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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVH4L060N065SC1	14.6100	RFQ	450	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	NVH4L060	sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVH4L060N065SC1	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	47A（TC）	15V，18V	70mohm @ 20a，18v	4.3V @ 6.5mA	74 NC @ 18 V		1473 PF @ 325 V	-	176W（TC）
NVTFS003N04CTAG	1.7000	RFQ	7995	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS003	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	22a（22A），103a（tc）	10V	3.5MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 60µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），69w（tc）
NVMFS5833NLT1G	-	RFQ	9397	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5833	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	16A（TA）	10V	7.5mohm @ 40a，10v	3.5V @ 250µA	32.5 NC @ 10 V	±20V	1714 PF @ 25 V	-	3.7W（TA）
MPQ7091	0.6700	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
NVMFS5C442NWFET1G	1.0181	RFQ	1941年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C442NWFET1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	29A（ta），140a（tc）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 90µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
2SD734F	0.1400	RFQ	39	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			600兆	3-np	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SD734F	Ear99	8541.21.0075	2,219												20 v	700 MA	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，500mA	160 @ 50mA，2V	250MHz
NVD5890NLT4G-VF01	-	RFQ	6667	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVD5890NLT4G-VF01TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	24A（24A），123A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	（4W）（107W（ta）（TC）
BVSS84LT3G	-	RFQ	8462	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BVSS84	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA	2.2 NC @ 10 V	±20V	36 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
NVMFS5C430NLWFET1G	1.3058	RFQ	3271	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C430NLWFET1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	38a（TA），200A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
FDMS86255ET150	6.0200	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86255	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	150 v	10a（10a），63a tc（63a）（TC）	6V，10V	12.4mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4480 pf @ 75 V	-	3.3W（TA），136W（tc）
NTMFS5844NLT1G	-	RFQ	1647年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5844	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	11.2a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），107W（tc）
FDD86381-F085	1.2000	RFQ	21	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86381	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	25A（TC）	10V	21mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	866 pf @ 40 V	-	48.4W（TJ）
NTLJS3180PZTAG	-	RFQ	8073	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS31	MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	3.5A（ta）	1.5V，4.5V	38mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 16 V	-	700MW（TA）
MCH6331-TL-W	-	RFQ	8789	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH63	MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	3.5A（ta）	4V，10V	98mohm @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	5 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
FDD8770	-	RFQ	4139	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD877	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
FQP5N20	-	RFQ	8046	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	52W（TC）
MCH6436-TL-E	0.2153	RFQ	2596	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH64	MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6a（6a）	1.8V，4.5V	34mohm @ 3A，4.5V	-	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	710 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
5LP01M-TL-H	-	RFQ	7811	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	5LP01	MOSFET （金属 o化物）		MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	50 V	70mA（ta）	1.5V，4V	23ohm @ 40mA，4V	-	1.4 NC @ 10 V	±10V	7.4 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
2SB825R	0.6200	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FQAF6N80	-	RFQ	6629	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF6	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360	n通道	800 v	4.4A（TC）	10V	1.95OHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	90W（TC）
NVMJD016N06CTWG	0.6108	RFQ	9076	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NVMJD016	-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD016N06CTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000										-
NVMFS6B05NT1G	-	RFQ	5900	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）
MCH5835-TL-E	0.0700	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BCW33LT3G	0.2200	RFQ	49	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW33		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000												32 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	-
MTB4N40ET4-ON	0.9100	RFQ	147	Onmi	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	800
NTD60N02R-35G	-	RFQ	8753	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
2SK3293-TD-E	0.2500	RFQ	151	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
HUF75631SK8T	-	RFQ	4627	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FCPF11N65_G	-	RFQ	8092	Onmi	-	大部分	过时的				FCPF11				-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1			-
irli510atu	-	RFQ	8031	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLI51	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	5.6A（TC）	5V	440MOHM @ 2.8A，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	3.8W（37W），37W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²