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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
FQPF65N06 onsemi FQPF65N06 -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF65 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 40a（TC） 10V 16mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±25V 2410 pf @ 25 V - 56W（TC）
HGT1N30N60A4D onsemi HGT1N30N60A4D -
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 HGT1N30 255 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 单身的 - 600 v 96 a 2.7V @ 15V，30a 250 µA 不
FMS7G20US60S onsemi FMS7G20US60S -
RFQ
 ECAD 5394 0.00000000 Onmi - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 25 pm-aa FMS7 89 w 单相桥梁整流器 25 pm-aa 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 三期逆变器 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V，20A 250 µA 是的 1.277 NF @ 30 V
FQA34N20L onsemi FQA34N20L -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA3 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 34A（TC） 5V，10V 75mohm @ 17a，10v 2V @ 250µA 72 NC @ 5 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 210W（TC）
FQAF47P06 onsemi FQAF47P06 -
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 FQAF4 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 60 V 38A（TC） 10V 26mohm @ 19a，10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3600 PF @ 25 V - 100W（TC）
HUF75344S3ST onsemi HUF75344S3ST -
RFQ
 ECAD 7959 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUF75 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A（TC） 10V 8mohm @ 75a，10v 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W（TC）
FQA8N100C onsemi FQA8N100C 4.8200
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 Onmi QFET® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA8 MOSFET （金属 o化物） to-3pn 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 8A（TC） 10V 1.45OHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 3220 PF @ 25 V - 225W（TC）
HUF75842P3 onsemi HUF758423 4.8100
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 HUF75842 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 43A（TC） 10V 42MOHM @ 43A，10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W（TC）
FQA65N06 onsemi FQA65N06 -
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA6 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 60 V 72A（TC） 10V 16mohm @ 36a，10v 4V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±25V 2410 pf @ 25 V - 183W（TC）
FQP70N10 onsemi FQP70N10 -
RFQ
 ECAD 1578年 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FQP70 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 57A（TC） 10V 23mohm @ 28.5a，10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3300 PF @ 25 V - 160W（TC）
HUFA75637S3ST onsemi HUFA75637S3ST -
RFQ
 ECAD 2772 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUFA75 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 44A（TC） 10V 30mohm @ 44a，10v 4V @ 250µA 108 NC @ 20 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 155W（TC）
FQP85N06 onsemi FQP85N06 1.3290
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FQP85 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 85A（TC） 10V 10mohm @ 42.5a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±25V 4120 PF @ 25 V - 160W（TC）
HUFA76439S3S onsemi HUFA76439S3S -
RFQ
 ECAD 6706 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUFA76 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 75A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 75a，10v 3V @ 250µA 84 NC @ 10 V ±16V 2745 PF @ 25 V - 155W（TC）
FQA33N10L onsemi FQA33N10L -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA3 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 100 v 36a（TC） 5V，10V 52MOHM @ 18A，10V 2V @ 250µA 40 NC @ 5 V ±20V 1630 PF @ 25 V - 163W（TC）
HUF76429S3S onsemi HUF76429S3S -
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUF76 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 60 V 47A（TC） 4.5V，10V 22mohm @ 47a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 pf @ 25 V - 110W（TC）
FQPF5N80 onsemi FQPF5N80 -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF5 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 2.8A（TC） 10V 2.6ohm @ 1.4a，10v 5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1250 pf @ 25 V - 47W（TC）
HGTD7N60C3S9A onsemi HGTD7N60C3S9A 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 HGTD7N60 标准 60 W TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 - - 600 v 14 a 56 a 2V @ 15V，7a 165µJ（在）上，600µJ（600µJ） 23 NC -
FQAF16N25C onsemi FQAF16N25C -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 FQAF1 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 250 v 11.4A（TC） 10V 270MOHM @ 5.7A，10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 73W（TC）
HUFA75344S3 onsemi HUFA75344S3 -
RFQ
 ECAD 3253 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA HUFA75 MOSFET （金属 o化物） i2pak（（TO-262） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A（TC） 10V 8mohm @ 75a，10v 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W（TC）
HUF76445S3ST onsemi HUF76445S3ST -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUF76 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 75A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 75A，10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±16V 4965 PF @ 25 V - 310W（TC）
FQA40N25 onsemi FQA40N25 3.9800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Onmi QFET® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA40 MOSFET （金属 o化物） to-3pn 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 40a（TC） 10V 70mohm @ 20a，10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 4000 pf @ 25 V - 280W（TC）
HUF75345S3ST onsemi HUF75345S3ST 6.5200
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUF75345 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A（TC） 10V 7mohm @ 75a，10v 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W（TC）
FQA85N06 onsemi FQA85N06 -
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA8 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 60 V 100A（TC） 10V 10mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±25V 4120 PF @ 25 V - 214W（TC）
FQA34N25 onsemi FQA34N25 -
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA3 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 250 v 34A（TC） 10V 85mohm @ 17a，10v 5V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±30V 2750 pf @ 25 V - 245W（TC）
HUFA75343S3S onsemi HUFA75343S3S -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB HUFA75 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A（TC） 10V 9mohm @ 75a，10v 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 270W（TC）
FDU8796 onsemi FDU8796 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA FDU87 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 35A（TC） 4.5V，10V 5.7MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±20V 2610 PF @ 13 V - 88W（TC）
FDD8782 onsemi FDD8782 -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FDD878 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 35A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 35a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1220 pf @ 13 V - 50W（TC）
FGA90N30DTU onsemi FGA90N30DTU -
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FGA90 标准 219 w to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 v 90 a 220 a 1.4V @ 15V，20A - 87 NC -
FDD8586 onsemi FDD8586 -
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FDD858 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 35A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 2480 pf @ 10 V - 77W（TC）
FDU8586 onsemi FDU8586 -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA FDU85 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 20 v 35A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 2480 pf @ 10 V - 77W（TC）
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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