晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
J211-D74Z	0.5000	询价	2	onsemi	-	切带 (CT)	的积极	25V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J211		-	结型场效应晶体管			TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		20毫安		-	-											-
2SA1020RLRA	0.0800	询价	310	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	2SA1020				900毫W		TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																				50V	2A									1μA（ICBO）				国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
MPSW01ARLRAG	-	询价	2792	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSW01				1W		TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																				40V	1A									100nA（ICBO）				NPN	500mV@100mA，1A	60@100mA，1V	50兆赫
2SC4523S-TL-E-ON	0.7300	询价	14	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	700
NTBLS1D5N08MC	7.8600	询价	第1277章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSFN	NTBLS1			MOSFET（金属O化物）			8-HPSOF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTBLS1D5N08MCTR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					80V	32A（Ta）、298A（Tc）	6V、10V	1.53毫欧@80A，10V	4V@710μA	111nC@10V	±20V	8170 pF @ 40 V	-	2.9W（Ta）、250W（Tc）
2SC4519-6-TB-E	0.1800	询价	99	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
STD25P03LT4G	-	询价	8268	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	性病25			MOSFET（金属O化物）			DPAK	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					30V	25A（温度）	4V、5V	80毫欧@25A，5V	2V@250μA	20nC@5V	±15V	1260pF@25V	-	-
MPF4393G	-	询价	6815	onsemi	-	大部分	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	强积金439				350毫W		TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000		N沟道					30V							10pF @ 15V (VGS)													30V	5毫安@15伏	500毫伏@10纳安				100欧姆
NXH450B100H4Q2F2PG	225.0600	询价	35	onsemi	-	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块					234W	标准	56-PIM (93x47)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NXH450B100H4Q2F2PG	EAR99	8541.29.0095	12	2 独立																		-	1000伏	101一个		2.25V@15V，150A							600微安	是的	9.342nF@20V
CPH3417-TL-E	0.1000	询价	162	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
EMA6DXV5T5G	-	询价	4123	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-553	EMA6DX				230毫W		SOT-553	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安									500纳安				2 PNP - 预偏置（双）	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V	-	47k欧姆	-
NDF11N50ZH	-	询价	7411	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	NDF11			MOSFET（金属O化物）			TO-220-2全包	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					500V	12A（温度）	10V	520毫欧@4.5A，10V	4.5V@100μA	69nC@10V	±30V	1645pF@25V	-	39W（温度）
FGL60N100BNTDTU	-	询价	第1491章	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA	FGL60N100	标准			180W		TO-264-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25				600V，60A，51欧姆，15V														1.2微秒	NPT 和测量	1000伏	60A	120A	2.9V@15V，60A	-	第275章	140纳秒/630纳秒
NSTB1003DXV5T1	0.0500	询价	48	onsemi	*	大部分	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000
FDMS8050	4.7200	询价	7730	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS80			MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	55A（温度）	4.5V、10V	0.65毫欧@55A，10V	3V@750μA	285nC@10V	±20V	22610pF@15V	-	156W（温度）
FMS6G20US60	-	询价	7790	onsemi	-	盒子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	25PM-AA	航班管理系统6				89 W	东部桥式调整器	25PM-AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	天线塔																		-	600伏	20A		2.7V@15V，20A							250微安	是的	1.277nF@30V
2SC2812-6-TB-E	-	询价	4596	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					200毫W		3-CP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SC2812-6-TB-E-488			1																				50V	150毫安									100nA（ICBO）				NPN	500毫伏@5毫安，50毫安	200@1mA，6V	100兆赫兹
NTMFS4982NFT1G	-	询价	3145	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4982			MOSFET（金属O化物）			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					30V	26.5A（Ta）、207A（Tc）	4.5V、10V	1.3毫欧@25A，10V	2.2V@1mA	84nC@10V	±20V	6000pF@15V	-	1.5W（塔）
NVMFS5C682NLAFT1G	0.9300	询价	2167	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5			MOSFET（金属O化物）			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					60V	8.8A（Ta）、25A（Tc）	4.5V、10V	21毫欧@10A，10V	2V@16μA	5nC@10V	±20V	410pF@25V	-	3.5W（Ta）、28W（Tc）
2SC4520S-TD-E	0.2000	询价	39	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
2SA1882T-TD-E	0.1000	询价	13	onsemi	*	大部分	的积极												-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
BUV26	-	询价	8342	onsemi	-	管子	过时的		175°C（太焦）	通孔	TO-220-3					85W		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8541.29.0095	50																				90V	10A									-				NPN	1.5V@1.2A、12A	-	-
MPSW92RLRAG	-	询价	9898	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSW92				1W		TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																				300伏	500毫安									250nA（ICBO）				国民党	500mV@2mA、20mA	25@30mA，10V	50兆赫
KSA940TSTU	-	询价	5162	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	KSA940				1.5W		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50																				150伏	1.5A									10μA（ICBO）				国民党	1.5V@50mA、500mA	40@500mA，10V	4兆赫兹
HUFA75343S3S	-	询价	9013	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	胡法75			MOSFET（金属O化物）			D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道					55V	75A（温度）	10V	9毫欧@75A，10V	4V@250μA	205nC@20V	±20V	3000pF@25V	-	270W（温度）
MMBFJ202	0.5000	询价	7	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ2				350毫W		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道												-													40V	20V时为900μA	800毫伏@10纳安
NTTFSS1D1N02P1E	1.0303	询价	3	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	9-PowerWDFN	NTTFSS1			MOSFET（金属O化物）			9-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTTFSS1D1N02P1ETR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					25V	39A（Ta）、264A（Tc）	4.5V、10V	0.85毫欧@27A，10V	2V@934μA	60nC@10V	±16V	13V时为4360pF	-	2W（Ta）、89W（Tc）
MMFT2955ET1G	-	询价	3767	onsemi	*		过时的					MMFT29							-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,000
FDBL9401-F085T6AW	-	询价	8019	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	FDBL9401			MOSFET（金属O化物）			8-HPSOF	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-FDBL9401-F085T6AWTR	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	58.4A（Ta）、240A（Tc）	10V	0.67毫欧@50A，10V	4V@290μA	148nC@10V	+20V，-16V	10000pF@25V	-	4.3W（Ta）、180.7W（Tc）
NXH35C120L2C2S1G	60.6317	询价	7919	onsemi	-	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	26-PowerDIP模块（1.199英寸，47.20毫米）	NXH35				20毫W	东部桥式调整器	26-DIP	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NXH35C120L2C2S1G	EAR99	8541.29.0095	6	带制动天花板装置																		-	1200伏	35A		2.4V@15V，35A							250微安	是的	8.33nF@20V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²