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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS3622SF121	-	RFQ	3882	Onmi	-	大部分	过时的				FDMS3622		-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1												-
PCISL9R860W	-	RFQ	1386	Onmi	-	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SJ306	0.5200	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的										-				2156-2SJ306			577
MMBT6428-SB10220	0.0200	RFQ	1676年	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						SOT-23-3	-				2156-MMBT6428-SB10220			12,000																								10NA（ICBO）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 100µA，5V	700MHz
RJK03E2DNS-00＃j5	-	RFQ	5128	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-hwson（3.3x3.3）	-				2156-RJK03E2DNS-00＃j5			1		n通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	12.5W（TC）
2SC3149M	0.3600	RFQ	3	Onmi	-	大部分	过时的										-				2156-2SC3149M			825
NSVBC123JDXV6T1G	-	RFQ	6417	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVBC123			357MW		SOT-563	下载				488-NSVBC123JDXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1															50V	100mA								500NA				2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
NVMFWS004N10MCT1G	-	RFQ	8338	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powertdfn，5个线索	NVMFWS004		MOSFET （金属 o化物）			5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）	下载				488-NVMFWS004N10MCT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	21a（21A），138a（tc）	10V	3.9mohm @ 48a，10v	4V @ 270µA	48 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），164w（tc）
NSVBC143JPDXV6T1G	-	RFQ	7104	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVBC143			357MW		SOT-563	下载				488-NSVBC143JPDXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1															50V	100mA								500NA				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2KOHM，47KOHM	47kohms
PCRU420D-R4707	-	RFQ	7776	Onmi	-	大部分	上次购买				PCRU420						-				488-PCRU420D-R4707	Ear99	8541.29.0095	1
FAM04V18DT1	-	RFQ	4903	Onmi	-	大部分	过时的				FAM04		-				下载				488-FAM04V18DT1	过时的		1												-
NVB055N60S5F	4.6942	RFQ	800	Onmi	FRFET®，SuperFet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NVB055		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVB055N60S5FTR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		600 v	45A（TC）	10V	55mohm @ 22.5a，10v	4.8V @ 5.2mA	85.2 NC @ 10 V	±30V	4603 PF @ 400 V	-	278W（TC）
NVLJWS022N06CLTAG	0.3079	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6 PowerWDFN	NVLJWS022		MOSFET （金属 o化物）			6-WDFNW （2.05x2.05）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVLJWS022N06CLTAGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	7.2A（ta），25a tc）（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2V @ 77µA	7.6 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 25 V	-	2.4W（28W），28W（tc）
NXH240B120H3Q1PG-R	151.8600	RFQ	21	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH240			158 w	标准	32-PIM（71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH240B120H3Q1PG-R	Ear99	8541.29.0095	21	三级逆变器													沟渠场停止	1200 v	68 a		2V @ 15V，80a						400 µA	是的	18.151 NF @ 20 V
NXH800A100L4Q2F2S2G	130.4500	RFQ	3321	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH800			714 w	标准	51-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH800A100L4Q2F2S2G	Ear99	8541.29.0095	36	三级逆变器													沟渠场停止	1000 v	309 a		2.3V @ 15V，400A						20 µA	是的	49.7 NF @ 20 V
NXH400N100L4Q2F2SG	198.5200	RFQ	2902	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH400			980 w	标准	48-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH400N100L4Q2F2SG	Ear99	8541.29.0095	12	三级逆变器													沟渠场停止	1000 v	360 a		2.2V @ 15V，400A						25 µA	是的	26.06 NF @ 20 V
NXH600B100H4Q2F2SG	275.6300	RFQ	36	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH600			511 w	标准	44-PIM（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH600B100H4Q2F2SG	Ear99	8541.29.0095	36	三级逆变器													沟渠场停止	1000 v	192 a		2.3V @ 15V，200a						10 µA	是的	13.256 NF @ 20 V
FDY1002PZ-G	-	RFQ	7671	Onmi	PowerTrench®	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666			MOSFET （金属 o化物）	446MW（TA）		SOT-563	-				488-FDY1002PZ-G			1	2个p通道			20V	830mA ta）		500MOHM @ 830mA，4.5V	1V @ 250µA	3.1nc @ 4.5V		135pf @ 10V	逻辑级别门
NVBL099N65S3	-	RFQ	1722年	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NVBL099						-				488-NVBL099N65S3TR			1
HUFA75639G3	-	RFQ	4451	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		n通道		100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
NTD12N10G	-	RFQ	6432	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD12		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		100 v	12a（12a）	10V	165mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	1.28W（TA），56.6W（tc）
NVTFS6H860NLTAG	1.1400	RFQ	1493	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS6H860NLTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	8.1a（ta），30a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 5a，10v	2V @ 30µA	12 nc @ 10 V	±20V	610 PF @ 40 V	-	3.1W（ta），42W（tc）
FCPF380N65FL1-F154	3.2100	RFQ	990	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF380N65FL1-F154	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	10.2A（TC）		380MOHM @ 5.1A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 100 V	-	33W（TC）
2SB883	1.2100	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TIG065E8-TL-H	0.8200	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TIG065	标准				8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			-											-	400 v		150 a	7V @ 2.5V，100a	-	-
2SB1144S	0.2000	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
2SC4270-4-TB-E	0.0800	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
DTA124E	0.0200	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的				DTA124						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
J108_D27Z	-	RFQ	8660	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J108			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道									-										25 v	80 ma @ 15 V	3 V @ 10 na				8欧姆
KSD1413TU	-	RFQ	9860	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1413			2 w		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															40 V	3 a								20µA（ICBO）				npn-达灵顿	1.5V @ 4mA，2a	2000 @ 1A，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²