晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
2SB1135R	-	询价	5138	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				2W	TO-220ML	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SB1135R-488			1																50V	7A						100μA（ICBO）	国民党	400mV@400mA，4A	100 @ 1A，2V	10兆赫兹
FQD5N30TF	-	询价	6634	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			300伏	4.4A（温度）	10V	900毫欧@2.2A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±30V	430pF@25V	-	2.5W（Ta）、45W（Tc）
HUFA76423P3	-	询价	6798	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	胡法76		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道			60V	35A（温度）	4.5V、10V	30mOhm@35A，10V	3V@250μA	34nC@10V	±16V	1060pF@25V	-	85W（温度）
2SD1061S	0.5700	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
NTHL040N65S3F	16.7100	询价	8407	onsemi	SuperFET® III	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	NTHL040		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	65A（温度）	10V	40毫欧@32.5A，10V	5V@6.5mA	158nC@10V	±30V	5940 pF @ 400 V	-	446W（温度）
山地车6N60E	1.0000	询价	2871	onsemi	*	大部分	的积极									-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
5LP01M-TL-HX	-	询价	9536	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	5LP01		-		MCP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-				70毫安（Tj）		-	-				-	-
ECH8655R-R-TL-H	0.2757	询价	1035	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-	表面贴装	8-SMD，写入	ECH8655		-	-	8-ECH	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	-				-	-		-	-	-		-	-
MTD6N15T4GV	-	询价	第1571章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MTD6N		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			150伏	6A（温度）	10V	300mOhm@3A，10V	4.5V@1mA	30nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	1.25W（Ta）、20W（Tc）
2SA1523	0.0900	询价	4158	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500
NVHL040N120SC1	32.6700	询价	第762章	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NVHL040		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVHL040N120SC1	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			1200伏	60A（温度）	20V	56毫欧@35A，20V	4.3V@10mA	106nC@20V	+25V、-15V	800V时为1781pF	-	348W（温度）
TIG056BF	-	询价	3835	onsemi	-	包	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	上部弧焊056	标准		30W	TO-220FI(LS)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100			320V，240A，10欧姆，15V												-	430伏		240A	5V@15V，240A	-		46纳秒/140纳秒
MUN2212T3	0.0200	询价	1211	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1,000
FDB2572	2.2000年	询价	第771章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB257		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			150伏	4A（Ta）、29A（Tc）	6V、10V	54mOhm@9A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	135W（温度）
FDMS2D5N08C	3.0200	询价	2462	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS2D5		MOSFET（金属O化物）		电源56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			80V	166A（温度）	6V、10V	2.7毫欧@68A，10V	4V@380μA	84nC@10V	±20V	6240pF@40V	-	138W（温度）
NTF5P03T3	-	询价	5296	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NTF5P		MOSFET（金属O化物）		SOT-223 (TO-261)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道			30V	3.7A（塔）	4.5V、10V			38nC@10V	±20V		-	1.56W（塔）
HGTG11N120CN	-	询价	4308	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	HGTG11N120	标准		298 W	TO-247-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	150			960V，11A，10欧姆，15V												不扩散条约	1200伏	43A	80A	2.4V@15V，11A	400μJ（开），1.3mJ（关）	100纳克	23纳秒/180纳秒
MCH6536-TL-E	-	询价	3597	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	MCH65			550毫W	6-MCPH	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																15V、12V	700毫安、500毫安						100nA（ICBO）	NPN、PNP	300毫伏@10毫安、200毫安	300@10mA，2V	330兆赫、490兆赫
NTMFS4839NHT1G	-	询价	5442	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			30V	9.5A（Ta）、64A（Tc）	4.5V、11.5V	5.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	11.5V时为43.5nC	±20V	12V时为2354pF	-	870mW（Ta）、42.4W（Tc）
KSH50TF-ON	-	询价	9869	onsemi	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				15W	TO-252-3（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	2,000																400V	1A						200微安	NPN	1V@200mA，1A	30@300mA，10V	10兆赫兹
MJD41CTF	-	询价	8544	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD41			1.75W	TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000																100伏	6A						10微安	NPN	1.5V@600mA，6A	15@3A，4V	3兆赫兹
FDD6778A	-	询价	2742	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD677		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			25V	12A（Ta）、10A（Tc）	4.5V、10V	14毫欧@10A，10V	3V@250μA	17nC@10V	±20V	13V时为870pF	-	3.7W（Ta）、24W（Tc）
FDBL86366-F085AW	-	询价	2818	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	FDBL86366		MOSFET（金属O化物）		8-HPSOF	-			REACH 不出行	488-FDBL86366-F085AWTR	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			80V	220A（温度）	10V	3mOhm@80A，10V	4V@250μA	112nC@10V	±20V	6320pF@40V	-	300W（太焦）
KSC2330RBU	-	询价	6501	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	KSC2330			1W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	6,000																300伏	100毫安						100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	40@20mA，10V	50兆赫
BC847CWT3G	0.1600	询价	7598	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC847			150毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																45V	100毫安						15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	100兆赫兹
FQU7P06TU	-	询价	4709	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU7		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,040		P沟道			60V	5.4A（温度）	10V	451毫欧@2.7A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±25V	295pF@25V	-	2.5W（Ta）、28W（Tc）
MMBTH10M3T5G	0.3300	询价	8	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	百万泰铢10			265毫W	SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000				-												25V	-							NPN		60@4mA，10V	650兆赫	-
HUF75329S3	-	询价	1031	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道			55V	49A（温度）	10V	24毫欧@49A，10V	4V@250μA	75nC@20V	±20V	1060pF@25V	-	128W（温度）
MPS651RLRB	0.0700	询价	16	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	2,000
2SD1682T	0.1500	询价	22号	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²