晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC2314E	0.1500	询价	170	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
BF256A	-	询价	6219	onsemi	-	大部分	过时的	30V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	BF256	800兆赫	结型场效应晶体管		TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000	N沟道		7毫安	-	11分贝											-
SPQ1592	0.4700	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极					SPQ15					-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
SMBF1046LT1	0.0200	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极										-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	3,000
BVSS84LT3G	-	询价	8462	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BVSS84		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道				50V	130mA（塔）	5V	10欧姆@100mA，5V	2V@250μA	10V时为2.2nC	±20V	36pF@5V	-	225毫W（塔）
EFC4C012NTDG	2.5200	询价	5	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，无铅	EFC4C012		MOSFET（金属O化物）	2.5W（塔）	6-WLCSP (3.5x1.9)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（双）共漏极					-	-		-	2.2V@1mA	18nC@4.5V		-	-
2SD1145G	0.2000	询价	121	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
NTMFSC010N08M7	1.6500	询价	5	onsemi	双酷™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6.15)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				40V	12.5A（Ta）、61A（Tc）	10V	10毫欧@10A、10V	4.5V@120μA	38nC@10V	±20V	2700pF@40V	-	3.3W（Ta）、78.1W（Tc）
NTD40N03RG	-	询价	1158	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币40元		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道				25V	7.8A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	16.5毫欧@10A、10V	2V@250μA	5.78nC@4.5V	±20V	584pF@20V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
MSA1162GT1GH6-PANA	-	询价	9964	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	3（168小时）					1
2SA1253T-SPA	-	询价	9175	onsemi	-	大部分	过时的		-	通孔	3-SSIP					3-SPA	-				2156-2SA1253T-SPA			1																			-	国民党	500毫伏@5毫安，50毫安	300@10mA，5V	250兆赫
FCPF380N60-F154	1.5282	询价	1166	onsemi	SuperFET® II	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF380		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				600伏	10.2A（Tj）		380mOhm@5A，10V	3.5V@250μA	40nC@10V	±20V	1665pF@25V	-	31W（温度）
NTA7002NT1G	0.3600	询价	113	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	NTA7002		MOSFET（金属O化物）		SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道				30V	154mA（Tj）	2.5V、4.5V	7欧姆@154mA，4.5V	1.5V@100μA		±10V	20pF@5V	-	300毫W（Tj）
FTD2015-TL-E	0.5400	询价	57	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
NSVMUN5234T1G	0.0400	询价	36	onsemi	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	NSVMUN5234			202毫W	SC-70 (SOT323)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	2156-NSVMUN5234T1G-488	EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	80@5mA，10V		22欧姆	47欧姆
NTD3817N-35G	-	询价	1011	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	新台币38元		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道				16V	7.6A（Ta）、34.5A（Tc）	4.5V、10V	13.9毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	10.5nC@4.5V	±16V	702pF@12V	-	1.2W（Ta）、25.9W（Tc）
MTP75N06HD	1.0700	询价	9803	onsemi	*	大部分	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义	2156-MTP75N06HD	EAR99	8541.29.0095	1
VEC2402-TL-E	0.2800	询价	102	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
NTMFS002P03P8ZT1G	3.2400	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		P沟道				30V	40.2A（Ta）、263A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@23A，10V	3V@250μA	217nC@4.5V	±25V	14950pF@15V	-	3.3W（Ta）、138.9W（Tc）
FQPF3N90_NL	-	询价	8863	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF3		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				900伏	2.1A（温度）	10V	4.25欧姆@1.05A，10V	5V@250μA	26nC@10V	±30V	910pF@25V	-	43W（温度）
SBC807-40LT3	0.0500	询价	62	onsemi	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	6,662																	45V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	100兆赫兹
FQD11P06TF	-	询价	8976	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD1		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道				60V	9.4A（温度）	10V	185毫欧@4.7A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±30V	550pF@25V	-	2.5W（Ta）、38W（Tc）
SI4467DYBAA005AP	-	询价	6870	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-	-	-	SI4467		-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-SI4467DYBAA005APTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		-					-	-	-	-		-		-	-
3LP03M-TL-E	-	询价	2551	onsemi	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	SC-70、SOT-323			MOSFET（金属O化物）		3-MCP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-3LP03M-TL-E-488			1		P沟道				30V	250mA（塔）	1.5V、4V	1.9欧姆@120mA，4V	1.4V@100μA	0.8nC@4V	-10V	40pF@10V	-	150毫W（塔）
NTS4001NT3G	0.4300	询价	1411	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	NTS4001		MOSFET（金属O化物）		SC-70-3 (SOT323)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTS4001NT3GTR	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道				30V	270毫安（塔）	2.5V、4V	1.5欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	1.3nC@5V	±20V	33pF@5V	-	330毫W（塔）
NTMFS4C808NAT1G	0.5438	询价	3351	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,500人		N沟道				30V	9A（Ta）、52A（Tc）	4.5V、10V	4.8毫欧@18A，10V	2.1V@250μA	18.2nC@10V	±20V	1670pF@15V	-	760mW（Ta）、25.5W（Tc）
2SA1339S	-	询价	2038	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500
FDC6333C-G	-	询价	6759	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC6333		MOSFET（金属O化物）	700毫W（塔）	超级SOT™-6	-		1（无限制）	REACH 不出行	488-FDC6333C-GTR	EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道					30V	2.5A（塔）、2A（塔）		95mOhm @ 2.5A, 10V, 130mOhm @ 2A, 10V	3V@250μA	6.6nC@10V，5.7nC@10V		282pF @ 15V, 185pF @ 15V	-
MCH3221-TL-E	0.1400	询价	48	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
MCH6344-TL-W	-	询价	3154	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	MCH63		MOSFET（金属O化物）		SC-88FL/MCPH6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道				30V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@1A，10V	2.6V@1mA	10V时为3.9nC	±20V	172pF@10V	-	800毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²