晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)
MPS2369ARLRP	-	询价	4774	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPS236			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																15V	200毫安						400纳安	NPN	500毫伏@10毫安，100毫安	20@100mA，1V	-
NTMFS5C628NLT3G	4.0800	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	150A（温度）	4.5V、10V	2.4毫欧@50A，10V	2V@135μA	52nC@10V	±20V	3600pF@25V	-	3.7W（Ta）、110W（Tc）
ECH8601M-TL-HP	-	询价	7817	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	ECH8601		MOSFET（金属O化物）		8-ECH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			24V	8A（塔）		23毫欧@4A，4.5V	1.3V@1mA	7.5nC@4.5V			逻辑电平门，2.5V驱动
NDS8958	-	询价	2817	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NDS895		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	N 和 P 沟道			30V	5.3A、4A		35毫欧@5.3A，10V	2.8V@250μA	30nC@10V		720pF@15V	逻辑电平门
MPSH34	-	询价	8889	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	MPSH34			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																40V	50毫安						50nA（ICBO）	NPN	500mV@2mA、7mA	15@20mA，2V	500兆赫
FDMC2610	2.4900	询价	995	onsemi	UniFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC26		MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		200V	2.2A（Ta）、9.5A（Tc）	6V、10V	200毫欧@2.2A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	960pF@100V	-	2.1W（Ta）、42W（Tc）
NTMFSC0D9N04CL	5.0500	询价	8318	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃（TA）	表面贴装	8-PowerTDFN	NTMFSC0		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	313A（TC）	4.5V、10V	-	2V@250μA	143nC@10V	±20V	8500pF@20V	-	83W（塔）
KSC838OBU	-	询价	3408	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	KSC838			250毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																30V	30毫安						100nA（ICBO）	NPN	400mV@1mA、10mA	70@2mA，12V	250兆赫
FJX3011RTF	-	询价	7919	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	FJX301			200毫W	SOT-323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																40V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	250兆赫	22欧姆
FDD10AN06A0-F085	-	询价	第1182章	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD10		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	11A（塔）	10V	10.5毫欧@50A，10V	4V@250μA	37nC@10V	±20V	1840pF@25V	-	135W（温度）
2SC4519-5-TB-E	0.1500	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
2SC4548D-TD-E	0.1800	询价	194	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000
NDCTR08120A	3.1938	询价	2128	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				NDCTR08120					-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NDCTR08120ATR			3,000					-
ISL9V3036D3STV	-	询价	1888年	onsemi	生态SPARK®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	ISL9V3036	逻辑		150W	TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-ISL9V3036D3STVTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人			300V、1kΩ、5V												-	360伏	21A		1.6V@4V，6A	-	17nC	700μs/4.8μs
2SA2169-TL-E	0.9700	询价	17号	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SA2169			950毫W	TP-FA	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	700																50V	10A						10μA（ICBO）	国民党	580mV@250mA，5A	200@1A，2V	130兆赫
BC309ATA	-	询价	4851	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC309			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																25V	100毫安						15纳安	国民党	500毫伏@5毫安、100毫安	120@2mA，5V	130兆赫
NTD25P03LT4G	1.4300	询价	8931	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币25元		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	25A（塔）	4V、5V	80毫欧@25A，5V	2V@250μA	20nC@5V	±15V	1260pF@25V	-	75W（Tj）
FGA90N30DTU	-	询价	8959	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	FGA90	标准		219 W	TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			-											21纳秒	-	300伏	90A	220A	1.4V@15V，20A	-	87 纳克	-
ECH8662-TL-H	-	询价	7191	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	ECH8662		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-ECH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			40V	6.5A		30mOhm@3.5A，4.5V	-	12nC@4.5V		1130pF@20V	逻辑电平门
NTLGF3501NT2G	-	询价	3857	onsemi	FETKY™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	NTLGF3501		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	2.8A（塔）	2.5V、4.5V	90毫欧@3.4A，4.5V	2V@250μA	10nC@4.5V	±12V	275pF@10V	-	1.14W（塔）
MJD44H11T5G	-	询价	2439	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD44			1.75W	DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,500人																80V	8A						1微安	NPN	1V@400mA，8A	40@4A，1V	85兆赫
BC237BZL1G	-	询价	5482	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BC237			350毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	100毫安						15纳安	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	200兆赫
HGTP12N60A4D	-	询价	1970年	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	HGTP12N60	标准		167 W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			390V，12A，10欧姆，15V											30纳秒	-	600伏	54A	96A	2.7V@15V，12A	55μJ（开），50μJ（关）	78 纳克	17纳秒/96纳秒
FDD26AN06A0-F085	-	询价	3404	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD26AN06		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	7A（Ta）、36A（Tc）	10V	26毫欧@36A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
MPS2222AZL1G	-	询价	9301	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPS222			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																40V	600毫安						10nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
NST1602CLTWG	0.2459	询价	4140	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56				800毫W	8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NST1602CLTWGTR	EAR99	8541.21.0075	3,000																160伏	1.5A						100nA（ICBO）	NPN	140mV@50mA、500mA	140@100mA，5V	100兆赫兹
SGP15N60RUFTU	-	询价	2859	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SGP15N	标准		160W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			300V，15A，13欧姆，15V												-	600伏	24A	45A	2.8V@15V，15A	320μJ（开），356μJ（关）	42nC	17纳秒/44纳秒
CPH6122-TL-E	0.4500	询价	7227	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	CPH6122			1.3W	6-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000																30V	3A						100nA（ICBO）	国民党	180mV@75mA，1.5A	200@500mA，2V	400兆赫
FQI47P06TU	-	询价	3411	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	FQI4		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道		60V	47A（温度）	10V	26毫欧@23.5A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±25V	3600pF@25V	-	3.75W（Ta）、160W（Tc）
2SJ659-DL-E	0.5100	询价	15	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²