,10V 1.8mohm @ 30a,10v 3V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 5235 pf @ 15 V - 2.5W(ta),83W(tc)
FDMS86320 onsemi FDMS86320 1.6800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS86 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 10.5A(ta),22a(tc) 8V,10V 11.7mohm @ 10.5a,10v 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 2640 pf @ 40 V - 2.5W(TA),69w(tc)
FGD3040G2 onsemi FGD3040G2 -
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 Onmi Ecospark® 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FGD3040 逻辑 150 w TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300V,6.5a,1KOHM,5V - 400 v 41 a 1.25V @ 4V,6A - 21 NC - /4.8µs
FDC8886 onsemi FDC8886 0.6100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 FDC8886 MOSFET (金属 o化物) SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6.5a(6),8a tc(8a tc) 4.5V,10V 23mohm @ 6.5a,10v 3V @ 250µA 7.4 NC @ 10 V ±20V 465 pf @ 15 V - 1.6W(TA)
FGP10N60UNDF onsemi FGP10N60UNDF 1.9200
RFQ
ECAD 181 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FGP10N60 标准 139 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,10a,10ohm,15V 37.7 ns npt 600 v 20 a 30 a 2.45V @ 15V,10a (150µJ)(在50µJ)上(50µJ) 37 NC 8NS/52.2NS
FDMS3660S onsemi FDMS3660S 2.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3660 MOSFET (金属 o化物) 1W Power56 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 30a,60a 8mohm @ 13a,10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1765pf @ 15V 逻辑级别门
FGA5065ADF onsemi FGA5065ADF 4.8100
RFQ
ECAD 368 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA5065 标准 268 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,6ohm,15V 31.8 ns 沟渠场停止 650 v 100 a 150 a 2.2V @ 15V,50a 1.35MJ(在)上,309µJ(() 72.2 NC 20.8NS/62.4NS
NXH80T120L2Q0PG onsemi NXH80T120L2Q0PG -
RFQ
ECAD 5569 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 按适合 模块 NXH80T 146 w 标准 Q0PACK180AA - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 NXH80T120L2Q0PGO Ear99 8541.29.0095 24 T型 沟渠场停止 1200 v 65 a 2.8V @ 15V,80a 100 µA 是的 1.99 NF @ 20 V
CPH3448-TL-W onsemi CPH3448-TL-W -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CPH3448 MOSFET (金属 o化物) 3-CPH - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4A(ta) 1.8V,4.5V 50MOHM @ 2A,4.5V - 4.7 NC @ 4.5 V ±12V 430 pf @ 10 V - 1W(ta)
FGA3060ADF onsemi FGA3060ADF 2.8800
RFQ
ECAD 179 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA3060 标准 176 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V,30a,6ohm,15V 26 NS 沟渠场停止 600 v 60 a 90 a 2.3V @ 15V,30a (960µJ)(在165µj of)上(OFF) 37.4 NC 12NS/42.4NS
NVMFS5113PLT1G onsemi NVMFS5113PLT1G 2.8700
RFQ
ECAD 8906 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS5113 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 P通道 60 V 10a(10A),64A (TC) 4.5V,10V 14mohm @ 17a,10v 2.5V @ 250µA 83 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 3.8W(ta),150W(TC)
MCH5839-TL-W onsemi MCH5839-TL-W -
RFQ
ECAD 3879 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 5-SMD,平坦的铅 MCH58 MOSFET (金属 o化物) SC-88AFL/MCPH5 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.5A(TA) 1.8V,4.5V 266MOHM @ 750mA,4.5V 1.4V @ 1mA 1.7 NC @ 4.5 V ±10V 120 pf @ 10 V - 800MW(TA)
FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3 6.5000
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 Onmi SuperFet®III 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FCP067 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 44A(TC) 10V 67mohm @ 22a,10v 4.5V @ 4.4mA 78 NC @ 10 V ±30V 3090 pf @ 400 V - 312W(TC)
NTLUS3A90PZCTBG onsemi NTLUS3A90PZCTBG -
RFQ
ECAD 1925年 0.00000000 Onmi µ -Cool™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-Powerufdfn ntlus3a MOSFET (金属 o化物) 6-udfn(1.6x1.6) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.6a(ta) 1.5V,4.5V 62MOHM @ 4A,4.5V 1V @ 250µA 12.3 NC @ 4.5 V ±8V 950 pf @ 10 V - 600MW(TA)
NVMFS6B14NT3G onsemi NVMFS6B14NT3G -
RFQ
ECAD 8636 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS6 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 55A(TC) 10V 15mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±16V 1300 pf @ 50 V - 3.8W(ta),94W(tc)
FDB0190N807L onsemi FDB0190N807L 5.9700
RFQ
ECAD 775 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) FDB0190 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 80 V 270a(TC) 8V,10V 1.7MOHM @ 34A,10V 4V @ 250µA 249 NC @ 10 V ±20V 19110 PF @ 40 V - 3.8W(TA),250W(TC)
RJK5014DPK-00#T0 onsemi RJK5014DPK-00#t0 -
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 RJK5014 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
FDMS8350LET40 onsemi FDMS8350LET40 2.3785
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS8350 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 49A(TA),300A(tc) 4.5V,10V 0.85MOHM @ 47A,10V 3V @ 250µA 219 NC @ 10 V ±20V 16590 pf @ 20 V - 3.33W(TA),125W(((((((((((
2SA1020 onsemi 2SA1020 -
RFQ
ECAD 8653 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SA1020 900兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
2SA1020RLRAG onsemi 2SA1020RLAG -
RFQ
ECAD 2852 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) 2SA1020 900兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
BC557BZL1 onsemi BC557BZL1 -
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) BC557 625兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 100NA PNP 650mv @ 5mA,100mA 180 @ 2mA,5v 320MHz
BF245A onsemi BF245A -
RFQ
ECAD 9806 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BF245 - JFET TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 n通道 100mA - - -
BF245B onsemi BF245B -
RFQ
ECAD 6455 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BF245 - JFET TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 n通道 100mA - - -
BF256A onsemi BF256A -
RFQ
ECAD 6219 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BF256 800MHz JFET TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 n通道 7ma - 11DB -
BFR31LT1 onsemi BFR31LT1 -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFR31 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 25 v 5pf @ 10V 1 mA @ 10 V 2.5 V @ 0.5 Na
BS170RL1G onsemi BS170RL1G -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) BS170 MOSFET (金属 o化物) TO-92(to-226) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 60 V 500mA(ta) 10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 1mA ±20V 60 pf @ 10 V - 350MW(TA)
BS170ZL1G onsemi BS170ZL1G -
RFQ
ECAD 5542 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BS170 MOSFET (金属 o化物) TO-92(to-226) - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 60 V 500mA(ta) 10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 1mA ±20V 60 pf @ 10 V - 350MW(TA)
MMBF170LT3 onsemi MMBF170LT3 -
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBF17 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 500mA(ta) 10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 1mA ±20V 60 pf @ 10 V - 225MW(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库