晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
FDC602P_F095	-	询价	4064	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC602			MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					20V	5.5A（塔）	2.5V、4.5V	35毫欧@5.5A，4.5V	1.5V@250μA	20nC@4.5V	±12V	10V时为1456pF	-	1.6W（塔）
MTD3055VL	1.1100	询价	第659章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MTD3055			MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	12A（温度）	5V	180mOhm@6A，5V	2V@250μA	10nC@5V	±20V	570pF@25V	-	3.9W（Ta）、48W（Tc）
NVMFS6B03NWFT3G	-	询价	1959年	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS6			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					100伏	145A（温度）	10V	4.8毫欧@20A，10V	4V@250μA	58nC@10V	±16V	50V时为4200pF	-	3.9W（Ta）、198W（Tc）
NVD260N65S3T4G	1.2401	询价	2546	onsemi	SuperFET® III	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVD260N65S3T4GTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					650伏	12A（温度）	10V	260毫欧@6A，10V	4.5V@290μA	10V时为23.5nC	±30V	1042 pF @ 400 V	-	90W（温度）
SMMUN2111LT3G	0.3300	询价	10	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMUN2111				246毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000																			50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	250mV@300μA，10mA	35@5mA，10V		10欧姆	10欧姆
故障码143EET1	-	询价	9473	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码143				200毫W	SC-75、SOT-416	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	15@5mA，10V		4.7欧姆	4.7欧姆
NTP055N65S3H	9.3000	询价	5274	onsemi	SuperFET® III	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP055			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTP055N65S3H	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					650伏	47A（温度）	10V	55毫欧@23.5A，10V	4V@4.8mA	96nC@10V	±30V	4305 pF @ 400 V	-	305W（温度）
NVTFS5826NLWFTAG	-	询价	9908	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NVTFS5826			MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					60V	7.6A（塔）	4.5V、10V	24mOhm@10A，10V	2.5V@250μA	16nC@10V	±20V	850pF@25V	-	3.2W（Ta）、22W（Tc）
NTMJS0D8N04CLTWG	6.0300	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	NTMJS0			MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					40V	56A（Ta）、368A（Tc）	4.5V、10V	0.72mOhm@50A，10V	2V@250μA	162nC@10V	±20V	9600pF@25V	-	4.2W（Ta）、180W（Tc）
2SK536-MTK-TB-E	-	询价	8288	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK536			-		3-CP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-						100毫安（Tj）	10V	-	-		±12V		-	-
MMBF102	-	询价	9711	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF10		-	结型场效应晶体管		SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		20毫安		-	-											-
SBCP56-10T1G	0.4100	询价	3	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	SBCP56				1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																			80V	1A						100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	130兆赫
FDMB2307NZ	0.9400	询价	5961	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	FDMB2307			MOSFET（金属O化物）	800毫W	6-MLP (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDMB2307NZFSTR	EAR99	8541.21.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极						-	-		-	-	28nC@5V		-	逻辑电平门
FDH055N15A	7.6000	询价	26	onsemi	PowerTrench®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	FDH055			MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					150伏	158A（温度）	10V	5.9毫欧@120A，10V	4V@250μA	92nC@10V	±20V	9445pF@75V	-	429W（温度）
FDMC7664	-	询价	1085	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC76			MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	18.8A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	4.2毫欧@18.8A，10V	3V@250μA	76nC@10V	±20V	15V时为4865pF	-	2.3W（Ta）、45W（Tc）
2SK4088LS	-	询价	5408	onsemi	-	包	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK4088			MOSFET（金属O化物）		TO-220FI(LS)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道					650伏	7.5A（温度）	10V	850毫欧@5.5A，10V	-	10V时为37.6nC	±30V	1000pF@30V	-	2W（Ta）、37W（Tc）
2SB1135R	-	询价	5138	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包					2W	TO-220ML	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SB1135R-488			1																			50V	7A						100μA（ICBO）	国民党	400mV@400mA，4A	100 @ 1A，2V	10兆赫兹
HUF76419D3ST	-	询价	4983	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	匈牙利福林76			MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	20A（温度）	4.5V、10V	37毫欧@20A，10V	3V@250μA	10V时为27.5nC	±16V	900pF@25V	-	75W（温度）
TN6727A	-	询价	9039	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	TN6727				1W	TO-226-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人																			40V	1.5A						100nA（ICBO）	国民党	500mV@100mA，1A	50@1A、1V	-
MCH6626-TL-H	0.1000	询价	39	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
FMB3946	0.5400	询价	8372	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FMB39				700毫W	超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			40V	200毫安						50nA（ICBO）	NPN、PNP	250mV@1mA、10mA	100@10mA，1V	200兆赫
NVMFS5C670NT1G	1.8000	询价	2634	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					60V	17A（Ta）、71A（Tc）	10V	7毫欧@11A，10V	4V@53μA	14.4nC@10V	±20V	1035pF@30V	-	3.6W（Ta）、61W（Tc）
MJD41CTF	-	询价	8544	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD41				1.75W	TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000																			100伏	6A						10微安	NPN	1.5V@600mA，6A	15@3A，4V	3兆赫兹
FDZ375P	2.9200	询价	第532章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XFBGA、WLCSP	FDZ37			MOSFET（金属O化物）		4-WLCSP (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道					20V	3.7A（塔）	1.5V、4.5V	78毫欧@2A，4.5V	1.2V@250μA	15nC@4.5V	±8V	10V时为865pF	-	1.7W（塔）
NTR1P02LT1G	0.4800	询价	6570	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NTR1P02			MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					20V	1.3A（塔）	2.5V、4.5V	220毫欧@750mA，4.5V	1.25V@250μA	5.5nC@4V	±12V	225pF@5V	-	400毫W（塔）
HGTG11N120CN	-	询价	4308	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	HGTG11N120	标准			298 W	TO-247-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	150				960V，11A，10欧姆，15V														不扩散条约	1200伏	43A	80A	2.4V@15V，11A	400μJ（开），1.3mJ（关）	100纳克	23纳秒/180纳秒
MUN2212T3	0.0200	询价	1211	onsemi	*	大部分	的积极											下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1,000
NTMFS4839NHT1G	-	询价	5442	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					30V	9.5A（Ta）、64A（Tc）	4.5V、11.5V	5.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	11.5V时为43.5nC	±20V	12V时为2354pF	-	870mW（Ta）、42.4W（Tc）
FDB2572	2.2000年	询价	第771章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB257			MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					150伏	4A（Ta）、29A（Tc）	6V、10V	54mOhm@9A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	135W（温度）
NTF5P03T3	-	询价	5296	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NTF5P			MOSFET（金属O化物）		SOT-223 (TO-261)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道					30V	3.7A（塔）	4.5V、10V			38nC@10V	±20V		-	1.56W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²