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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f) 电流消耗 (Id) - 最大
2SA1973-5-TB-E onsemi 2SA1973-5-TB-E -
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ECAD 7344 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SA1973-5-TB-E-488 1
MMBFJ175LT3G onsemi MMBFJ175LT3G 0.4500
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ECAD 9 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBFJ175 225毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000 P沟道 11pF @ 10V (VGS) 30V 7毫安@15伏 3V@10nA 125欧姆
FGPF7N60LSDTU onsemi FGPF7N60LSDTU -
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ECAD 4730 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 FGPF7 标准 45W TO-220F-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 300V,7A,470欧姆,15V 65纳秒 - 600伏 14A 21A 2V@15V,7A 270μJ(开),3.8mJ(关) 24nC 120纳秒/410纳秒
NGTB15N120FLWG onsemi NGTB15N120FLWG -
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ECAD 7243 0.00000000 onsemi * 管子 过时的 NGTB15 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 30
NTD4906NT4G onsemi NTD4906NT4G -
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ECAD 6671 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 新台币49元 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 10.3A(Ta)、54A(Tc) 4.5V、10V 5.5毫欧@30A,10V 2.2V@250μA 24nC@10V ±20V 1932pF@15V - 1.38W(Ta)、37.5W(Tc)
MMBF170LT3 onsemi MMBF170LT3 -
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ECAD 4036 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBF17 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 (TO-236) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000 N沟道 60V 500mA(塔) 10V 5欧姆@200mA,10V 3V@1mA ±20V 60pF@10V - 225毫W(塔)
2SD1111-AA onsemi 2SD1111-AA -
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ECAD 6161 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 600毫W 3-NP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SD1111-AA-488 1 50V 700毫安 100nA(ICBO) NPN-达林顿 1.2V@100μA,100mA 5000@50mA,2V 200兆赫
SGR20N40LTF onsemi SGR20N40LTF -
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ECAD 1221 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 SGR20 标准 45W TO-252AA 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,000 - 400V 150A 8V@4.5V,150A - -
FGH15T120SMD-F155 onsemi FGH15T120SMD-F155 -
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ECAD 5476 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 FGH15 标准 333 W TO-247-3 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 30 600V,15A,34欧姆,15V 72纳秒 沟渠场站 1200伏 30A 60A 2.4V@15V,15A 1.15mJ(开),460μJ(关) 128nC 32纳秒/490纳秒
FDC8886 onsemi FDC8886 0.6100
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ECAD 15 0.00000000 onsemi PowerTrench® 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 FDC8886 MOSFET(金属O化物) 超级SOT™-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 6.5A(Ta)、8A(Tc) 4.5V、10V 23毫欧@6.5A,10V 3V@250μA 10V时为7.4nC ±20V 465pF@15V - 1.6W(塔)
NVTFWS014P04M8LTAG onsemi NVTFWS014P04M8LTAG 1.0200
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ECAD 9734 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerWDFN NVTFWS014 MOSFET(金属O化物) 8-WDFN (3.3x3.3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 P沟道 40V 11.3A(Ta)、49A(Tc) 4.5V、10V 13.8毫欧@15A,10V 2.4V@420μA 10V时为26.5nC ±20V 1734pF@20V - 3.2W(Ta)、61W(Tc)
TF262TH-4-TL-H onsemi TF262TH-4-TL-H -
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ECAD 4613 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 3-SMD,写入 TF262 100毫W VTFP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 8,000 N沟道 3.5pF@2V 2V时为140μA 200 mV @ 1 µA 1毫安
FDD14AN06LA0-F085 onsemi FDD14AN06LA0-F085 -
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ECAD 3927 0.00000000 onsemi 汽车、AEC-Q101、PowerTrench® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 FDD14AN06 MOSFET(金属O化物) TO-252AA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 60V 9.5A(Ta)、50A(Tc) 5V、10V 11.6毫欧@50A,10V 3V@250μA 32nC@5V ±20V 2810pF@25V - 125W(温度)
RFP50N05L onsemi RFP50N05L -
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ECAD 1508 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 RFP50 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 400 N沟道 50V 50A(温度) 4V、5V 22mOhm@50A,5V 2V@250μA 140nC@10V ±10V - 110W(温度)
FDMS86202ET120 onsemi FDMS86202ET120 6.3700
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ECAD 19号 0.00000000 onsemi PowerTrench® 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerTDFN FDMS86202 MOSFET(金属O化物) 8-PQFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 120V 13.5A(Ta)、102A(Tc) 6V、10V 7.2毫欧@13.5A,10V 4V@250μA 64nC@10V ±20V 4585pF@60V - 3.3W(Ta)、187W(Tc)
2SA1753-7-TB-E onsemi 2SA1753-7-TB-E 0.0700
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ECAD 第351章 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
KSC1674RTA onsemi KSC1674RTA -
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ECAD 5368 0.00000000 onsemi - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 KSC1674 250毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 - 20V 20毫安 NPN 40@1mA,6V 600兆赫 3dB ~ 5dB @ 100MHz
NVMFD030N06CT1G onsemi NVMFD030N06CT1G 0.9440
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ECAD 7892 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerTDFN NVMFD030 MOSFET(金属O化物) 3.2W(Ta)、23W(Tc) 8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-双) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 488-NVMFD030N06CT1GTR EAR99 8541.29.0095 1,500人 2 个 N 沟道(双) 60V 7A(Ta)、19A(Tc) 29.7毫欧@3A,10V 4V@13μA 4.7nC@10V 255pF@30V -
2SB824S onsemi 2SB824S 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
PN4092_J18Z onsemi PN4092_J18Z -
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ECAD 2619 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) PN409 625毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 N沟道 16pF@20V 40V 15毫安@20伏 2V@1nA 50欧姆
J202_D26Z onsemi J202_D26Z -
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ECAD 8654 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 J202 625毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 N沟道 - 40V 20V时为900μA 800毫伏@10纳安
NTMFS4C922NAT3G onsemi NTMFS4C922NAT3G 0.8003
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ECAD 7091 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 NTMFS4 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 488-NTMFS4C922NAT3GTR EAR99 8541.29.0095 5,000
NTBL050N65S3H onsemi NTBL050N65S3H 10.2600
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerSFN MOSFET(金属O化物) 8-HPSOF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 488-NTBL050N65S3HTR EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 650伏 49A(温度) 10V 50毫欧@24.5A,10V 4V@4.8mA 98nC@10V ±30V 4880 pF @ 400 V - 305W(温度)
2SB764F onsemi 2SB764F 0.1900
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ECAD 6 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1
2SK1449 onsemi 2SK1449 3.2900
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ECAD 900 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-2SK1449-488 1
NGB8206ANSL3G onsemi NGB8206ANSL3G 0.7200
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB NGB8206 逻辑 150W D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 300V、9A、1kOhm、5V - 390伏 20A 50A 1.9V@4.5V,20A - -/5μs
FGB3236-F085 onsemi FGB3236-F085 1.8066
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ECAD 5013 0.00000000 onsemi 汽车、AEC-Q101、EcoSPARK® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB FGB3236 逻辑 187 W D²PAK (TO-263) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 300V、1kΩ、5V - 360伏 44A 1.4V@4V,6A - 20nC -/5.4μs
NVMYS6D2N06CLTWG onsemi NVMYS6D2N06CLTWG 1.6500
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ECAD 3 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1023、4-LFPAK NVMYS6 MOSFET(金属O化物) LFPAK4 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 17A(Ta)、71A(Tc) 6.1毫欧@35A,10V 2V@53μA 20nC@10V ±20V 1400pF@25V - 3.6W(Ta)、61W(Tc)
IRFS644BYDTU_AS001 onsemi IRFS644BYDTU_AS001 -
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ECAD 7435 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 红外FS6 MOSFET(金属O化物) TO-220F-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 250伏 14A(温度) 10V 280毫欧@7A,10V 4V@250μA 60nC@10V ±30V 1600pF@25V - 43W(温度)
KSC1009YTA-ON onsemi KSC1009YTA-ON 0.0300
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ECAD 32 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 800毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 140伏 700毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@20毫安,200毫安 120@50mA,2V 50兆赫
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库