晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)
NVHL060N090SC1	1900年22月	询价	第434章	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NVHL060		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVHL060N090SC1	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		900伏	46A（温度）	15V	84毫欧@20A，15V	4.3V@5mA	15V时为87nC	+19V，-10V	1770 pF @ 450 V	-	221W（温度）
NGTB20N120IHRWG	5.8200	询价	68	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NGTB20	标准		384 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			600V，20A，10欧姆，15V											沟渠场站	1200伏	40A	120A	2.45V@15V，20A	450μJ（关闭）	225℃	-/235ns
PN4275_D26Z	-	询价	1626	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN427			350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000															15V	200毫安						400nA（ICBO）	NPN	500毫伏@10毫安，100毫安	35@10mA，1V	-
MMUN2215LT1	-	询价	4810	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMUN2215			246毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V		10欧姆
CPH6635-TL-H	-	询价	2650	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	CPH663		MOSFET（金属O化物）	800毫W	6-CPH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道			30V、20V	400毫安，1.5安		3.7欧姆@80mA，4V	-	1.58nC@10V		7pF@10V	逻辑电平门
2SD1111	0.4400	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
2SD438F-MP-AE	0.1000	询价	154	onsemi	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SD438F-MP-AE	EAR99	8541.21.0075	1
BD135G	0.8500	询价	68	onsemi	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD135			1.25W	TO-126	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500															45V	1.5A						100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	-
NTTFS4C55NTAG	-	询价	7229	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-PowerWDFN	NTFS4		-		8-WDFN (3.3x3.3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		-			-		-	-				-	-
2SC3331T	0.0200	询价	6042	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,229 人
FDS6673BZ-G	0.6600	询价	126	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	2832-FDS6673BZ-GTR	EAR99	8541.29.0095	第758章		P沟道		30V	14.5A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@14.5A，10V	3V@250μA	65nC@5V	±25V	4700pF@15V	-	1W（塔）
BC857BTT1G	0.1700	询价	5	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	BC857			200毫W	SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															45V	100毫安						15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	100兆赫兹
NVMYS011N04CTWG	1.5800	询价	3301	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1023、4-LFPAK	NVMYS011		MOSFET（金属O化物）		LFPAK4 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	13A（Ta）、35A（Tc）	10V	12毫欧@10A，10V	3.5V@20μA	10V时为7.9nC	±20V	420pF@25V	-	3.8W（Ta）、28W（Tc）
2SK2169-AZ	0.0900	询价	177	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
FQA9N90-F109	-	询价	8806	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答9		MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道		900伏	8.6A（温度）	10V	1.3欧姆@4.3A，10V	5V@250μA	72nC@10V	±30V	2700pF@25V	-	240W（温度）
NDB6020P	-	询价	8297	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-65°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NDB602		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		20V	24A（温度）	4.5V	50毫欧@12A，4.5V	1V@250μA	35nC@5V	±8V	1590pF@10V	-	60W（温度）
FTCO3V455A1	-	询价	8102	onsemi	SPM®	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	19-PowerDIP模块	FTCO3V455		MOSFET（金属O化物）	115W	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2832-FTCO3V455A1	EAR99	8541.29.0095	44	6 个 N 沟道（路面桥）			40V	150A		1.66毫欧@80A，10V	-	-		-	逻辑电平门
BC560CZL1	-	询价	4143	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BC560			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															45V	100毫安						15nA（ICBO）	国民党	250mV@5mA、100mA	380@2mA，5V	250兆赫
NVMFS6B05NT1G	-	询价	5900	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS6		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		100伏	114A（温度）	10V	8毫欧@20A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±16V	3100pF@25V	-	3.8W（Ta）、165W（Tc）
ISL9V5045S3ST-F085	5.2100	询价	1	onsemi	汽车、AEC-Q101、EcoSPARK®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	ISL9V5045	逻辑		300W	D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			300V、1kΩ、5V											-	480伏	51A		1.6V@4V，10A	-	32nC	-/10.8μs
2SA1450T-AA	0.0700	询价	33	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
FDMA3027PZ	-	询价	5047	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址3027		MOSFET（金属O化物）	700毫W	6-MicroFET (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			30V	3.3A		87毫欧@3.3A，10V	3V@250μA	10nC@10V		435pF@15V	逻辑电平门
NVD5867NLT4G	-	询价	7335	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD586		MOSFET（金属O化物）		DPAK-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	6A（Ta）、22A（Tc）	4.5V、10V	39毫欧@11A，10V	2.5V@250μA	15nC@10V	±20V	675pF@25V	-	3.3W（Ta）、43W（Tc）
50A02SP	-	询价	4433	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500
NTB75N03-006	-	询价	2514	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		30V	75A（温度）	10V	6.5毫欧@37.5A，10V	2V@250μA	75nC@5V	±20V	5635pF@25V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
NTMSD3P102R2SG	-	询价	第1389章	onsemi	FETKY™	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NTMSD3		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人		P沟道		20V	2.34A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@3.05A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	750pF@16V	肖特基分散（隔离）	730毫W（塔）
HUF75652G3	10.2100	询价	3176	onsemi	超场效应晶体管™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	湖南福林75652		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		100伏	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	475nC@20V	±20V	7585pF@25V	-	515W（温度）
MJH11018G	-	询价	7167	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
FDMC8651	1.5500	询价	5558	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMC86		MOSFET（金属O化物）		电源33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	15A（Ta）、20A（Tc）	2.5V、4.5V	6.1毫欧@15A，4.5V	1.5V@250μA	27.2nC@4.5V	±12V	15V时为3365pF	-	2.3W（Ta）、41W（Tc）
MCH6606-TL-E	-	询价	9032	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的				MCH6606		-			-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000												-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²