晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
KSA1013OBU	-	询价	7135	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	KSA1013			900毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	6,000																160伏	1A								1μA（ICBO）		国民党	1.5V@50mA、500mA	100@200mA，5V	50兆赫
FQI7N10LTU	-	询价	第1391章	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	FQI7		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100伏	7.3A（温度）	5V、10V	350mOhm@3.65A，10V	2V@250μA	6nC@5V	±20V	290pF@25V	-	3.75W（Ta）、40W（Tc）
FDFMA2P029Z-F106	0.4795	询价	8053	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址2		MOSFET（金属O化物）		6-MicroFET (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2832-FDFMA2P029Z-F106TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			20V	3.1A（塔）	2.5V、4.5V	95毫欧@3.1A，4.5V	1.5V@250μA	10nC@4.5V	±12V	720pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.4W（塔）
FDS6911	-	询价	7984	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）				20V	7.5A		13毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	24nC@10V		1130pF@15V	逻辑电平门
NVMFS5833NT3G	-	询价	3729	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NVMFS5833		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			40V	16A（塔）	10V	7.5毫欧@40A，10V	3.5V@250μA	10V时为32.5nC	±20V	1714pF@25V	-	3.7W（Ta）、112W（Tc）
FDMS86255	4.3800	询价	6	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS86		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			150伏	10A（Ta）、45A（Tc）	6V、10V	12.4毫欧@10A、10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	75V时为4480pF	-	2.7W（Ta）、113W（Tc）
BSR56	-	询价	7320	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSR56			250毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道										-										40V	50毫安@15伏	4V@0.5nA		25欧姆
NST4617MX2T5G	0.0601	询价	4645	onsemi	*	卷带式 (TR)	的积极				NST4617					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000
3LN01C-TB-E	-	询价	2969	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	3LN01		MOSFET（金属O化物）		SC-59-3/CP3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			30V	150mA（塔）	1.5V、4V	3.7欧姆@80mA，4V	-	1.58nC@10V	±10V	7pF@10V	-	250毫W（塔）
BD1376S	-	询价	2748	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD137			1.25W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250																60V	1.5A								100nA（ICBO）		NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	-
NTMFS5C404NT3G	-	询价	6714	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			40V	53A（Ta）、378A（Tc）	10V	0.7毫欧@50A，10V	4V@250μA	128nC@10V	±20V	8400pF@25V	-	3.9W（Ta）、200W（Tc）
2N7002KT1G	0.2300	询价	53	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			60V	320mA（塔）	4.5V、10V	1.6欧姆@500mA，10V	2.3V@250μA	0.7nC@4.5V	±20V	24.5pF@20V	-	300毫W（塔）
FDP053N08B-F102	2.2100	询价	第355章	onsemi	PowerTrench®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP053		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			80V	75A（温度）	10V	5.3毫欧@75A，10V	4.5V@250μA	85nC@10V	±20V	5960pF@40V	-	146W（温度）
FDMS0302S	-	询价	4449	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS0302		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	29A（Ta）、49A（Tc）	4.5V、10V	1.9毫欧@28A，10V	3V@1mA	109nC@10V	±20V	7350pF@15V	-	2.5W（Ta）、89W（Tc）
TIG052TS-TL-E	-	询价	8982	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	上部弧焊052	标准			8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000			-												-	400V		150A	5.5V@2.5V，150A	-	-
FDS4435BZ-F085	-	询价	2826	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS4435		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道			30V	8.8A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@8.8A，10V	3V@250μA	40nC@10V	±25V	1845pF@15V	-	2.5W（塔）
BC859BLT1G	-	询价	3988	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC859			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																30V	100毫安								15nA（ICBO）		国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	100兆赫兹
NVATS5A114PLZT4G	-	询价	4608	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVATS5		MOSFET（金属O化物）		ATPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			60V	60A（塔）	4V、10V	16毫欧@28A，10V	2.6V@1mA	92nC@10V	±20V	4000pF@20V	-	72W（温度）
KSC1393YTA	-	询价	7128	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	KSC1393			250毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000				20分贝～24分贝												30V	20毫安										NPN		90@2mA，10V	700兆赫			2dB ~ 3dB @ 200MHz
2SD1193	1.2500	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
FJX3004RTF	-	询价	5352	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	FJX300			200毫W	SOT-323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安								100nA（ICBO）		NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	68@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
MUN2114T1	0.0200	询价	78	onsemi	-	大部分	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	模联2114			230毫W	SC-59	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安								500纳安		PNP - 预偏置	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V		10欧姆	47欧姆
KST5551MTF	-	询价	8788	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	KST55			350毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																160伏	600毫安								50nA（ICBO）		NPN	200毫伏@5毫安，50毫安	80@10mA，5V	300兆赫
MCH6606-TL-E	-	询价	9032	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的				MCH6606		-			-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000													-
2SD1940E	0.6000	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
FDMC86184	2.1500	询价	第596章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC86		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			100伏	57A（温度）	6V、10V	8.5毫欧@21A，10V	4V@110μA	20nC@6V	±20V	2090pF@50V	-	54W（温度）
FQPF7N65C_F105	-	询价	2752	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF7		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	7A（温度）	10V	1.4欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	36nC@10V	±30V	1245pF@25V	-	52W（温度）
2SK2011	1.2600	询价	13	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
FPN630A	-	询价	7878	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	FPN6			1W	TO-226	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,500人																30V	3A								100nA（ICBO）		国民党	250mV@100mA，1A	250@100mA，2V	100兆赫兹
BC638ZL1	-	询价	4497	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BC638			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																60V	500毫安								100nA（ICBO）		国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	150兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²