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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
NVMFS5C426NLT1G	3.7300	RFQ	49	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	41A（TA），237A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
NVMFS5C456NT1G	1.6300	RFQ	6207	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	20A（20A），80a tc（TC）	10V	4.5MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），55W（tc）
NVMFS5C466NWFT1G	1.6800	RFQ	9075	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	（15A）（TA），49A （TC）	10V	8.1MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
FCP165N65S3	4.0600	RFQ	731	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP165	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	39 NC @ 10 V	±30V	1500 PF @ 400 V	-	154W（TC）
FCPF360N65S3R0L	-	RFQ	9031	Onmi	SuperFet®III	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF360	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 400 V	-	27W（TC）
NVMFD5C650NLWFT1G	5.0300	RFQ	5861	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	3.5W（TA），125W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		60V	21a（21a），111a（tc（TC）		4.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 98µA	16nc @ 4.5V		2546pf @ 25V	-
NVMFD5C680NLT1G	1.7500	RFQ	8997	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	3W（TA），19w（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		60V	7.5a（ta），26a（tc）		28mohm @ 5a，10v	2.2V @ 13µA	2NC @ 4.5V		350pf @ 25V	-
NVMFS4C310NT1G	1.3600	RFQ	1179	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	（17a）（ta），51a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），32W（tc）
FCB260N65S3	3.4100	RFQ	6528	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FCB260	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	12A（TC）	10V	260MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 1.2mA	24 NC @ 10 V	±30V	1010 PF @ 400 V	-	90W（TC）
NSVJ6904DSB6T1G	1.5400	RFQ	858	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NSVJ6904		700兆	6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		2 n 通道（双）	25 v							6pf @ 5V					25 v	20 ma @ 5 V	600 mV @ 100 µA		25欧姆					50 mA
NVD5867NLT4G	-	RFQ	7335	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD586	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a），22a （TC）	4.5V，10V	39mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	675 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），43W（tc）
NTLUS030N03CTAG	1.2600	RFQ	3	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	NTLUS030	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	400 pf @ 15 V	-	640MW（TA）
NTB150N65S3HF	5.3700	RFQ	3568	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB150	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 540µA	43 NC @ 10 V	±30V	1985 pf @ 400 V	-	192W（TC）
NTMFS5C604NLT1G-UIL3	6.6200	RFQ	9721	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	40a（TA），287A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
NTTFS003N04CTAG	-	RFQ	1149	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS003	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	22a（22A），103a（tc）	10V	3.5MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 60µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），69w（tc）
NTTFS5C460NLTAG	1.4100	RFQ	1530	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		（19a（ta），74a（tc）		4.8mohm @ 35A，10V	2V @ 40µA				-
NVMYS2D1N04CLTWG	0.9304	RFQ	4288	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS2	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	29A（ta），132a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 90µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），83W（tc）
NVTFS5C460NLTAG	1.3500	RFQ	5207	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	（19a（ta），74a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 35A，10V	2V @ 40µA	11 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
NVTFS5C460NLWFTAG	0.8764	RFQ	6237	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	（19a（ta），74a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 35A，10V	2V @ 40µA	11 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
6985-BC556B	-	RFQ	2300	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC556		625兆	TO-92（to-226）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1													65 v	100 ma				100NA		PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	280MHz
FQPF9P25-T	-	RFQ	9243	Onmi	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	250 v	6A（TC）	10V	620MOHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	50W（TC）
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2SJ670-TD-E	0.2600	RFQ	974	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1,000
2SC3495-AA	0.1900	RFQ	52	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1
BC337-016	0.0500	RFQ	40	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.21.0075	1													45 v	800 MA				100NA		NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
2SJ646-E	0.2100	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BCX18LT1	-	RFQ	4175	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000													25 v	500 MA				100NA（ICBO）		PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	-
BC557A	0.0200	RFQ	85	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.21.0075	1													45 v	100 ma				15NA		PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²