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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQD5N50CTM_F080	-	RFQ	1621年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FQD7P06TM_F080	-	RFQ	1349	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				60 V	5.4A（TC）	10V	451MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FQPF3N90_NL	-	RFQ	8863	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
IRF540A	-	RFQ	1834年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF54		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	28a（TC）	10V	52mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IRFS644B_FP001	-	RFQ	5541	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFS6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFU220BTU_F080	-	RFQ	9676	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	70		n通道				200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MMBFJ305	-	RFQ	1824年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ3			225兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道											-						30 V	8 ma @ 15 V	500 mv @ 1 na
FDI025N06	-	RFQ	3143	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI025		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	265a（TC）	10V	2.5MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	226 NC @ 10 V	±20V	14885 PF @ 25 V	-	395W（TC）
PN4092_D26Z	-	RFQ	7458	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN409			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											16pf @ 20V						40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		50欧姆
PN4092_D74Z	-	RFQ	8859	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN409			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											16pf @ 20V						40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		50欧姆
PN4092_J18Z	-	RFQ	2619	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN409			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											16pf @ 20V						40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		50欧姆
PN4392_D26Z	-	RFQ	6300	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN439			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											14pf @ 20V						30 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		60欧姆
PN4393_D74Z	-	RFQ	2523	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN439			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											14pf @ 20V						30 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆
PN5434_D26Z	-	RFQ	8129	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN543			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											30pf @ 10V（vgs）						25 v	30 ma @ 15 V	1 V @ 3 na		10欧姆
PN5434_D27Z	-	RFQ	7410	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN543			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											30pf @ 10V（vgs）						25 v	30 ma @ 15 V	1 V @ 3 na		10欧姆
TIS75_D26Z	-	RFQ	6513	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TIS75			350兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道											18pf @ 10V（vgs）						30 V	8 ma @ 15 V	800 mv @ 4 na		60欧姆
NTP5426NG	-	RFQ	2316	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP542		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	120A（TC）	10V	6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	215W（TC）
FDD86102	1.7600	RFQ	2304	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD861		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				100 v	8a（8a），36a （TC）	6V，10V	24mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1035 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），62W（TC）
NTB6410ANG	-	RFQ	1352	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB64		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	76A（TC）	10V	13mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	188W（TC）
NTD4963NT4G	-	RFQ	5225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	8.1a（ta），44a（tc）	4.5V，10V	9.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	16.2 NC @ 10 V	±20V	1035 PF @ 12 V	-	1.1W（TA），35.7W（tc）
NTP6410ANG	3.3800	RFQ	119	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP6410		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	76A（TC）	10V	13mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	188W（TC）
2SA1020	-	RFQ	8653	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020			900兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	5,000																	50 V	2 a				1µA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SA1020RLAG	-	RFQ	2852	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2SA1020			900兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																	50 V	2 a				1µA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
BC557BZL1	-	RFQ	3377	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC557			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																	45 v	100 ma				100NA		PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	320MHz
BF245A	-	RFQ	9806	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF245	-	JFET		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000	n通道		100mA	-	-											-
BF245B	-	RFQ	6455	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF245	-	JFET		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000	n通道		100mA	-	-											-
BF256A	-	RFQ	6219	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF256	800MHz	JFET		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000	n通道		7ma	-	11DB											-
BFR31LT1	-	RFQ	7022	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR31			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				25 v							5pf @ 10V							1 mA @ 10 V	2.5 V @ 0.5 Na
BS170RL1G	-	RFQ	2820	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BS170		MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道				60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
BS170ZL1G	-	RFQ	5542	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BS170		MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道				60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²