晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电流消耗 (Id) - 最大
FCP190N60E	-	询价	3433	onsemi	SuperFET® II	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FCP190		MOSFET（金属O化物）			TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	20.6A（温度）	10V	190毫欧@10A，10V	3.5V@250μA	82nC@10V	±20V	3175pF@25V	-	208W（温度）
NTD4863NAT4G	-	询价	2225	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币48元		MOSFET（金属O化物）			DPAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	9.2A（Ta）、49A（Tc）		9.3毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	13.5nC@4.5V		990pF@12V	-	1.27W（Ta）、36.6W（Tc）
FDI025N06	-	询价	3143	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	外商直接投资025		MOSFET（金属O化物）			I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	265A（温度）	10V	2.5毫欧@75A，10V	4.5V@250μA	226nC@10V	±20V	14885pF@25V	-	395W（温度）
HUFA75637S3ST	-	询价	2772	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	胡法75		MOSFET（金属O化物）			D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	44A（温度）	10V	30毫欧@44A，10V	4V@250μA	108nC@20V	±20V	1700pF@25V	-	155W（温度）
NSVJ3910SB3T1G	0.6000	询价	1	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NSVJ3910			400毫W		3-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		25V							6pF@5V												25V	20毫安@5伏	600 mV @ 100 µA								50毫安
NTNS3CS68NZT5G	0.1200	询价	280	onsemi	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-NTNS3CS68NZT5G-488			1
MMBT3416LT3	0.0200	询价	80	onsemi	-	大部分	过时的				MMBT3416						下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000
FDMS2506SDC	-	询价	4733	onsemi	Dual Cool™、PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	频域频谱25		MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		25V	39A（Ta）、49A（Tc）	4.5V、10V	1.45毫欧@30A，10V	3V@1mA	93nC@10V	±20V	5945pF@13V	-	3.3W（Ta）、89W（Tc）
30507-001-XTD	0.1900	询价	第271章	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	2（1年）	供应商未定义		3A991	8542.39.0001	1
SBC807-25LT1	0.0200	询价	33	onsemi	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				300毫W		SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	500毫安									100nA（ICBO）			国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
NJVMJD127T4	-	询价	4178	onsemi	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				20W		DPAK	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,500人																100伏	8A									10微安			PNP-达林顿	4V@80mA，8A	1000 @ 4A、4V	-
J111RLRP	-	询价	4298	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1
SCH2408-TL-E	-	询价	3762	onsemi	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）	600毫W（塔）		6-SCH	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-SCH2408-TL-E-488			1	2 N 沟道			30V	350mA（塔）		1欧姆@200mA，4V	1.3V@100μA	0.87nC@4V		28pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
MCH3478-TL-WZ	-	询价	5494	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的				MCH3478						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000						1.8V、4.5V				±12V
NTMFS015N15MC	3.3400	询价	9980	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	NTMFS015		MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	9.2A（Ta）、61A（Tc）	8V、10V	14毫欧@29A，10V	4.5V@162μA	27nC@10V	±20V	75V时为2120pF	-	2.5W（Ta）、108.7W（Tc）
ST57711	-	询价	1602	onsemi	-	大部分	过时的	-	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	ST577			350毫W		TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																15V	200毫安									10纳安			国民党	600mV@5mA、50mA	30@10毫安，300毫伏	-
2SC4616E-TL-E	0.4300	询价	19号	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	700
2SK3614-TD-E	-	询价	3357	onsemi	*	大部分	的积极				2SK3614		-				-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	1,000												-
NGTB15N120FL2WG	5.3100	询价	1	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NGTB15	标准		294 W		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			600V，15A，10欧姆，15V											110纳秒	沟渠场站	1200伏	30A	60A	2.4V@15V，15A	1.2mJ（开），370μJ（关）	109nC	64纳秒/132纳秒
FJB3307DTM	-	询价	2991	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FJB3307			1.72W		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800																400V	8A									-			NPN	3V@2A、8A	5@5A、5V	-
2SC3917-AC	0.1000	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
BF246B_J35Z	-	询价	3850	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF246			625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道									-												25V	60毫安@15伏	600毫伏@10纳安
BC490AZL1	-	询价	2346	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BC490			625毫W		TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																80V	1A									100nA（ICBO）			国民党	500mV@100mA，1A	100@100mA，2V	150兆赫
FDW2503N	-	询价	9358	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	FDW25		MOSFET（金属O化物）	600毫W		8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			20V	5.5A		21毫欧@5.5A，4.5V	1.5V@250μA	17nC@4.5V		1082pF@10V	逻辑电平门
NTD50N03R-35G	-	询价	6077	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	新台币50元		MOSFET（金属O化物）			爱帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		25V	7.8A（Ta）、45A（Tc）	4.5V、11.5V	12毫欧@30A，11.5V	2V@250μA	15nC@11.5V	±20V	750pF@12V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
NXH600B100H4Q2F2SG	275.6300	询价	36	onsemi	-	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	NXH600			511 W	标准	44-PIM (93x47)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NXH600B100H4Q2F2SG	EAR99	8541.29.0095	36	三层平面遮阳板														沟渠场站	1000伏	192 一个		2.3V@15V，200A							10微安	是的	13.256nF@20V
FDS6986AS_SN00192	-	询价	1507	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W		8-SO	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	6.5A、7.9A		29毫欧@6.5A，10V，20毫欧@7.9A，10V	3V@250μA，3V@1mA	9nC @ 5V，8nC @ 5V		720pF @ 10V, 550pF @ 10V	逻辑电平门
MMSF3350R2	0.2400	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1
2SD1816S-TL-EX	-	询价	5770	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	700
2N5087BU	-	询价	7120	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N5087			625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000																50V	100毫安									50纳安			国民党	300mV@1mA、10mA	250@100μA，5V	40兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²