晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电流消耗 (Id) - 最大
RFP70N03	-	询价	5272	onsemi	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3	RFP70		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			30V	70A（温度）		10毫欧@70A，10V	4V@250μA	260nC@20V		3300pF@25V	-
NTHL020N120SC1	42.6300	询价	4884	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NTHL020		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTHL020N120SC1	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			1200伏	103A（TC）	20V	28毫欧@60A，20V	4.3V@20mA	203nC@20V	+25V、-15V	800V时为2890pF	-	535W（温度）
DTC123TET1G	0.1700	询价	9	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码123			200毫W	SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安								500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V		2.2欧姆
NVTYS029N08HTWG	0.3818	询价	6625	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56			MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTYS029N08HTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			80V	6.4A（Ta）、21A（Tc）	10V	32.4毫欧@5A，10V	4V@20μA	6.3nC@10V	±20V	369pF@40V	-	3.1W（Ta）、33W（Tc）
故障码124E	-	询价	3854	onsemi	*	大部分	的积极				故障码124					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	1
FJNS3203RBU	-	询价	5676	onsemi	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3短体	FJNS32			300毫W	TO-92S	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																50V	100毫安								100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
FQP16N25C	-	询价	4588	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FQP1		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			250伏	15.6A（温度）	10V	270毫欧@7.8A，10V	4V@250μA	53.5nC@10V	±30V	1080pF@25V	-	139W（温度）
2SK715U	-	询价	8806	onsemi	-	大部分	过时的	125°C（太焦）	通孔	SC-72	2SK715			300毫W	3-SPA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	500		N沟道			15V							10pF@5V											7.3毫安@5伏	600 mV @ 100 µA									50毫安
TIG065E8-TL-H	0.8200	询价	3	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	上部弧焊065	标准			8-ECH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000			-												-	400V		150A	7V@2.5V，100A	-		-
BC857BLT3G	0.1200	询价	39	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC857			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																45V	100毫安								15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	100兆赫兹
MJH11018G	-	询价	7167	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
50A02SP	-	询价	4433	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500
2SA1450T-AA	0.0700	询价	33	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
NGB8206NSL3	0.5100	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
BCW30LT3	0.0200	询价	90	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000
MCH3319-TL-E	0.1100	询价	240	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
NVMFS4C01NT3G	2.1218	询价	2384	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			30V	49A（Ta）、319A（Tc）	4.5V、10V	0.9毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	139nC@10V	±20V	10144pF@15V	-	3.84W（Ta）、161W（Tc）
ISL9V5045S3ST-F085	5.2100	询价	1	onsemi	汽车、AEC-Q101、EcoSPARK®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	ISL9V5045	逻辑		300W	D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			300V、1kΩ、5V												-	480伏	51A		1.6V@4V，10A	-	32nC	-/10.8μs
NTB75N03-006	-	询价	2514	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			30V	75A（温度）	10V	6.5毫欧@37.5A，10V	2V@250μA	75nC@5V	±20V	5635pF@25V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
NDD03N60Z-1G	-	询价	4230	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	NDD03		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			600伏	2.6A（温度）	10V	3.6欧姆@1.2A，10V	4.5V@50μA	12nC@10V	±30V	312pF@25V	-	61W（温度）
2SC6015-TD-E	-	询价	4418	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
NVMFS6B05NT1G	-	询价	5900	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS6		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			100伏	114A（温度）	10V	8毫欧@20A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±16V	3100pF@25V	-	3.8W（Ta）、165W（Tc）
FDMC8651	1.5500	询价	5558	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMC86		MOSFET（金属O化物）		电源33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	15A（Ta）、20A（Tc）	2.5V、4.5V	6.1毫欧@15A，4.5V	1.5V@250μA	27.2nC@4.5V	±12V	15V时为3365pF	-	2.3W（Ta）、41W（Tc）
NTMSD3P102R2SG	-	询价	第1389章	onsemi	FETKY™	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NTMSD3		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人		P沟道			20V	2.34A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@3.05A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V	±20V	750pF@16V	肖特基分散（隔离）	730毫W（塔）
5LP01S-TL-E	-	询价	6464	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	5LP01		MOSFET（金属O化物）		SMCP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道			50V	70毫安（塔）	1.5V、4V	23欧姆@40mA，4V	-	1.4nC@10V	±10V	10V时为7.4pF	-	150毫W（塔）
2SK4085LS-CBC11	1.2800	询价	239	onsemi	*	大部分	的积极				2SK4085		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1													-
2SC3495-AA	0.1900	询价	52	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
FDPF12N50T	2.6100	询价	第956章	onsemi	UniFET™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FDPF12		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2166-FDPF12N50T-488	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			500V	11.5A（温度）	10V	650mOhm@6A，10V	5V@250μA	30nC@10V	±30V	1315pF@25V	-	42W（温度）
NTTFD021N08C	3.2800	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12电源WQFN	NTTFD021		MOSFET（金属O化物）	1.7W（Ta）、26W（Tc）	12-WQFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				80V	6A（Ta）、24A（Tc）		21毫欧@7.8A，10V	4V@44μA	8.4nC@10V		572pF @ 40V	-
MMBT918LT1G	0.3300	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT918			225毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				11分贝												15V	50毫安									NPN		20@3mA，1V	600兆赫			6dB@60MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²