RFQ
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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NST3904DXV6T1	0.0500	RFQ	857	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NST3904			500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000															40V	200mA							2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
NTD20N03L27T4	0.3700	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	20A（TA）		27mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18.9 NC @ 10 V		1260 pf @ 25 V	-
CPH6434-TL-E	0.2300	RFQ	168	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	6a（6a）		41MOHM @ 3A，4V	-	7 NC @ 4 V		790 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
2N4401RLRP	1.0000	RFQ	8926	Onmi	-	大部分	过时的				2N4401					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
MJE200	-	RFQ	2648	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE200			15 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500															40 V	5 a						-	NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
NTB45N06	1.0000	RFQ	5176	Onmi	-	管子	过时的				NTB45					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
提示137	0.5900	RFQ	24	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	508															100 v	8 a						500µA	pnp-达灵顿	4V @ 30mA，6a	1000 @ 4A，4V	-
NTB45N06L	-	RFQ	7994	Onmi	-	管子	过时的				NTB45					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
2SK3709	2.6200	RFQ	22	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220毫升	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100	n通道		100 v	37a（ta）		25mohm @ 19a，10v	-	117 NC @ 10 V		6250 pf @ 20 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
MMBT3906TT1	0.0200	RFQ	111	Onmi	-	大部分	过时的				MMBT3906					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MCH5837-TL-E	0.1000	RFQ	16	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		5-MCPH	-	不适用				Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		20 v	2A（TA）		145MOHM @ 1A，4V	-	1.8 NC @ 4 V		115 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	800MW（TA）
TIP35A	0.8500	RFQ	623	Onmi	-	盒子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3				125 w	TO-218	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	100															60 V	25 a						-	NPN	-	10 @ 15a，4V	3MHz
2SK4097L	1.7200	RFQ	334	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100	n通道		500 v	8.3a（TC）		650MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V		750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
2N5191	0.1900	RFQ	1175	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N5191			40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															60 V	4 a						1ma	NPN	600mv @ 150mA，1.5a	25 @ 1.5A，2V	2MHz
IRF710	0.3700	RFQ	4	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
MBT22222ADW1T1	-	RFQ	2406	Onmi	-	大部分	过时的				MBT2222					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MPS651RLM	0.0900	RFQ	308	Onmi	-	大部分	过时的				MPS651					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
NTD2955-001	-	RFQ	8005	Onmi	-	大部分	过时的				NTD29					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75
MMBT3416LT3	0.0200	RFQ	80	Onmi	-	大部分	过时的				MMBT3416					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
NTLTD7900ZR2	0.2100	RFQ	37	Onmi	-	大部分	过时的				NTLTD79					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
afghl75t65sqdt	6.5000	RFQ	5594	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl75	标准		375 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL75T65SQDT	Ear99	8541.29.0095	30		400V，75A，4.7OHM，15V											75 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.12mj（在）上，1.14mj off）	136 NC	24NS/106NS
NVHL020N090SC1	47.7200	RFQ	307	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL020		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVHL020N090SC1	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		900 v	118a（TC）	15V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+19V，-10V	4415 PF @ 450 V	-	503W（TC）
NVTFS014P04M8LTAG	1.0500	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS014		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	P通道		40 V	11.3a（ta），49A（tc）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.4V @ 420µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1734 PF @ 20 V	-	3.2W（TA），61W（TC）
NVMFS5C628NWFT1G	2.9500	RFQ	9284	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		60 V	28a（28a），150a（tc）	10V	3mohm @ 27a，10v	4V @ 135µA	34 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
NTHL020N090SC1	41.1400	RFQ	3911	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL020		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		900 v	118a（TC）	15V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	196 NC @ 15 V	+19V，-10V	4415 PF @ 450 V	-	503W（TC）
NTHL020N120SC1	42.6300	RFQ	4884	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL020		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL020N120SC1	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1200 v	103A（TC）	20V	28mohm @ 60a，20v	4.3V @ 20mA	203 NC @ 20 V	+25V，-15V	2890 pf @ 800 V	-	535W（TC）
NVBG020N090SC1	52.8300	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NVBG020		sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		900 v	9.8A（ta），112a（tc）	15V	28mohm @ 60a，15v	4.3V @ 20mA	200 NC @ 15 V	+19V，-10V	4415 PF @ 450 V	-	3.7W（ta），477W（tc）
NVMFS5C628NT1G	3.0400	RFQ	8707	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C628NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		60 V	28a（28a），150a（tc）	10V	3mohm @ 27a，10v	4V @ 135µA	34 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
NTB45N06T4	-	RFQ	1626年	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB45		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		60 V	45A（TA）		26mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V		1725 PF @ 25 V	-
MCH3421-TL-E	0.1800	RFQ	225	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		3-MCPH	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		100 v	800mA（ta）		890MOHM @ 400mA，10V	-	4.8 NC @ 10 V		165 pf @ 20 V	-	900MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²