晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)
2SK4065-DL-1E	-	询价	2801	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	2SK4065		MOSFET（金属O化物）			TO-263-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		75V	100A（塔）	4V、10V	6毫欧@50A，10V	-	220nC@10V	±20V	12200pF@20V	-	1.65W（Ta）、90W（Tc）
FX504-TL-E	0.5100	询价	11	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
ISL9V3040S3ST	2.8400	询价	7728	onsemi	生态SPARK®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	ISL9V3040	逻辑		150W		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			300V、1kΩ、5V												-	430伏	21A		1.6V@4V，6A	-	17nC	-/4.8μs
ECH8601M-TL-H	-	询价	3871	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	ECH8601		MOSFET（金属O化物）			8-ECH	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			24V	8A（塔）		23毫欧@4A，4.5V	1.3V@1mA	7.5nC@4.5V		-	逻辑电平门，2.5V驱动
MVMBF0201NLT1G	0.5800	询价	8	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MVBF0201		MOSFET（金属O化物）			SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	300mA（塔）	4.5V、10V	1欧姆@300mA，10V	2.4V@250μA		±20V	45pF@5V	-	225毫W（塔）
FDA24N50	-	询价	7184	onsemi	UniFET™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	FDA24		MOSFET（金属O化物）			TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		500V	24A（温度）	10V	190毫欧@12A，10V	5V@250μA	85nC@10V	±30V	4150pF@25V	-	270W（温度）
MPSA64RLRMG	-	询价	1970年	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSA64			625毫W		TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																30V	500毫安									100nA（ICBO）			PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	125兆赫
KSP5179TA	-	询价	8178	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	KSP51			200毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																12V	50毫安									20nA（ICBO）			NPN	400mV@1mA、10mA	25@3mA，1V	2GHz
NVD5C648NLT4G	3.0400	询价	第1431章	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD5C648		MOSFET（金属O化物）			DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	18A（Ta）、89A（Tc）	4.5V、10V	4.1毫欧@45A，10V	2.1V@250μA	39nC@10V	±20V	2900pF@25V	-	3.1W（Ta）、72W（Tc）
FJX3014RTF-ON	-	询价	3701	onsemi	*	大部分	的积极				FJX301						下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000
NVD20N03L27T4G	-	询价	2456	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD20N		MOSFET（金属O化物）			DPAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	20A（塔）	4V、5V	27毫欧@10A，5V	2V@250μA	18.9nC@10V	±20V	1260pF@25V	-	1.75W（Ta）、74W（Tc）
J176_D26Z	-	询价	8789	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J176			350毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		P沟道									-												30V	2毫安@15伏	1V@10nA			250欧姆
HGTG20N60B3D	6.1500	询价	95	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	HGTG20N60	标准		165W		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			-											55纳秒	-	600伏	40A	160A	2V@15V，20A	475μJ（开），1.05mJ（关）	80℃	-
FJP13007	-	询价	5753	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FJP13007			80W		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200																400V	8A									-			NPN	3V@2A、8A	8 @ 2A，5V	4兆赫兹
FDD850N10L	1.1800	询价	14	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD850		MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	15.7A（温度）	5V、10V	75毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	10V时为28.9nC	±20V	1465pF@25V	-	50W（温度）
但12TU	-	询价	9931	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	但12			100W		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000																400V	8A									1毫安			NPN	1.5V@1.2A、6A	-	-
FCD620N60ZF	1.9600	询价	10	onsemi	HiPerFET™、Polar™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FCD620		MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	7.3A（温度）	10V	620毫欧@3.6A，10V	5V@250μA	36nC@10V	±20V	1135pF@25V	-	89W（温度）
FMG2G400LS60	-	询价	9522	onsemi	-		过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	7PM-IA	FMG2			1136 W	标准	7PM-IA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥														-	600伏	400A		1.8V@15V，400A							250微安	不
FDU6296	-	询价	9220	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FDU62		MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		30V	15A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	8.8毫欧@15A，10V	3V@250μA	10V时为31.5nC	±20V	1440pF@15V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
PN5138_D75Z	-	询价	7674	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN513			625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																30V	500毫安									50nA（ICBO）			国民党	300mV@500μA，10mA	50@10mA，10V	-
NTD65N03R-1G	-	询价	2359	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币65元		MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		25V	9.5A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	8.4毫欧@30A，10V	2V@250μA	16nC@5V	±20V	1400pF@20V	-	1.3W（Ta）、50W（Tc）
EFC4627R-TR	0.4300	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	EFC4627		MOSFET（金属O化物）	1.4W		4-EFCP (1.01x1.01)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8,000	2个N沟道（双）共漏极			-	-		-	-	13.4nC@4.5V		-	逻辑电平门，2.5V驱动
NDS8425	-	询价	9050	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NDS842		MOSFET（金属O化物）			8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		20V	7.4A（塔）	2.7V、4.5V	22毫欧@7.4A，4.5V	1.5V@250μA	18nC@4.5V	±8V	1098pF@15V	-	2.5W（塔）
NDF04N62ZG	-	询价	6014	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	NDF04		MOSFET（金属O化物）			TO-220FP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		620伏	4.4A（温度）	10V	2欧姆@2A，10V	4.5V@50μA	19nC@10V	±30V	535pF@25V	-	28W（温度）
FJN3309RBU	-	询价	3904	onsemi	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	FJN330			300毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																40V	100毫安									100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
FDW9926A	-	询价	8059	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	FDW99		MOSFET（金属O化物）	600毫W		8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			20V	4.5A		32毫欧@4.5A，4.5V	1.5V@250μA	9nC@4.5V		630pF @ 10V	逻辑电平门
NVMFS5C682NLWFT3G	-	询价	7485	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2832-NVMFS5C682NLWFT3G-488	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	25A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@10A，10V	2V@16μA	5nC@10V	±20V	410pF@25V	-	3.5W（Ta）、28W（Tc）
FGA50S110P	-	询价	5122	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	FGA50S110	标准		300W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2166-FGA50S110P-488	EAR99	8541.29.0095	450			-												沟渠场站	1100伏	50A	120A	2.6V@15V，50A	-	195nC	-
PN2222TFR	-	询价	7163	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN2222			625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																30V	600毫安									10nA（ICBO）			NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
2SB1700	-	询价	6365	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,054 人

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²