晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
NTD4959N-1G	-	询价	4938	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币49元			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					30V	9A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、11.5V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	25nC@11.5V	±20V	12V时为1456pF	-	1.3W（Ta）、52W（Tc）
KSC2331YTA	-	询价	8657	onsemi	-	切带 (CT)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	KSC2331				1W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																			60V	700毫安						100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	120@50mA，2V	50兆赫
NDD04N50Z-1G	-	询价	6758	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	NDD04			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					500V	3A（温度）	10V	2.7欧姆@1.5A，10V	4.5V@50μA	12nC@10V	±30V	308pF@25V	-	61W（温度）
BC850BLT1	-	询价	3406	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC850				225毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			45V	100毫安						15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	100兆赫兹
NVD4809NT4G	-	询价	4891	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD480			MOSFET（金属O化物）		DPAK-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					30V	9.6A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、11.5V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	25nC@11.5V	±20V	12V时为1456pF	-	1.4W（Ta）、52W（Tc）
2SB1144S	0.2000	询价	13	onsemi	*	大部分	的积极											下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
FW341-TL-E	0.3000	询价	17号	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
前台 660	-	询价	3083	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	前台 660				500毫W	SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			60V	2A						100nA（ICBO）	国民党	350mV@200mA，2A	100@500mA，2V	75兆赫
FJX733OTF	-	询价	4038	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	FJX733				200毫W	SOT-323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	150毫安						100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	70@1mA，6V	180兆赫
FDS4465-PG	-	询价	2489	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行	488-FDS4465-PGTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					20V	13.5A（塔）	1.8V、4.5V	8.5毫欧@13.5A，4.5V	1.5V@250μA	120nC@4.5V	±8V	10V时为8237pF	-	1.2W（塔）
MMBF4416LT1G	-	询价	7963	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF44		-	结型场效应晶体管		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000	N沟道		15毫安		-	-											-
2SK4085LS	-	询价	2153	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK4085			MOSFET（金属O化物）		TO-220FI(LS)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	869-1042	EAR99	8541.29.0095	100		N沟道					500V	11A（温度）	10V	430mOhm@8A，10V	-	10V时为46.6nC	±30V	1200pF@30V	-	2W（Ta）、40W（Tc）
PN2222ABU	0.4200	询价	131	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	PN2222				625毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																			40V	1A						10nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
CPH6614-TL-E	0.1400	询价	84	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
FQA28N15_F109	-	询价	6268	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答2			MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					150伏	33A（温度）	10V	90毫欧@16.5A，10V	4V@250μA	52nC@10V	±25V	1600pF@25V	-	227W（温度）
FW256-TL-E	-	询价	4330	onsemi	-	大部分	过时的											-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-FW256-TL-E-488			1
NTPF450N80S3Z	3.0700	询价	928	onsemi	SuperFET® III	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	NTPF450			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3全包/TO-220F-3SG	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTPF450N80S3Z	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					800V	11A（天）		450mOhm@5.5A，10V	3.8V@240μA	19.3nC@10V	±20V	885 pF @ 400 V	-	29.5W（温度）
BC327-25RL1G	-	询价	5376	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BC327				1.5W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																			45V	800毫安						100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	260兆赫
2SC4452-3-TL-E-ON	0.1000	询价	87	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
NGTB20N120IHLWG	-	询价	8923	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	NGTB20	标准			192 W	TO-247-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				600V，20A，10欧姆，15V														-	1200伏	40A	200A	2.2V@15V，20A	700μJ（关闭）	200℃	-/235ns
SPZT2907AT1G	0.4300	询价	5765	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	SPZT2907				1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																			60V	600毫安						10nA（ICBO）	国民党	1.6V@50mA、500mA	100@150mA，10V	200兆赫
CPH6442-TL-E	-	询价	3129	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	CPH644			MOSFET（金属O化物）		6-CPH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	43毫欧@3A，10V	2.6V@1mA	20nC@10V	±20V	1040pF@20V	-	1.6W（塔）
FGA70N30TTU	-	询价	6462	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	FGA70	标准			201 W	TO-3PN	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				-														沟	300伏		160A	1.5V@15V，20A	-	125℃	-
2SD1060S-1E	1.6000	询价	182	onsemi	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2SD1060				1.75W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50																			50V	5A						100μA（ICBO）	NPN	300毫伏@300毫安，3安	140@1A，2V	30兆赫兹
NVTFS5C454NLTAG	1.5600	询价	1821	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NVTFS5			MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					40V	85A（温度）	4.5V、10V	4mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	18nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	55W（温度）
BF721T1G	-	询价	9716	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BF721				1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																			300伏	50毫安						10nA（ICBO）	国民党	800mV@5mA、30mA	50@25mA，20V	60兆赫
FQB2P25TM	-	询价	4591	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB2			MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道					250伏	2.3A（温度）	10V	4欧姆@1.15A，10V	5V@250μA	10V时为8.5nC	±30V	250pF@25V	-	3.13W（Ta）、52W（Tc）
DTA114YET1	-	询价	3233	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	DTA114				200毫W	SC-75、SOT-416	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V		10欧姆	47欧姆
MSB92AWT1	0.0400	询价	1	onsemi	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323					150毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			300伏	500毫安						250nA（ICBO）	国民党	500mV@2mA、20mA	120@1mA，10V	50兆赫
MMBF5484LT1	-	询价	8425	onsemi	*	切带 (CT)	过时的					MMBF54						下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²