晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
HUF75623P3	-	询价	6022	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道		100伏	22A（温度）	10V	64毫欧@22A，10V	4V@250μA	52nC@20V	±20V	790pF@25V	-	85W（温度）
FGH30T65UPDT-F155	-	询价	2068	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	FGH30	标准		250W	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450			400V，30A，8欧姆，15V											43纳秒	沟渠场站	650伏	60A	90A	2.3V@15V，30A	760μJ（开），400μJ（关）	155 纳克	22纳秒/139纳秒
MCH5837-TL-E	0.1000	询价	16	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅			MOSFET（金属O化物）		5-MCPH	-	不适用				EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	2A（塔）		145mOhm@1A，4V	-	1.8nC@4V		115pF@10V	肖特基分散（隔离）	800毫W（塔）
NTD4865N-35G	-	询价	7440	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	新台币48元		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		25V	8.5A（Ta）、44A（Tc）	4.5V、10V	10.9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	10.8nC@4.5V	±20V	12V时为827pF	-	1.27W（Ta）、33.3W（Tc）
NGTB40N65FL2WG	5.7000	询价	4535	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NGTB40	标准		366 W	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V、40A、10欧姆、15V											72纳秒	沟渠场站	650伏	80A	160A	2V@15V，40A	970μJ（开），440μJ（关）	170℃	84纳秒/177纳秒
NVMFS5C673NLWFAFT3G	0.7043	询价	4318	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	50A（温度）	4.5V、10V	9.2毫欧@25A，10V	2V@35μA	9.5nC@10V	±20V	880pF@25V	-	46W（温度）
NTTS2P03R2G	-	询价	7866	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	NTTS2P		MOSFET（金属O化物）		8-MSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		30V	2.1A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@2.48A，10V	3V@250μA	22nC@4.5V	±20V	500pF@24V	-	600毫W（塔）
FDN360P-NBGT003B	-	询价	4886	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FDN360		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	2A（塔）	4.5V、10V	80毫欧@2A，10V	3V@250μA	9nC@10V	±20V	15V时为298pF	-	500毫W（塔）
NVTFS4C02NTAG	2.2700	询价	6409	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN			MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		30V	28.3A（Ta）、162A（Tc）	4.5V、10V	2.25毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	20nC@4.5V	±20V	2980pF@15V	-	3.2W（Ta）、107W（Tc）
MC1413BDR2	-	询价	8186	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC1413B			-	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人																50V	500毫安									-	7 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
MCH3335-TL-E	0.0700	询价	243	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
EMH2308-TL-H	-	询价	7162	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	有效MH2308		MOSFET（金属O化物）	1W	8-有效市场假说	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	3A		85毫欧@3A，4.5V	-	4nC@4.5V		320pF@10V	逻辑电平门，1.8V驱动
2SK4084LS	1.4100	询价	第941章	onsemi	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FI(LS)	下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-2SK4084LS-488	EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		500V	9.6A（温度）		520毫欧@7A，10V	-	10V时为38.4nC		1000pF@30V	-	2W（Ta）、37W（Tc）
FGB20N60SFD	-	询价	6933	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FGB20N60	标准		208W	D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			400V，20A，10欧姆，15V											34纳秒	场站	600伏	40A	60A	2.8V@15V，20A	370μJ（开），160μJ（关）	65 纳克	13纳秒/90纳秒
FCH041N65F-F155	-	询价	8923	onsemi	FRFET®、SuperFET® II	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	FCH041		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道		650伏	76A（温度）	10V	41毫欧@38A，10V	5V@7.6mA	294nC@10V	±20V	13020pF@100V	-	595W（温度）
NTMFS4931NT3G	-	询价	5213	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4931		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		N沟道		30V	23A（Ta）、246A（Tc）	4.5V、10V	1.1毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	128nC@10V	±20V	9821pF@15V	-	950毫W（塔）
NVMFS5C426NT3G	-	询价	8648	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	235A（温度）	10V	1.3毫欧@50A，10V	3.5V@250μA	65nC@10V	±20V	4300pF@25V	-	3.8W（Ta）、128W（Tc）
NVBGS6D5N15MC	4.3374	询价	1802年	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	NVBGS6		MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		150伏	15A（Ta）、121A（Tc）	8V、10V	7毫欧@69A，10V	4.5V@379μA	57nC@10V	±20V	75V时为4745pF	-	3.7W（Ta）、238W（Tc）
PCRU3060W	-	询价	9604	onsemi	-	大部分	过时的									-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-PCRU3060W	EAR99	8541.29.0095	1
FGHL75T65MQDTL4	6.9100	询价	450	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		标准		375W	TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-FGHL75T65MQDTL4	EAR99	8541.29.0095	30			400V，75A，10欧姆，15V											107纳秒	沟渠场站	650伏	80A	300A	1.8V@15V，75A	1.2mJ（开），1.1mJ（关）	149 nC	32纳秒/181纳秒
BD785	0.1900	询价	15	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1
2SC3383S-AA	0.0600	询价	106	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
2SC3597E	-	询价	4457	onsemi	*	大部分	的积极									-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
BCW60A	-	询价	7596	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW60			350毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																32V	100毫安									20纳安	NPN	550mV@1.25mA、50mA	120@2mA，5V	125兆赫
MCH6610-TL-E	-	询价	7701	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
NVMFS5C645NLT1G	-	询价	9120	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2832-NVMFS5C645NLT1G-488	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		60V	22A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	4mOhm@50A，10V	2V@250μA	34nC@10V	±20V	2200pF@50V	-	3.7W（Ta）、79W（Tc）
BF246A_J35Z	-	询价	6753	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF246			350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道									-												30V	30毫安@15伏	600 毫伏 @ 100 纳安
BDW93CPWD	-	询价	5210	onsemi	-	管子	过时的				BDW93					-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
MMBF4391LT1	-	询价	8159	onsemi	*	切带 (CT)	过时的				MMBF43					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MPS2222ARL角色扮演游戏	-	询价	6202	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPS222			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																40V	600毫安									10nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²