RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MCH5835-TL-E	0.0700	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BCW33LT3G	0.2200	RFQ	49	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW33		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000														32 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	-
MTB4N40ET4-ON	0.9100	RFQ	147	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	800
NTD60N02R-35G	-	RFQ	8753	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
2SK3293-TD-E	0.2500	RFQ	151	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
HUF75631SK8T	-	RFQ	4627	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FCPF11N65_G	-	RFQ	8092	Onmi	-	大部分	过时的						FCPF11				-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1					-
irli510atu	-	RFQ	8031	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLI51	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	5.6A（TC）	5V	440MOHM @ 2.8A，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	3.8W（37W），37W（tc）
FQB24N08TM	-	RFQ	4275	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		80 V	24A（TC）	10V	60mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	750 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
NTJD1155LT2G	0.5400	RFQ	934	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD1155	MOSFET （金属 o化物）	400MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			8V	-		175MOHM @ 1.2A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	-
FDC2512_F095	-	RFQ	9184	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC2512	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	1.4a（ta）	6V，10V	425MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 75 V	-	1.6W（TA）
NTD95N02RT4	-	RFQ	1061	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD95	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		24 V	12a（12a），32a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	1.25W（ta），86W（tc）
FQPF9N50	-	RFQ	5377	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	5.3A（TC）	10V	730MOHM @ 2.65a，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SB1135R	-	RFQ	5138	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包			2 w	TO-220毫升	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB1135R-488			1														50 V	7 a	100µA（ICBO）	PNP	400mv @ 400mA，4a	100 @ 1A，2V	10MHz
NTMFS4C808NAT1G	0.5438	RFQ	3351	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500		n通道		30 V	（9A）（ta），52a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	（760MW）（TA），25.5W（tc）
kse44a11tu	-	RFQ	5576	Onmi	-	大部分	过时的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-KSE44A11TU	过时的		1
KSC5502TU	1.6600	RFQ	9864	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	KSC5502		50 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-KSC5502TU	Ear99	8541.29.0095	1,000														600 v	2 a	100µA	NPN	1.5V @ 200mA，1a	12 @ 500mA，2.5V	-
MCH3105-TL-E	-	RFQ	9777	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	MCH3105		800兆	3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	360MHz
2SC3331T	0.0200	RFQ	6042	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,229
NTS4101PT1	-	RFQ	9923	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	NTS410	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	1.37A（TA）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 100µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 20 V	-	329MW（TA）
NSTB1005DXV5T1G	0.0975	RFQ	8408	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50V		-	表面安装	SOT-553	NSTB1005			SOT-553	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000			100mA														1 npn，1 pnp- 预偏（二）
FQI5N40TU	-	RFQ	9499	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI5	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		400 v	4.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），70W（tc）
HUFA75309T3ST	-	RFQ	5853	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	3A（3A）	10V	70MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	352 PF @ 25 V	-	1.1W（TA）
2SK443-6-TB-E-ON	0.0700	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
ksa1015grta-on	0.0300	RFQ	23	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SC3117S	0.2400	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MBT2222ADW1T	0.0200	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
Smun2232T1	-	RFQ	5443	Onmi	*	大部分	积极的						Smun2232				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				3,000
NST1602CLTWG	0.2459	RFQ	4140	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）		表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56			800兆	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NST1602CLTWGTR	Ear99	8541.21.0075	3,000														160 v	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	140mv @ 50mA，500mA	140 @ 100mA，5V	100MHz
FDB14AN06LA0-F085	-	RFQ	7949	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB14AN06	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	67A（TC）	5V，10V	11.6mohm @ 67a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²