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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVBL099N65S3	-	RFQ	1722年	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						NVBL099					-				488-NVBL099N65S3TR			1
HUFA75639G3	-	RFQ	4451	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		n通道			100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
NTD12N10G	-	RFQ	6432	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD12		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			100 v	12a（12a）	10V	165mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	1.28W（TA），56.6W（tc）
NVTFS6H860NLTAG	1.1400	RFQ	1493	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS6H860NLTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			80 V	8.1a（ta），30a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 5a，10v	2V @ 30µA	12 nc @ 10 V	±20V	610 PF @ 40 V	-	3.1W（ta），42W（tc）
FCPF380N65FL1-F154	3.2100	RFQ	990	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF380N65FL1-F154	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	10.2A（TC）		380MOHM @ 5.1A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 100 V	-	33W（TC）
2SB883	1.2100	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TIG065E8-TL-H	0.8200	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	8-SMD，平坦的铅	TIG065	标准			8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				-											-	400 v		150 a	7V @ 2.5V，100a	-	-
2SB1144S	0.2000	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
2SC4270-4-TB-E	0.0800	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
DTA124E	0.0200	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的						DTA124					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
J108_D27Z	-	RFQ	8660	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J108			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道										-										25 v	80 ma @ 15 V	3 V @ 10 na		8欧姆
KSD1413TU	-	RFQ	9860	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	KSD1413			2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																40 V	3 a								20µA（ICBO）		npn-达灵顿	1.5V @ 4mA，2a	2000 @ 1A，2V	-
EMC3DXV5T1G	0.4400	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50V		-	表面安装	SOT-553	EMC3DXV5				SOT-553	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000			100mA																								1 npn，1 pnp- 预偏（二）
NVD5C632NLT4G	3.6700	RFQ	6809	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C632		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	29a（ta），155a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	（4W）（115W（ta）（TC）
FQI7P06TU	-	RFQ	8460	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			60 V	7A（TC）	10V	410MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），45W（tc）
SFT1431-W	-	RFQ	6229	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT143		MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			35 v	11a（11a）	4V，10V	25mohm @ 5.5a，10v	2.6V @ 1mA	17.3 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
FDS8958B_G	-	RFQ	3878	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-so	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道				30V	6.4a，4.5a		26mohm @ 6.4a，10v，51Mohm @ 4.5a，10v	3V @ 250µA	5.8nc @ 4.5V，9.6nc @ 4.5V		540pf @ 15V，760pf @ 15V	-
KSB811YTA	-	RFQ	8387	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSB811			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	1 a								100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
NVMFS5C430NWFT1G	-	RFQ	8530	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			40 V	185a（TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
FDY301NZ_G	-	RFQ	7027	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-89，SOT-490	FDY30		MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
FDMS0309AS_SN00347	-	RFQ	8645	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	FDMS03		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	21a（21a），49a （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 21A，10V	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
SPS9544QRLRP	1.0000	RFQ	8067	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响				2,000
MTD15N06V1	-	RFQ	1751年	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NTH027N65S3F-F155	23.0900	RFQ	419	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	NTH027		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			650 v	75A（TC）	10V	27.4mohm @ 35a，10v	5V @ 7.5mA	259 NC @ 10 V	±30V	7690 pf @ 400 V	-	595W（TC）
ZSPM9000AI1R	-	RFQ	6427	Onmi	*	大部分	过时的						ZSPM90					-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRFM220BTF_FP001	-	RFQ	5086	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFM2		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			200 v	1.13A（TC）	10V	800MOHM @ 570mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
FQB32N12V2TM	-	RFQ	1365	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB3		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			120 v	32A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
NTH4L045N065SC1	15.3100	RFQ	540	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			650 v	55A（TC）	15V，18V	50mohm @ 25a，18v	4.3V @ 8mA	105 NC @ 18 V	+22V，-8V	1870 pf @ 325 V	-	187W（TC）
NTD600N80S3Z	2.3800	RFQ	65	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			800 v	8a（TJ）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.8V @ 180µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	725 PF @ 400 V	-	60W（TC）
FCPF360N65S3R0L-F154	2.9900	RFQ	5901	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FCPF360		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	10a（TJ）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 200µA	18 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 400 V	-	27W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²