晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电流消耗 (Id) - 最大
SPS9499QRLRP	0.0200	询价	72	onsemi	*	大部分	的积极									-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
NTMTS0D7N06CTXG	12.8200	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	NTMTS0		MOSFET（金属O化物）		8-DFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			60V	60.5A（Ta）、464A（Tc）	10V	0.72mOhm@50A，10V	4V@250μA	152nC@10V	±20V	11535pF@30V	-	5W（Ta）、294.6W（Tc）
FQA10N80	-	询价	第1470章	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答1		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			800V	9.8A（温度）	10V	1.05欧姆@4.9A，10V	5V@250μA	71nC@10V	±30V	2700pF@25V	-	240W（温度）
FDS6910	1.2800	询价	9458	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）				30V	7.5A		13毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	24nC@10V		1130pF@15V	逻辑电平门
BC859CMTF	-	询价	4743	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC859			310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																30V	100毫安									15nA（ICBO）		国民党	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	150兆赫
CPH6341-TL-EX	-	询价	7425	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150℃	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	CPH634		MOSFET（金属O化物）		6-CPH	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			30V	5A（塔）	4V、10V	59毫欧@3A，10V	-	10nC@10V	±20V	430pF@10V	-	1.6W（塔）
FDMC8462	2.4300	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMC84		MOSFET（金属O化物）		电源33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			40V	14A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	5.8毫欧@13.5A，10V	3V@250μA	43nC@10V	±20V	2660pF@20V	-	2W（Ta）、41W（Tc）
MMSF7N03ZR2	0.1900	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
NSS1C200MZ4T1G	0.6400	询价	3	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NSS1C200			800毫W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																100伏	2A									100nA（ICBO）		国民党	220mV@200mA，2A	120@500mA，2V	120兆赫
JDX5012	0.6400	询价	22号	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
2SK3666-3-TB-E	-	询价	2574	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK3666			200毫W	SMCP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			30V							4pF@10V												1.2毫安@10伏	180 mV @ 1 µA		200欧姆								10毫安
FD6M043N08	-	询价	8824	onsemi	电源-SPM™	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	EPM15	FD6M043		MOSFET（金属O化物）	-	EPM15	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	19号	2 个 N 沟道（双）				75V	65A		4.3毫欧@40A，10V	4V@250μA	148nC@10V		6180pF @ 25V	-
FDFS6N548	-	询价	3537	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDFS6		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	7A（塔）	4.5V、10V	23毫欧@7A，10V	2.5V@250μA	13nC@10V	±20V	700pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.6W（塔）
MCH3374-TL-E	-	询价	4266	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	SOT-23-3 读写	MCH3374		MOSFET（金属O化物）		SC-70FL/MCPH3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			12V	3A（塔）	1.8V、4V	70毫欧@1.5A，4.5V	-	5.6nC@4.5V	±8V	405pF@6V	-	1W（塔）
NTLUD3A50PZTAG	0.8800	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	NTLUD3		MOSFET（金属O化物）	500毫W	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）				20V	2.8A		50mOhm@4A，4.5V	1V@250μA	10.4nC@4.5V		920pF@15V	逻辑电平门
EMT1DXV6T5G	0.4700	询价	84	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	EMT1DXV6			500毫W	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																60V	100毫安									500nA（ICBO）		2 PNP（双）	500毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	140兆赫
FJV3104RMTF	-	询价	3314	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FJV310			200毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安									100nA（ICBO）		NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	68@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
FDMC7692_F126	-	询价	9366	onsemi	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC76		MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	-		不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			30V	13.3A（Ta）、16A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@13.3A，10V	3V@250μA	29nC@10V	±20V	1680pF@15V	-	2.3W（Ta）、29W（Tc）
NSBC123JF3T5G	0.1061	询价	7868	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-1123	NSBC123			254毫W	SOT-1123	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安									500纳安		NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	80@5mA，10V		2.2欧姆	47欧姆
NVHL027N65S3F	21.0200	询价	270	onsemi	汽车、AEC-Q101、SuperFET® III、FRFET®	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	NVHL027		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	75A（温度）	10V	27.4毫欧@35A，10V	5V@3mA	227nC@10V	±30V	7780 pF @ 400 V	-	595W（温度）
HGTP7N60A4	-	询价	6794	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	HGTP7N60	标准		125W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			390V，7A，25欧姆，15V												-	600伏	34A	56A	2.7V@15V，7A	55μJ（开），60μJ（关）	37 纳克	11纳秒/100纳秒
STP8053	1.0000	询价	6794	onsemi	*	大部分	的积极				STP805					-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
FGB40N6S2	-	询价	9930	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FGB4	标准		290W	D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400			390V，20A，3欧姆，15V												-	600伏	75A	180A	2.7V@15V，20A	115μJ（开），195μJ（关）	35nC	8纳秒/35纳秒
SS9018GBU	-	询价	6769	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	SS9018			400毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000				-												15V	50毫安											NPN		72@1mA，5V	1.1GHz			-
NGTB50N120FL2WAG	1.0000	询价	8914	onsemi	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-NGTB50N120FL2WAG-488			1
IRLR230ATM	-	询价	3578	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRLR23		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			200V	7.5A（温度）	5V	400mOhm@3.75A，5V	2V@250μA	27nC@5V	±20V	755pF@25V	-	2.5W（Ta）、48W（Tc）
ATP404-H-TL-H	-	询价	5010	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	ATPAK（2条读取+标签）	ATP404		-		ATPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-				95A（Tj）		-	-				-	-
PCFG40T65SQF	-	询价	2037	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	死		标准			晶圆	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	488-PCFG40T65SQFTR	EAR99	8541.29.0040	2,500人			-												场站	650伏		160A	2.1V@15V，40A	-	80℃	-
2SK932-24-TB-E	0.5700	询价	4390	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK932			200毫W	SMCP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			15V							-												14.5毫安@5伏	200毫伏@100微安										50毫安
J174_D75Z	-	询价	7826	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J174			350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		P沟道										-											30V	20毫安@15伏	5V@10nA		85欧姆

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²