晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
NXH300B100H4Q2F2SG-R	265.1700	询价	4026	onsemi	-	托盘	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)		安装结构	模块	NXH300			194 W	标准	53-PIM/Q2PACK (93x47)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NXH300B100H4Q2F2SG-R	EAR99	8541.29.0095	12	半桥逆变器															沟渠场站	1000伏	73A		2.25V@15V，100A				800微安	是的	6.323nF@20V
BC556BU	-	询价	8318	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC556			500毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																	65V	100毫安						15nA（ICBO）			国民党	650mV@5mA、100mA	110@2mA，5V	150兆赫
NSTB1005DXV5T1G	0.0975	询价	8408	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	50V		-	表面贴装	SOT-553	NSTB1005					SOT-553	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000			100毫安																								1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）
2SB1119T-TD-E	0.1800	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1,000
MMBT4403-ON	-	询价	4175	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				350毫W		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	40V	600毫安						100纳安			国民党	750mV@50mA、500mA	100@150mA，2V	200兆赫
FSS234-TL-E	0.9000	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
2SD1936U-AC	0.1500	询价	65	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	2,049 人
FDU2572	-	询价	第3139章	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FDU25		MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道				150伏	4A（Ta）、29A（Tc）	6V、10V	54mOhm@9A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	135W（温度）
EFC4612R-W-TR	-	询价	5199	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	4-XFBGA	EFC4612					EFCP1313-4CC-037	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000
KSC2787YTA	-	询价	2185	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3短体	KSC2787			250毫W		TO-92S	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	30V	50毫安						100nA（ICBO）			NPN	300mV@1mA、10mA	120@1mA，6V	300兆赫
NTNS155N03CTCG	-	询价	6488	onsemi	-	大部分	过时的						NTNS155		-				-			REACH 不出行	488-NTNS155N03CTCG	EAR99	8541.29.0095	1														-
SMMUN2216LT3G	0.0429	询价	3746	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMUN2216			246毫W		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000																	50V	100毫安						500纳安			NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V		4.7欧姆
NDC631N	-	询价	6895	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	NDC631		MOSFET（金属O化物）			超级SOT™-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				20V	4.1A（塔）	2.7V、4.5V	60毫欧@4.1A，4.5V	1V@250μA	14nC@4.5V	8V	365pF@10V	-	1.6W（塔）
FDW2516NZ	-	询价	3455	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	FDW25		MOSFET（金属O化物）	1.1W		8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）					20V	5.8A		30mOhm@5.8A，4.5V	1.5V@250μA	12nC@5V		745pF@10V	逻辑电平门
BCW65CLT1	-	询价	1015	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW65			225毫W		SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	32V	800毫安						20纳安			NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	100兆赫兹
NVTFWS005N04CTAG	1.5800	询价	2130	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装，可湿侧面	8-PowerWDFN	NVTFWS005		MOSFET（金属O化物）			8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道				40V	17A（Ta）、69A（Tc）	10V	5.6毫欧@35A，10V	3.5V@40μA	16nC@10V	±20V	1000pF@25V	-	3.1W（Ta）、50W（Tc）
FDMS9409-F085	-	询价	7923	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	8-PowerVDFN	FDMS94		MOSFET（金属O化物）			电源56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				40V	65A（温度）	10V	3.2毫欧@65A，10V	4V@250μA	62nC@10V	±20V	3130pF@20V	-	100W（焦）
FGI40N60SFTU	-	询价	第1154章	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	FGI4	标准		290W		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				400V、40A、10欧姆、15V												场站	600伏	80A	120A	2.9V@15V，40A	1.13mJ（开），310μJ（关）	120℃	25纳秒/115纳秒
FDFMA2P853T	-	询价	4545	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽），7引脚	频分多址2		MOSFET（金属O化物）			7-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道				20V	3A（塔）	1.8V、4.5V	120mOhm@3A，4.5V	1.3V@250μA	6nC@4.5V	±8V	435pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.4W（塔）
NSVF6001SB6T1G	0.6400	询价	3	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	NSVF6001			800毫W		6-CPH	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000					11分贝												12V	100毫安									NPN		90@30mA，5V	6.7GHz			1.1dB@1GHz
BC338TFR	-	询价	第1759章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC338			625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	25V	800毫安						100纳安			NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
NSVMUN5334DW1T1G	0.3700	询价	8652	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	NSVMUN5334			250毫W		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安						500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	250mV@1mA、10mA	80@5mA，10V	-	22k欧姆	47k欧姆
BC847CWT1	-	询价	5929	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	SC-70、SOT-323	BC847			150毫W		SC-70-3 (SOT323)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	100兆赫兹
NTJD4158CT1G	0.4300	询价	6287	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	NTJD4158		MOSFET（金属O化物）	270毫W		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道					30V、20V	250毫安、880毫安		1.5欧姆@10mA，4.5V	1.5V@100μA	1.5nC@5V		33pF@5V	逻辑电平门
FPF2G120BF07ASP	-	询价	3746	onsemi	-	托盘	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)		通孔	模块	FPF2			156W	标准	F2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70	3 独立															场站	650伏	40A		2.2V@15V，40A				250微安	是的
NVMTS1D2N08H	6.4900	询价	8873	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	8-PowerTDFN	NVMT1		MOSFET（金属O化物）			8-DFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				80V	43.5A（Ta）、337A（Tc）	10V	1.1毫欧@90A，10V	4V@590μA	147nC@10V	±20V	10100pF@40V	-	5W（塔）、300W（TC）
FDB6690S	-	询价	6678	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB669		MOSFET（金属O化物）			D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				30V	42A（塔）	4.5V、10V	15.5毫欧@21A，10V	3V@1mA	15nC@5V	±20V	1238pF@15V	-	48W（温度）
FDT3N40TF	0.7100	询价	6408	onsemi	UniFET™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FDT3N40		MOSFET（金属O化物）			SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道				400V	2A（温度）	10V	3.4欧姆@1A，10V	5V@250μA	6nC@10V	±30V	225pF@25V	-	2W（温度）
MMBT3906TT1H	0.0400	询价	117	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
HUF75545S3	-	询价	5974	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）			I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				80V	75A（温度）	10V	10毫欧@75A，10V	4V@250μA	235nC@20V	±20V	3750pF@25V	-	270W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²