晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
FDR8308P	-	询价	3019	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-LSOP（0.130英寸，3.30毫米宽）	FDR83		MOSFET（金属O化物）	800毫W	超级SOT™-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）					20V	3.2A		50毫欧@3.2A，4.5V	1.5V@250μA	19nC@4.5V		1240pF@10V	逻辑电平门
MPS651RLRM	0.0900	询价	308	onsemi	-	大部分	过时的					MPS651					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000
BC858AWT1G	0.2100	询价	12	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC858			150毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	30V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	125@2mA，5V	100兆赫兹
2SB1302S-TD-E	0.6700	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SB1302			1.3W	五氯苯酚	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																	20V	5A	500nA（ICBO）	国民党	500mV@60mA，3A	100@500mA，2V	320兆赫
FDC5614P	0.6700	询价	6776	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC5614		MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道				60V	3A（塔）	4.5V、10V	105mOhm@3A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V	759pF@30V	-	1.6W（塔）
MMBT3906TT1	0.0200	询价	111	onsemi	-	大部分	过时的					MMBT3906					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
BD675AG	-	询价	7461	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD675			40W	TO-126	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500																	45V	4A	500μA	NPN-达林顿	2.8V@40mA，2A	750@2A，3V	-
FDD8782	-	询价	7501	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD878		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				25V	35A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@35A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	13V时为1220pF	-	50W（温度）
NTBGS001N06C	14.4800	询价	第659章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				60V	42A（Ta）、342A（Tc）	10V、12V	1.1毫欧@112A，12V	4V@562μA	139nC@10V	±20V	11110pF@30V	-	3.7W（Ta）、245W（Tc）
NVMJD016N06CTWG	0.6108	询价	9076	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极					NVMJD016		-			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMJD016N06CTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000														-
SOP8501-TL-E	0.2300	询价	8	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
2SJ652-1E	-	询价	第1252章	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ652		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3SG	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道				60V	28A（塔）	4V、10V	38毫欧@14A，10V	-	80nC@10V	±20V	4360pF@20V	-	2W（Ta）、30W（Tc）
2SD1061S	0.5700	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
故障码143Z	0.0200	询价	40	onsemi	*	大部分	的积极					故障码143					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1
FQPF5N15	-	询价	2581	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	FQPF5		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				150伏	4.2A（温度）	10V	800毫欧@2.1A，10V	4V@250μA	7nC@10V	±25V	230pF@25V	-	32W（温度）
NTD600N80S3Z	2.3800	询价	65	onsemi	SuperFET® III	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				800V	8A（天）	10V	600mOhm@4A，10V	3.8V@180μA	15.5nC@10V	±20V	725 pF @ 400 V	-	60W（温度）
MCH3406-P-TL-E	0.0500	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
FDMC7680	1.6000	询价	5	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC76		MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	14.8A（塔）	4.5V、10V	7.2毫欧@14.8A，10V	3V@250μA	42nC@10V	±20V	15V时为2855pF	-	2.3W（Ta）、31W（Tc）
KSD1221YTU	-	询价	5873	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	KSD1221			1W	I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,040																	60V	3A	100μA（ICBO）	NPN	1V@300mA，3A	100@500mA，5V	3兆赫兹
NTTFS002N04CTAG	1.0805	询价	7354	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NTTFS002		MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道				40V	27A（Ta）、136A（Tc）	10V	2.4毫欧@50A，10V	3.5V@90μA	34nC@10V	±20V	2250pF@25V	-	3.2W（Ta）、85W（Tc）
NTBLS001N06C	7.3200	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	NTBLS001		MOSFET（金属O化物）		8-HPSOF	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				60V	51A（Ta）、422A（Tc）	6V、10V	0.9毫欧@80A，10V	4V@562μA	143nC@10V	±20V	11575pF@30V	-	4.2W（Ta）、284W（Tc）
SPS9386QRLRP	0.0500	询价	20	onsemi	*	大部分	的积极										-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
FQA13N80	-	询价	2810	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答1		MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				800V	12.6A（温度）	10V	750毫欧@6.3A，10V	5V@250μA	88nC@10V	±30V	3500pF@25V	-	300W（温度）
FDMC8296	-	询价	8341	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC82		MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	12A（Ta）、18A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@12A，10V	3V@250μA	23nC@10V	±20V	1385pF@15V	-	2.3W（Ta）、27W（Tc）
HUFA76423P3	-	询价	6798	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	胡法76		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				60V	35A（温度）	4.5V、10V	30mOhm@35A，10V	3V@250μA	34nC@10V	±16V	1060pF@25V	-	85W（温度）
2N5245_J35Z	-	询价	6193	onsemi	-	大部分	过时的	30V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5245	-	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道		15毫安	-	-											-
2SK2631-TL-E	-	询价	6259	onsemi	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		DPAK/TP-FA	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK2631-TL-E-488			1		N沟道				800V	1A（塔）	15V	10欧姆@500mA，15V	5.5V@1mA	8nC@10V	±30V	300pF@20V	-	1W（Ta）、30W（Tc）
NTD4809NH-1G	-	询价	第1576章	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币48元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道				30V	9.6A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、11.5V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	15nC@4.5V	±20V	2155pF@12V	-	1.3W（Ta）、52W（Tc）
FGH4L50T65SQD	-	询价	第1397章	onsemi	-	管子	过时的										-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	488-FGH4L50T65SQD	EAR99	8541.29.0095	1,350人
FQD5N30TF	-	询价	6634	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				300伏	4.4A（温度）	10V	900毫欧@2.2A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±30V	430pF@25V	-	2.5W（Ta）、45W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²