晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	电压 - 输出	场效应管类型	额定电流（安培）	电压	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电流消耗 (Id) - 最大	电压 - 偏移 (Vt)	电流 - 电流至阳极电流 (Igao)	电流 - 谷 (Iv)	当前 - 最高
FQP7N80C	2.7500	询价	607	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3	FQP7	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	6.6A（温度）	10V	1.9欧姆@3.3A，10V	5V@250μA	35nC@10V	±30V	1680pF@25V	-	167W（温度）
SMBFJ177LT1	-	询价	7165	onsemi	*	大部分	的积极										-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	3,000
NTP150N65S3HF	5.1500	询价	9211	onsemi	FRFET®、SuperFET® III	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3	NTP150	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	24A（温度）	10V	150mOhm@12A，10V	5V@540μA	43nC@10V	±30V	1985 pF @ 400 V	-	192W（温度）
NTHL060N065SC1	16.9800	询价	第560章	onsemi	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTHL060N065SC1	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	47A（温度）	15V、18V	70毫欧@20A，18V	4.3V@6.5mA	74nC@18V	+22V、-8V	1473pF@325V	-	176W（温度）
J175_D75Z	-	询价	7943	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J175		350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		P沟道										-					30V	7毫安@15伏	3V@10nA		125欧姆
BC636ZL1	0.0200	询价	40	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0075	1
TF256TH-3-TL-H	-	询价	4346	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	3-SMD，写入	TF256		100毫W	3-VTFP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道										3.1pF@2V						100μA@2V	100 mV @ 1 µA							1毫安
2SK715W	-	询价	4405	onsemi	-	大部分	过时的		125°C（太焦）		通孔	SC-72	2SK715		300毫W	3-SPA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	500		N沟道			15V							10pF@5V						14.5毫安@5伏	600 mV @ 100 µA							50毫安
NTMT190N65S3HF	6.6500	询价	3892	onsemi	SuperFET® III、FRFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	4-PowerTSFN		MOSFET（金属O化物）		4-PQFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTMT190N65S3HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			650伏	20A（温度）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@430μA	34nC@10V	±30V	1610 pF @ 400 V	-	162W（温度）
PN4392_D26Z	-	询价	6300	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN439		625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道										14pF@20V					30V	25毫安@20伏	2V@1nA		60欧姆
MMBFJ270	0.4400	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ2		225毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道										-					30V	2毫安@15伏	500毫伏@1纳安
FDMA1430JP	-	询价	5185	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	30V		负载开关	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址14			6-MicroFET (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000			2.9A																			NPN、P沟道
J270_D26Z	-	询价	8923	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J270		350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		P沟道										-					30V	2毫安@15伏	500毫伏@1纳安
KSK596CBU	-	询价	7639	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3短体	KSK59		100毫W	TO-92S	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道										3.5pF@5V					20V	5V时为100μA	600 mV @ 1 µA							1毫安
BCP53-10T1	0.2600	询价	46	onsemi	-	大部分	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP53		1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															80V	1.5A				-		国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	50兆赫
2SA1345	0.0700	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
NVMYS003N08LHTWG	1.0309	询价	6079	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	SOT-1023、4-LFPAK		MOSFET（金属O化物）		LFPAK4 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMYS003N08LHTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			80V	22A（Ta）、132A（Tc）	4.5V、10V	3.3毫欧@50A，10V	2V@183μA	64nC@10V	±20V	3735pF@40V	-	3.8W（Ta）、137W（Tc）
FDB8445	2.8500	询价	9	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB844	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			40V	70A（温度）	10V	9毫欧@70A，10V	4V@250μA	62nC@10V	±20V	3805pF@25V	-	92W（温度）
2N6028RLRAG	-	询价	6747	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的					TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N6028				-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.30.0080	2,000	11V			40V										300毫W													600毫伏	10纳安	25微安	150纳安
NVTYS025P04M8LTWG	0.4514	询价	7611	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56		MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTYS025P04M8LTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			40V	9.4A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	25毫欧@25A，10V	3V@255μA	16nC@10V	±20V	1080pF@25V	-	3.8W（Ta）、44.1W（Tc）
FDMS86102LZ	2.0900	询价	3029	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS86102	MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			100伏	7A（Ta）、22A（Tc）	4.5V、10V	25mOhm@7A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1305pF@50V	-	2.5W（Ta）、69W（Tc）
KSK30RBU	-	询价	2219	onsemi	-	大部分	过时的		125°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	KSK30		100毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道										8.2pF@0V					50V	10V时为300μA	400毫伏@100纳安
NXH160T120L2Q2F2SG	-	询价	1000	onsemi	*	托盘	过时的						NXH160				下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	12
NVD5802NT4G-VF01	-	询价	4739	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD5802	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			40V	16.4A（Ta）、101A（Tc）	5V、10V	4.4毫欧@50A，10V	3.5V@250μA	100nC@10V	±20V	5300pF@12V	-	2.5W（Ta）、93.75W（Tc）
NVD5890NLT4G-VF01	-	询价	6667	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVD5890NLT4G-VF01TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			40V	24A（Ta）、123A（Tc）	4.5V、10V	3.7毫欧@50A，10V	2.5V@250μA	84nC@10V	±20V	4760pF@25V	-	4W（Ta）、107W（Tc）
NTB30N06T4G	-	询价	2340	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB30	MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			60V	27A（塔）	10V	42毫欧@15A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	88.2W（温度）
MMBF4119	-	询价	6803	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF41		225毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道										3pF@10V					40V	10V时为200μA	2V@1nA
MPS6428RLRA	0.0200	询价	80	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)			625毫W	TO-92	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0075	2,000															50V	200毫安				25纳安		NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	250@10mA，5V	700兆赫
FDMS86263P-23507X	-	询价	5939	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-FDMS86263P-23507XTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			150伏	4.4A（Ta）、22A（Tc）	6V、10V	53毫欧@4.4A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±25V	3905pF@75V	-	2.5W（Ta）、104W（Tc）
FQD17P06TM	1.0400	询价	7300	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD17P06	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道			60V	12A（温度）	10V	135mOhm@6A，10V	4V@250μA	27nC@10V	±25V	900pF@25V	-	2.5W（Ta）、44W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²