晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
NVMJD016N06CTWG	0.6108	询价	9076	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				NVMJD016	-			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMJD016N06CTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000											-
MMBT3906TT1	0.0200	询价	111	onsemi	-	大部分	过时的				MMBT3906				下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
SOP8501-TL-E	0.2300	询价	8	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
CPH6704-TL-E	0.1900	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	3,000
2SK242-5-TB-E	0.0700	询价	147	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BC858AWT1G	0.2100	询价	12	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC858		150毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													30V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	125@2mA，5V	100兆赫兹
2SB1302S-TD-E	0.6700	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SB1302		1.3W	五氯苯酚	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000													20V	5A	500nA（ICBO）	国民党	500mV@60mA，3A	100@500mA，2V	320兆赫
FDH055N15A	7.6000	询价	26	onsemi	PowerTrench®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	FDH055	MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	150伏	158A（温度）	10V	5.9毫欧@120A，10V	4V@250μA	92nC@10V	±20V	9445pF@75V	-	429W（温度）
FDD8782	-	询价	7501	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD878	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	35A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@35A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	13V时为1220pF	-	50W（温度）
FDMC7664	-	询价	1085	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC76	MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	18.8A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	4.2毫欧@18.8A，10V	3V@250μA	76nC@10V	±20V	15V时为4865pF	-	2.3W（Ta）、45W（Tc）
BD675AG	-	询价	7461	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD675		40W	TO-126	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500													45V	4A	500μA	NPN-达林顿	2.8V@40mA，2A	750@2A，3V	-
2SK4088LS	-	询价	5408	onsemi	-	包	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK4088	MOSFET（金属O化物）		TO-220FI(LS)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道	650伏	7.5A（温度）	10V	850毫欧@5.5A，10V	-	10V时为37.6nC	±30V	1000pF@30V	-	2W（Ta）、37W（Tc）
SBCP56-10T1G	0.4100	询价	3	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	SBCP56		1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000													80V	1A	100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	130兆赫
FDC5614P	0.6700	询价	6776	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC5614	MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	3A（塔）	4.5V、10V	105mOhm@3A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V	759pF@30V	-	1.6W（塔）
NTP055N65S3H	9.3000	询价	5274	onsemi	SuperFET® III	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP055	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTP055N65S3H	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	650伏	47A（温度）	10V	55毫欧@23.5A，10V	4V@4.8mA	96nC@10V	±30V	4305 pF @ 400 V	-	305W（温度）
MPS651RLRM	0.0900	询价	308	onsemi	-	大部分	过时的				MPS651				下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000
FDR8308P	-	询价	3019	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-LSOP（0.130英寸，3.30毫米宽）	FDR83	MOSFET（金属O化物）	800毫W	超级SOT™-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	3.2A		50毫欧@3.2A，4.5V	1.5V@250μA	19nC@4.5V		1240pF@10V	逻辑电平门
故障码143EET1	-	询价	9473	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码143		200毫W	SC-75、SOT-416	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	15@5mA，10V		4.7欧姆	4.7欧姆
NTMJS0D8N04CLTWG	6.0300	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	NTMJS0	MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	56A（Ta）、368A（Tc）	4.5V、10V	0.72mOhm@50A，10V	2V@250μA	162nC@10V	±20V	9600pF@25V	-	4.2W（Ta）、180W（Tc）
NVTFS5826NLWFTAG	-	询价	9908	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NVTFS5826	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	60V	7.6A（塔）	4.5V、10V	24mOhm@10A，10V	2.5V@250μA	16nC@10V	±20V	850pF@25V	-	3.2W（Ta）、22W（Tc）
NTBGS001N06C	14.4800	询价	第659章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	42A（Ta）、342A（Tc）	10V、12V	1.1毫欧@112A，12V	4V@562μA	139nC@10V	±20V	11110pF@30V	-	3.7W（Ta）、245W（Tc）
KSA643YBU	-	询价	4067	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	KSA643		500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000													20V	500毫安	200nA（ICBO）	国民党	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，1V	-
HUF76419D3ST	-	询价	4983	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	匈牙利福林76	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	20A（温度）	4.5V、10V	37毫欧@20A，10V	3V@250μA	10V时为27.5nC	±16V	900pF@25V	-	75W（温度）
FDZ375P	2.9200	询价	第532章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XFBGA、WLCSP	FDZ37	MOSFET（金属O化物）		4-WLCSP (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道	20V	3.7A（塔）	1.5V、4.5V	78毫欧@2A，4.5V	1.2V@250μA	15nC@4.5V	±8V	10V时为865pF	-	1.7W（塔）
TN6727A	-	询价	9039	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	TN6727		1W	TO-226-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人													40V	1.5A	100nA（ICBO）	国民党	500mV@100mA，1A	50@1A、1V	-
FDMB2307NZ	0.9400	询价	5961	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	FDMB2307	MOSFET（金属O化物）	800毫W	6-MLP (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDMB2307NZFSTR	EAR99	8541.21.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极		-	-		-	-	28nC@5V		-	逻辑电平门
NTR1P02LT1G	0.4800	询价	6570	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NTR1P02	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.3A（塔）	2.5V、4.5V	220毫欧@750mA，4.5V	1.25V@250μA	5.5nC@4V	±12V	225pF@5V	-	400毫W（塔）
FMB3946	0.5400	询价	8372	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FMB39		700毫W	超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	200毫安	50nA（ICBO）	NPN、PNP	250mV@1mA、10mA	100@10mA，1V	200兆赫
MCH6626-TL-H	0.1000	询价	39	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
NVMFS5C670NT1G	1.8000	询价	2634	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	60V	17A（Ta）、71A（Tc）	10V	7毫欧@11A，10V	4V@53μA	14.4nC@10V	±20V	1035pF@30V	-	3.6W（Ta）、61W（Tc）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²